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1. WO2020202557 - SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT

Publication Number WO/2020/202557
Publication Date 08.10.2020
International Application No. PCT/JP2019/015157
International Filing Date 05.04.2019
IPC
H01L 31/107 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
107the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode
Applicants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 竹村 亮太 TAKEMURA Ryota
  • 菊地 真人武 KIKUCHI Matobu
Agents
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体受光素子及び半導体受光素子製造方法
Abstract
(EN)
This semiconductor light-receiving element (50) is a semiconductor light-receiving element in which a multiplication layer (2), an electric field control layer (3), a light absorption layer (4), and a window layer (5) are sequentially formed on a semiconductor substrate (1) and a p-type area (6) is formed on the window layer (5). The p-type area (6) has a first p-type part (14) and a second p-type part (15) having a larger current multiplication factor due to light incidence than the first p-type part (14). The first p-type part (14) is formed in a central portion of the p-type area (6), which includes a central axis (21c) perpendicular to a semiconductor substrate (1), and the second p-type part (15) is formed in the outer periphery of a central portion in a radial direction with respect to the central axis (21c).
(FR)
L'invention concerne un élément de réception de lumière à semi-conducteur (50) qui est un élément de réception de lumière à semi-conducteur dans lequel une couche de multiplication (2), une couche de commande de champ électrique (3), une couche d'absorption de lumière (4), et une couche de fenêtre (5) sont formées séquentiellement sur un substrat semi-conducteur (1) et une zone de type p (6) est formée sur la couche de fenêtre (5). La zone de type p (6) a une première partie de type p (14) et une seconde partie de type p (15) ayant un facteur de multiplication de courant plus grand dû à une incidence de lumière que la première partie de type p (14). La première partie de type p (14) est formée dans une partie centrale de la zone de type p (6), qui comprend un axe central (21c) perpendiculaire à un substrat semi-conducteur (1), et la seconde partie de type p (15) est formée dans la périphérie externe d'une partie centrale dans une direction radiale par rapport à l'axe central (21c).
(JA)
半導体受光素子(50)は、半導体基板(1)に増倍層(2)、電界制御層(3)、光吸収層(4)、窓層(5)が順次形成されており、窓層(5)にp型領域(6)が形成されている半導体受光素子である。p型領域(6)は、第一p型部(14)と第一p型部(14)よりも光入射による電流の増倍率が大きい第二p型部(15)とを有している。第一p型部(14)はp型領域(6)における半導体基板(1)に垂直な中心軸(21c)を包含する中央部に形成されており、第二p型部(15)は中心軸(21c)に対する径方向における中央部の外周に形成されている。
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