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1. WO2020200645 - METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF COMPONENTS, COMPONENT, AND COMPOSITE COMPONENT MADE OF COMPONENTS

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[ DE ]

Beschreibung

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON BAUTEILEN,

BAUTEIL UND BAUTEILVERBUND AUS BAUTEILEN

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen, insbesondere von transferierbaren und somit druckbaren Bauteilen angegeben. Des Weiteren werden ein

Bauteil und ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von

Bauteilen angegeben.

Bei der Übertragung von Bauteilen werden bevorzugt Strukturen benötigt, mit denen die Bauteile auf einem Zwischenträger geordnet und stabil gehalten werden, bevor sie etwa unter Verwendung eines anhaftenden Stempels gezielt und sicher vom Zwischenträger abgenommen und auf eine Montagefläche

aufgebracht werden. Hierfür können Ankerstrukturen gebildet werden, die die Bauteile mit dem Zwischenträger temporär befestigen. Es hat sich herausgestellt, dass die Bildung solcher Ankerstrukturen und ein sicheres Ablösen der Bauteile von dem Zwischenträger mit großem Aufwand und mit großer Sorgfalt verbunden sind. Die Montage einer großen Anzahl von Bauteilen ist daher zeitaufwendig und kostenintensiv.

Eine Aufgabe ist es, ein zuverlässiges und kosteneffizientes Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen oder zur Herstellung eines Bauteilverbunds aus Bauteilen

anzugeben, die auf einer vorgegebenen Zielfläche schnell und vereinfacht montierbar sind. Eine weitere Aufgabe besteht darin, einen solchen Bauteilverbund oder ein aus dem

Bauteilverbund abgelöstes Bauteil anzugeben.

Diese Aufgaben werden durch den Bauteilverbund, das Bauteil und das Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von

Bauteilen gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Verfahrens oder des Bauteilverbunds oder des Bauteils sind Gegenstand der

weiteren Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen, insbesondere für optoelektronische Bauelemente, wird ein eine

Halbleiterstruktur auf einem Zwischenträger bereitgestellt. Insbesondere ist eine Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen der Halbleiterstruktur und dem Zwischenträger angeordnet. Zum Beispiel basiert die Halbleiterstruktur auf einem III-V- oder I I-VI-Verbindungshalbleitermaterial . Die Halbleiterstruktur kann eine erste Halbleiterschicht eines ersten Ladungsträgertyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Ladungsträgertyps aufweisen. Insbesondere weist die Halbleiterstruktur eine optisch aktive Zone auf, die zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten

Halbleiterschicht angeordnet und zum Beispiel zur Erzeugung oder zur Detektion elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Die Halbleiterstruktur kann in eine Mehrzahl von lateral beabstandeten Halbleiterkörpern zerteilt werden, die jeweils Teilbereiche der ersten Halbleiterschicht, der zweiten

Halbleiterschicht und der optisch aktiven Zone der

Halbleiterstruktur aufweisen.

Der Zwischenträger kann ein Aufwachssubstrat sein, auf dem die Halbleiterstruktur epitaktisch aufgewachsen ist. Die Halbleiterstruktur und die Opferschicht können auf demselben Halbleitermaterialsystem basieren. Zum Beispiel ist die

Opferschicht eine Pufferschicht zwischen der

Halbleiterstruktur und dem Zwischenträger, wobei die

Halbleiterstruktur, die Opferschicht und der Zwischenträger auf demselben III-V- oder I I-VI-Verbindungshalbleitermaterial basieren können. Basieren die Halbleiterstruktur, die

Opferschicht und der Zwischenträger auf demselben III-V-Verbindungshalbleitermaterial , weisen die Halbleiterstruktur, die Opferschicht und der Zwischenträger ein gleiches Element aus der dritten Hauptgruppe, zum Beispiel B, Al, Ga oder In, und ein gleiches Element aus der fünften Hauptgruppe, zum Beispiel N, P oder As, auf.

Der Begriff I I I-V-Verbindungshalbleitermaterial umfasst insbesondere die Gruppe der binären, ternären oder

quaternären Verbindungen, die wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- oder Phosphid-Verbindungshalbleiter . Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Zum Beispiel ist der Zwischenträger ein GaAs-Aufwachssubstrat und die Opferschicht eine AlGaAs-Schicht . Die Halbleiterstruktur kann eine

Schichtenfolge aus GaAs-Verbindungshalbleitermaterialien sein, insbesondere aus binären, ternären oder quaternären GaAs-Verbindungen .

Es ist möglich, dass der Zwischenträger verschieden von einem Aufwachssubstrat ist. Zum Beispiel ist der Zwischenträger aus einem Verbindungshalbleitermaterial, Silizium, Germanium, Keramik, Glas oder aus einem Kunststoff. In diesem Fall kann die Opferschicht weiterhin eine Halbleiterschicht oder auch verschieden von einer Halbleiterschicht sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Mehrzahl von Trenngräben durch die Halbleiterstruktur hindurch zur Ausbildung einer Mehrzahl von lateral

beabstandeten Halbleiterkörpern gebildet, wobei die

Halbleiterkörper jeweils einen Teilbereich der aktiven Zone der Halbleiterstruktur aufweisen. Insbesondere erstrecken sich die Trenngräben entlang der vertikalen Richtung durch die Halbleiterstruktur hindurch. In den Trenngräben kann die Opferschicht freigelegt, teilweise entfernt oder vollständig entfernt sein. Durch die Bildung der Trenngräben durch kann die Opferschicht eine Mehrzahl von Halteelementen bilden. Ist die Opferschicht in den Trenngräben vollständig entfernt, kann eine Oberfläche des Zwischenträgers teilweise freigelegt sein .

Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere parallel zu einer Haupterstreckungsfläche des Zwischenträgers und/oder des Bauteils verläuft. Zum

Beispiel verläuft die laterale Richtung parallel zu der

Opferschicht. Unter einer vertikalen Richtung wird eine

Richtung verstanden, die insbesondere senkrecht zu der

Haupterstreckungsfläche des Zwischenträgers und/oder des Bauteils gerichtet ist. Die vertikale Richtung und die laterale Richtung sind etwa orthogonal zueinander.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht derart teilweise entfernt, dass in vertikaler Richtung Hohlräume zwischen dem Zwischenträger und den

Halbleiterkörpern gebildet sind. Diese Hohlräume können direkt mit den Trenngräben verbunden sein. In Draufsicht auf den Zwischenträger können die Hohlräume zumindest teilweise oder vollständig von den Halbleiterkörpern überdeckt sein.

Zum Beispiel werden die Hohlräume mittels eines Ätzverfahrens erzeugt. Die dafür benötigten Ätzmittel können in die

Trenngräben oder in weitere Einfuhrkanäle zur Erzielung einer lateralen lokalen Ätzung der Opferschicht zugeführt werden. Insbesondere bilden verbleibende Teilbereiche der

Opferschicht Halteelemente, die weiterhin eine mechanische Verbindung zwischen dem Zwischenträger und den

Halbleiterkörpern vermitteln. Es ist möglich, dass die einzelnen lateral beabstandeten Halbleiterkörper

ausschließlich durch die Halteelemente mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden sind. In Draufsicht auf den

Zwischenträger können die Halbleiterkörper sowohl mit den Halteelementen als auch mit den Hohlräumen überlappen.

Auch ist es möglich, dass die Hohlräume ausschließlich durch die Trenngräben gebildet sind. In diesem Fall befinden sich die Hohlräume seitlich der Halbleiterkörper und weisen in Draufsicht keine Überlappungen mit den Halbleiterkörpern auf.

In Draufsicht kann jeder einzelne Halbleiterkörper ein einziges Halteelement oder mehrere Haltelemente teilweise oder vollständig bedecken. Auch ist es möglich, dass in

Draufsicht auf den Zwischenträger mehrere benachbarte

Halbleiterkörper ein gemeinsames Halteelement bedecken. In diesem Fall kann das gemeinsame Halteelement zumindest einen Trenngraben teilweise oder vollständig bedecken. Über das gemeinsame Halteelement sind die lateral beabstandeten

Halbleiterkörper miteinander mechanisch verbunden.

Die Halbleiterkörper weisen jeweils eine dem Zwischenträger zugewandte Hauptfläche auf, die bereichsweise von dem

Halteelement oder von den Halteelementen bedeckt ist und bereichsweise frei von der Bedeckung durch das Halteelement oder durch die Halteelemente ist. Zum Beispiel sind höchstens 30 %, 40 %, 50 %, 60 %, 70 % oder höchstens 80 % der

Hauptfläche des Halbleiterkörpers von dem Halteelement oder von den Halteelementen bedeckt. Andererseits können

mindestens 10 %, 20 %, 30 % oder mindestens 33 % der

Hauptfläche des Halbleiterkörpers von dem Halteelement oder von den Halteelementen bedeckt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die verbleibende Opferschicht modifiziert. Zum Beispiel werden die Halteelemente oxidiert. Aufgrund der Oxidation kann die dadurch hervorgerufene Änderung der Porosität oder Struktur des Materials der Halteelemente zur Reduzierung der

mechanischen Haftung zwischen den Halbleiterkörpern und dem Zwischenträger führen. Unter mechanischer Belastung können die Halteelemente mechanisch gebrochen oder von den

Halbleiterkörpern oder von dem Zwischenträger abgelöst werden, wodurch die Halbleiterkörper von dem Zwischenträger freigegeben werden. Die Halbleiterkörper können somit von dem Zwischenträger ablösbar ausgeführt sein, wobei die

Halteelemente die Halbleiterkörper unter mechanischer

Belastung von dem Zwischenträger freigeben. Dabei öffnet sich entweder die Grenzfläche zwischen diesen beiden Schichten, oder das Material der Haltestruktur bricht in sich auf.

Die Halteelemente können somit aus einem porösen Material gebildet sein. Die Porosität des Materials der Halteelemente kann zwischen 1 % und 50 % sein, zum Beispiel zwischen einschließlich 1 % und 40 %, 1 % und 30 %, 1 % und 20 %, 1 % und 10 % oder zwischen einschließlich 10 % und 50 %, 15 % und 50 % oder zwischen einschließlich 20 % und 50 %. Im Zweifel ist unter der Porosität eine mittlere Porosität zu verstehen, die ein Verhältnis von Hohlraumvolumen zu Gesamtvolumen des betreffenden Halteelements oder der betreffenden Opferschicht darstellt. Weiterhin kann die Haftkraft dadurch reduziert werden, dass die Modifikation, insbesondere die Oxidation keine Porosität erzeugt, sondern die Gitterstruktur des Halbleitermaterials verändert, z.B. aus einem kristallinen Halbleitermaterial in ein amorphes, polykristallines oder glasartiges Material.

Es ist auch möglich, dass die Modifikation durch chemische Veränderung, mechanische Veränderung oder kristallographische Veränderung der Halteelemente beziehungsweise des Materials der Haltelemente erfolgt. Mit anderen Worten kann die

Modifikation der Halteelemente Modifikation

kristallographischer und/oder chemischer Art sein, die zum Beispiel durch Temperaturänderung, Druckänderung, Anwendung von Lösemitteln und/oder durch andere chemische oder

mechanische Einflüsse erzeugbar ist.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen, die jeweils einen Halbleiterkörper mit einer aktiven Zone aufweisen, wird eine Halbleiterstruktur auf einem Zwischenträger bereitgestellt, wobei eine Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen der Halbleiterstruktur und dem Zwischenträger angeordnet ist.

Eine Mehrzahl von Trenngräben wird durch die

Halbleiterstruktur hindurch zur Ausbildung einer Mehrzahl von lateral beabstandeten Halbleiterkörpern gebildet. Die

Opferschicht bildet insbesondere Halteelemente. Zur

Reduzierung der mechanischen Haftung zwischen den

Halbleiterkörpern und dem Zwischenträger werden die

Halteelemente modifiziert, insbesondere oxidiert, sodass die Halbleiterkörper von dem Zwischenträger ablösbar ausgeführt sind. Zum Beispiel können die Halteelemente die

Halbleiterkörper unter mechanischer Belastung von dem

Zwischenträger freigeben. Auch ist es möglich, dass die

Halbleiterkörper durch Bestrahlung oder durch Ätzung der Halteelemente von dem Zwischenträger freigelöst werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht nach der Bildung der Trenngräben derart

teilweise entfernt, dass in vertikaler Richtung Hohlräume zwischen dem Zwischenträger und den Halbleiterkörpern

gebildet sind, wobei verbleibende Teilbereiche der

Opferschicht die Halteelemente bilden. In Draufsicht auf den Zwischenträger können die Halbleiterkörper sowohl mit den Halteelementen als auch mit den Hohlräumen überlappen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind die Halbleiterkörper nach der Modifikation, zum Beispiel nach dem Oxidieren, der Halteelemente ausschließlich über die modifizierten, insbesondere oxidierten Halteelemente mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden, wobei die Bauteile von dem Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar

ausgeführt sind. Die Halbleiterkörper können unter

mechanischer Belastung, durch Bestrahlung oder durch Ätzung der Halteelemente von dem Zwischenträger freigelöst werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Halbleiterkörper einzeln oder gruppenweise insbesondere mit Hilfe eines oder einer Mehrzahl von Stempeln von dem Zwischenträger abgenommen. Unter mechanischer Belastung des Stempels oder der Stempel lösen die Halteelemente die

Halbleiterkörper von dem Zwischenträger frei. Dabei können die Halteelemente mechanisch gebrochen oder von dem

Zwischenträger beziehungsweise von den Halbleiterkörpern abgelöst werden. Es ist möglich, dass Reste oder Überbleibsel der Halteelemente an dem Halbleiterkörper oder an den

Halbleiterkörpern verbleiben. Vor dem Ablösen von dem Stempel oder von den Stempeln können die Halbleiterkörper auf einem Träger oder auf mehreren Trägern befestigt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Halbleiterkörper einzeln oder gruppenweise von dem

Zwischenträger abgenommen. Zum Freilösen der Halbleiterkörper vom Zwischenträger kann eine Absorptionsschicht bestrahlt werden, wobei die Absorptionsschicht insbesondere Teil der Halteelemente ist. Zum Beispiel ist die Absorptionsschicht mitten in den Halteelementen eingebettet. Alternativ kann die Absorptionsschicht dem Zwischenträger zugewandt oder den Halbleiterkörpern zugewandt angeordnet sein. Die

Absorptionsschicht kann eine äußere Schicht der Halteelemente sein, die die Halteelemente in einer vertikalen Richtung begrenzt .

Durch Bestrahlung kann die Absorptionsschicht zersetzt werden, wodurch die Halbleiterkörper von dem Zwischenträger freigelöst werden. Zum Beispiel wird die Absorptionsschicht mit Laserlicht oder UV-Licht bestrahlt. Insbesondere weist die Absorptionsschicht, insbesondere das Material der

Absorptionsschicht, eine Bandlücke auf, die kleiner ist als die Photonenenergie des absorbierten Lichts. Die Bandlücke der Absorptionsschicht kann kleiner als eine Bandlücke des Zwischenträgers sein.

Die Absorptionsschicht kann eine äußere Schicht der

Halteelemente sein, die dem Zwischenträger zugewandt ist.

Auch kann Absorptionsschicht eine äußere Schicht der

Halteelemente sein, die den Halbleiterkörpern zugewandt ist. Es ist auch möglich, dass die Absorptionsschicht eine innere Schicht der Halteelemente ist. Die Absorptionsschicht kann vollständig in den jeweiligen Halteelementen eingebettet sein .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Zwischenträger ein Aufwachssubstrat, wobei die Opferschicht eine auf dem Zwischenträger epitaktisch aufgebrachte

Halbleiterschicht ist. Das Aufwachssubstrat kann aus einem Halbleitermaterial gebildet sein. Die Halbleiterstruktur ist insbesondere eine auf der Opferschicht aufgebrachte

Halbleiterschichtenfolge aus Halbleiterschichten.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Halbleiterstruktur eine auf einem Aufwachssubstrat

epitaktisch aufgebrachte Schichtenfolge, wobei die

Halbleiterstruktur und die Opferschicht in vertikaler

Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Zwischenträger angeordnet sind. Die Opferschicht kann eine auf der

Halbleiterstruktur epitaktisch aufgebrachte Halbleiterschicht sein. Alternativ ist es möglich, dass die Opferschicht eine Befestigungsschicht ist, die insbesondere verschieden von einer Halbleiterschicht ist. Das Aufwachssubstrat kann in einem nachfolgenden Verfahrensschritt entfernt werden, insbesondere nach dem Befestigen der Halbleiterstruktur an dem Zwischenträger. Der Zwischenträger ist insbesondere verschieden von einem Aufwachssubstrat sein und kann aus einem Material gebildet sein, das verschieden von einem

Halbleitermaterial ist.

Es wird ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen und einem gemeinsamen Zwischenträger angegeben, wobei eine Opferschicht in vertikaler Richtung zwischen dem gemeinsamen Zwischenträger und den Halbleiterkörpern der Bauteile

angeordnet ist. Insbesondere weist die Opferschicht eine Mehrzahl von lateral beabstandeten Teilbereiche auf, die Halteelemente zwischen dem Zwischenträger und den

Halbleiterkörpern bilden. Das oben beschriebene Verfahren ist für die Herstellung eines hier beschriebenen Bauteilverbunds besonders geeignet. Die im Zusammenhang mit dem Bauteil und Bauteilverbund beschriebenen Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.

In mindestens einer Ausführungsform eines Bauteilverbunds enthält dieser eine Mehrzahl von Bauteilen, eine

modifizierte, insbesondere oxidierte Opferschicht und einen gemeinsamen Zwischenträger. Die Bauteile jeweils einen

Halbleiterkörper mit einer aktiven Zone auf, wobei die

Halbleiterkörper auf dem Zwischenträger angeordnet und durch Trenngräben voneinander lateral beabstandet sind. Die

Opferschicht ist in vertikaler Richtung zwischen dem

Zwischenträger und den Halbleiterkörpern angeordnet, wobei die Opferschicht mehrere modifizierte, insbesondere oxidierte Halteelemente zwischen den Halbleiterkörpern und dem

gemeinsamen Zwischenträger aufweist. Bevorzugt sind die

Halbleiterkörper ausschließlich über die Halteelemente mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden. Die Halteelemente sind in lateralen Richtungen von Hohlräumen umgeben. Zum Beispiel überlappen die Halbleiterkörper in Draufsicht auf den Zwischenträger sowohl mit den Halteelementen als auch mit den Hohlräumen. Die Halbleiterkörper sind von dem

Zwischenträger ablösbar ausgeführt, wobei die Halteelemente die Halbleiterkörper insbesondere unter mechanischer

Belastung oder durch Bestrahlung oder durch Ätzung von dem Zwischenträger freigeben.

Durch die Halteelemente sind die Bauteile geordnet und ausreichend stabil auf dem Zwischenträger gehalten, bevor sie einzeln oder gruppenweise für weitere Verarbeitungsschritte gezielt und sicher von dem Zwischenträger abgenommen werden können. Die Bauteile sind somit einzeln oder gruppenweise transferierbar und somit druckbar ausgeführt. Die Bauteile oder die Halbleiterkörper der Bauteile können somit einzeln oder gruppenweise zum Beispiel durch Brechen und/oder durch Ablösen der Halteelemente von dem Zwischenträger abgenommen. In demselben Produktionsprozeß, etwa in demselben sogenannten „Pick-and-Place"-Prozess , können die Halbleiterkörper zum Beispiel mit Hilfe eines Stempels oder mehrerer Stempel auf eine Zielmontagefläche transferiert und darauf mechanisch befestigt und/oder elektrisch kontaktiert werden.

Die Zielmontagefläche kann eine Leiterplatte oder ein Träger eines elektronischen Geräts sein. Solche Bauteile können als Lichtquellen in der Allgemeinbeleuchtung oder in einem

Scheinwerfer eines Kraftfahrzeugs eingesetzt werden. Auch ist es denkbar, dass die Bauteile in elektronischen Geräten, Handys, Touchpads, Laserdrucker, Kameras, Erkennungskameras, Gesichtserkennungskameras, Displays oder in Systemen aus LEDs, Sensoren, Laserdioden und/oder Detektoren Anwendung finden .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds sind die Halteelemente ausschließlich

unterhalb der Halbleiterkörper angeordnet. In Draufsicht auf den Zwischenträger können die Halbleiterkörper die

Halteelemente vollständig bedecken. Jedes der Halteelemente kann einem einzigen Halbleiterkörper eineindeutig zugeordnet sein, und umgekehrt. Es ist auch möglich, dass mehrere

Halteelemente demselben Halbleiterkörper zugeordnet und in Draufsicht von diesem Halbleiterkörper vollständig bedeckt sind. Beim Transferieren eines einzelnen Halbleiterkörpers können die benachbarten Halbleiterkörper von diesem Vorgang unberührt bleiben, sodass der Transfervorgang besonders präzise durchgeführt werden kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds ist zumindest eines der Halteelemente sowohl unterhalb der Halbleiterkörper als auch seitlich der

Halbleiterkörper in den Trenngräben angeordnet. Das

Halteelement kann gleichzeitig mehreren Halbleiterkörpern zugeordnet und so gleichzeitig von mehreren Halbleiterkörpern überdeckt sein. Es ist möglich, dass mehrere solche

Halteelemente demselben Halbleiterkörper zugeordnet sind. In diesem Fall kann ein Halbleiterkörper in Draufsicht mehrere Halteelemente teilweise bedecken. Benachbarte

Halbleiterkörper können ein gemeinsames Halteelement oder mehrere gemeinsame Halteelemente teilen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds sind die Halteelemente beim Abnehmen der Bauteile unter mechanischer Belastung brechbar oder ablösbar ausgeführt. Mit anderen Worten sind die Halteelemente derart ausgebildet, dass sie beim Abnehmen des zugehörigen Bauteils oder des zugehörigen Halbleiterkörpers abbrechen oder

abreißen. Ein mechanischer Bruch findet insbesondere

innerhalb einer Schicht desselben Materials statt. Ist das Halteelement ablösbar ausgebildet, findet das Ablösen des Halteelements insbesondere an einer Grenzfläche zwischen zwei Schichten verschiedener Materialien statt, zum Beispiel an einer Grenzfläche zwischen zwei Teilschichten der

Opferschicht oder des Halteelements, oder an einer

Grenzfläche zwischen dem Halteelement und dem Bauteil oder an einer Grenzfläche zwischen dem Halteelement und dem

Zwischenträger .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds ist die Opferschicht eine aluminiumhaltige Halbleiterschicht. Die Modifikation, insbesondere die

Oxidation einer solchen Halbleiterschicht kann auf besonders vereinfachte Art und Weise durchgeführt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds basieren die Halbleiterkörper auf GaAs oder auf GaP, wobei die Opferschicht eine aluminiumhaltige GaAs-oder GaP-Schicht ist. Die Opferschicht kann eine AlGaAs-Schicht oder eine AlGaP-Schicht sein. Der Halbleiterkörper kann indiumhaltige Halbleiterschichten aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds weist die Opferschicht mehrere Teilschichten, zum Beispiel mindestens zwei Teilschichten auf, wobei die Teilschichten unterschiedliche Modifikationsraten aufweisen. Es ist möglich, dass die Teilschichten auf demselben

Materialsystem basieren, wobei die Teilschichten

unterschiedliche Konzentrationen an Aluminium oder

unterschiedliche Dotierungen aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds weist die Opferschicht eine erste Teilschicht und eine zwischen der ersten Teilschicht und den

Halbleiterkörpern angeordnete zweite Teilschicht auf. Das entsprechende Halteelement kann somit ebenfalls eine erste Teilschicht und eine zweite Teilschicht aufweisen. Die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht können

unterschiedliche Materialzusammensetzungen und/oder

unterschiedliche Aluminiumanteile aufweisen.

Bevorzugt weist die erste Teilschicht eine geringere

Modifikationsrate oder Oxidationsrate auf als die zweite Teilschicht. Bei der Modifikation kann die zweite Teilschicht vollständig modifiziert werden, während die erste Teilschicht nur in ihren äußeren Regionen modifiziert ist. Zum Beispiel bei der Oxidation kann die zweite Teilschicht vollständig oxidiert werden, während die erste Teilschicht nur in ihren äußeren Regionen oxidiert ist. Das Halteelement ist somit insbesondere in den Bereichen der zweiten Teilschicht

brechbar oder ablösbar ausgeführt. Nach dem Abtrennen des Bauteils oder des Halbleiterkörpers von dem Zwischenträger verbleibt die erste Teilschicht eher an dem Zwischenträger, sodass der abgetrennte Halbleiterkörper frei von der ersten Teilschicht, insbesondere frei von Resten der ersten

Teilschicht ist. Durch die Verwendung von mindestens zwei Teilschichten mit unterschiedlichen Modifikationsraten, insbesondere Oxidationsraten können Sollbruchstellen in vorgegebenen Regionen der Halteelemente oder der Opferschicht gezielt gebildet werden. Je nach Anwendungen ist es ebenfalls denkbar, dass die zweite Teilschicht eine geringere

Modifikationsrate, etwa eine geringere Oxidationsrate

aufweist als die erste Teilschicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds basieren die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht auf demselben Materialsystem, wobei die erste Teilschicht eine geringe Konzentration an Aluminium als die zweite Teilschicht aufweist, oder umgekehrt. Es ist auch möglich, dass die eine Teilschicht aluminiumhaltig ist und die andere Teilschicht frei von Aluminium ist. Weiterhin ist es möglich, dass die unterschiedliche Modifikationsrate oder Oxidationsrate durch eine unterschiedliche Dotierung erzeugt wird, z.B. durch unterschiedlich starke positive oder

negative Dotierung, oder durch positive und negative

Dotierung .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds sind jedem Halbleiterkörper eine

Kontaktschicht und eine weitere Kontaktschicht zugeordnet, wobei die Kontaktschicht und die weitere Kontaktschicht zur elektrischen Kontaktierung des zugehörigen Halbleiterkörpers eingerichtet sind.

Die Kontaktschicht kann seitlich des Halteelements auf einer ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers angeordnet sein und die erste Hauptfläche teilweise bedecken. Zum Beispiel ist die Kontaktschicht zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers eingerichtet. Die weitere Kontaktschicht kann auf einer der ersten Hauptfläche abgewandten zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers

angeordnet sein und die zweite Hauptfläche vollständig bedecken. Die weitere Kontaktschicht kann zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht des

Halbleiterkörpers eingerichtet sein. Die erste

Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht können n-leitend beziehungsweise p-leitend ausgeführt sein, oder umgekehrt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds sind/ist die Kontaktschicht und/oder die weitere Kontaktschicht aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid (TCO) gebildet, zum Beispiel aus

Indiumzinnoxid (ITO) . Die Kontaktschicht und die weitere Kontaktschicht sind insbesondere auf gegenüberliegenden

Seiten des Halbleiterkörpers angeordnet. Zum Beispiel ist eine dem Halteelement abgewandte Hauptfläche des

Halbleiterkörpers oder des Bauteils als

Strahlungsdurchtrittsfläche ausgeführt. Die Hauptfläche kann von einer transparenten elektrisch leitfähigen Kontaktschicht bedeckt, insbesondere vollständig bedeckt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des Bauteilverbunds sind jedem Halbleiterkörper eine

Kontaktschicht und eine weitere Kontaktschicht zugeordnet, wobei die Kontaktschicht und die weitere Kontaktschicht auf derselben Seite des zugehörigen Halbleiterkörpers angeordnet und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sind. Insbesondere ist eine der Kontaktschichten mit einer Durchkontaktierung elektrisch leitend verbunden ist, wobei sich die Durchkontaktierung in vertikaler Richtung durch die aktive Zone hindurch zur elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers erstreckt.

Die Kontaktschicht und die weitere Kontaktschicht sind insbesondere auf einer Rückseite des Halbleiterkörpers oder des Bauteils angeordnet. Das Bauteil kann als

oberflächenmontierbares Bauteil ausgeführt sein. Die der Rückseite abgewandte Vorderseite des Halbleiterkörpers oder des Bauteils kann als Strahlungsdurchtrittsfläche ausgeführt sein. Es ist möglich, dass die Strahlungsdurchtrittsfläche mit einer Schutzschicht bedeckt, insbesondere vollständig bedeckt ist. Die Schutzschicht kann elektrisch isolierend ausgebildet sein. Es ist jedoch möglich, dass die

Schutzschicht aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Material gebildet ist und in diesem Fall zusätzlich als

Stromaufweitungsschicht für die Halbleiterschicht dient.

Es wird ein Bauteil angegeben, das insbesondere nach einem hier beschriebenen Verfahren hergestellt ist. Insbesondere weist das Bauteil einen Halbleiterkörper auf, der von dem Zwischenträger des Bauteilverbunds abgelöst ist. Das Bauteil kann Reste oder Überbleibsel von dem Halteelement oder von den Halteelementen aufweisen. Die im Zusammenhang mit dem Verfahren und dem Bauteilverbund beschriebenen Merkmale können für das Bauteil herangezogen werden und umgekehrt.

In mindestens einer Ausführungsform eines Bauteils weist dieses einen Halbleiterkörper auf, der insbesondere aus dem hier beschriebenen Bauteilverbund abgelöst ist. Die aktive Zone ist zur Erzeugung oder zur Detektion elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Der Halbleiterkörper weist eine

Hauptfläche auf, die bereichsweise von Resten beziehungsweise von Überbleibseln des Halteelements bedeckt ist. Die Reste oder die Überbleibsel des Halteelements sind insbesondere aus einem modifizierten, insbesondere oxidierten Material

gebildet und wirken reflektierend oder streuend für die im Betrieb des Bauteils zu emittierende oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils weist dieses einen Träger und eine Verbindungsschicht auf, wobei der Halbleiterkörper durch die Verbindungsschicht auf dem Träger befestigt ist. Insbesondere sind die Reste oder

Überbleibsel des Halteelements zumindest teilweise in der Verbindungsschicht eingebettet. Die Verbindungsschicht kann eine Haftvermittlerschicht sein, zum Beispiel eine

Klebeschicht .

Weitere bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Bauteils, des Bauteilverbunds sowie des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1A bis 5C erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:

Figuren 1A, 1B, IC, ID, IE, 1F, IG und 1H schematische

Darstellungen von Prozessabfolgen zur Herstellung eines

Bauteilverbunds oder eines Bauteils,

Figuren 2A, 2B, 2C und 2D schematische Darstellungen

verschiedener Ausführungsbeispiele eines Bauteilverbunds, und

Figuren 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 4C, 5A, 5B und 5C schematische Darstellungen verschiedener Verfahrensschritte weiterer

Ausführungsbeispiele eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauteilverbunds oder eines Bauteils.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur

Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt werden.

In Figur 1A wird ein Verfahrensschritt zur Herstellung eines Bauteilverbunds 100 beziehungsweise zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen 10 schematisch dargestellt.

Gemäß Figur 1A wird eine Halbleiterstruktur 20 auf einem Zwischenträger 90, insbesondere auf einem Aufwachssubstrat 9, bereitgestellt. Insbesondere ist der Zwischenträger 90 ein III-V- oder ein I I-VI-Halbleitersubstrat . Zum Beispiel besteht der Zwischenträger aus Galliumarsenid oder basiert auf Galliumarsenid. Die Halbleiterstruktur 20 weist eine erste Halbleiterschicht 21, eine zweite Halbleiterschicht 22 und eine zwischen den Halbleiterschichten 21 und 22

angeordnete aktive Zone 23 auf. Die aktive Zone 23 ist

insbesondere zur Emission oder zur Detektion

elektromagnetischer Strahlung eingerichtet.

Die Halbleiterstruktur 20 kann auf einem III-V- oder auf einem I I-VI-Halbleiterverbindungsmaterial basieren. Zum

Beispiel basiert die Halbleiterstruktur 20 auf Galliumnitrid. Die erste Halbleiterschicht 21 ist insbesondere n-seitig angeordnet. Zum Beispiel ist die erste Halbleiterschicht 21 n-leitend oder n-dotiert ausgebildet. Die zweite

Halbleiterschicht 22 ist insbesondere p-seitig angeordnet und kann p-leitend oder p-dotiert ausgeführt sein. Die aktive Zone 23 ist insbesondere eine pn-Übergangszone . Abweichend davon ist es möglich, dass die erste Halbleiterschicht 21 p-leitend oder p-dotiert und die zweite Halbleiterschicht 22 n-leitend oder n-dotiert ausgebildet ist.

Gemäß Figur 1A ist eine Opferschicht 4 in der vertikalen Richtung zwischen der Halbleiterstruktur 20 und dem

Zwischenträger 90 angeordnet. Die Opferschicht 4 dient insbesondere als Pufferschicht und kann eine auf dem

Aufwachssubstrat 9 epitaktisch aufgebrachte Halbleiterschicht sein. Zum Beispiel ist die Opferschicht 4 eine

aluminiumhaltige GaAs- oder GaP-Schicht.

Die Opferschicht 4 grenzt insbesondere an eine Hauptfläche 2R der Halbleiterstruktur 20 an, wobei die Hauptfläche 2R eine dem Zwischenträger 90 zugewandte Rückseite der

Halbleiterstruktur 20 ist und durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 21 gebildet sein kann. Die

Halbleiterstruktur 20 weist eine weitere der Rückseite abgewandte Hauptfläche 2V auf, die dem Zwischenträger 90 abgewandt ist und durch eine Oberfläche der zweiten

Halbleiterschicht 22 gebildet sein kann. Die weitere

Hauptfläche 2V bildet eine Vorderseite 2V der

Halbleiterstruktur 20.

Auf der Vorderseite 2V der Halbleiterstruktur 20 ist eine Kontaktschicht 62 angeordnet. Die Kontaktschicht 62 ist Teil einer Kontaktstruktur 6 und ist insbesondere zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22 vorgesehen.

Zum Beispiel ist die Kontaktschicht 62 aus einem

transparenten elektrisch leitfähigen Material gebildet. Der Bauteilverbund 100 weist eine Vorderseite 10V auf, die insbesondere durch eine freiliegende Oberfläche der

Kontaktschicht 62 gebildet ist. Die aus dem Bauteilverbund 100 hervorgehenden Bauteile 10 können jeweils eine

Vorderseite 10V aufweisen, die insbesondere als

Strahlungsdurchtrittsfläche, etwa als

Strahlungseintrittsfläche oder als Strahlungsaustrittsfläche, ausgeführt ist.

Gemäß Figur 1B wird die Halbleiterstruktur 20 in eine

Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 vereinzelt. Dabei können mehrere Trenngräben 4T entlang der vertikalen Richtung durch die Kontaktschicht 62 und Halbleiterstruktur 20 hindurch erzeugt werden. Hierfür kann eine Maske 7, die zum Beispiel aus einem photostrukturierbaren Material gebildet ist,

Anwendung finden. Durch geeignete Belichtung des

photostrukturierbaren Materials können Öffnungen der Maske 7 gebildet werden, die die Positionen der Trenngräben 4T festlegen. Zur Bildung der Trenngräben 4T werden Materialien der Halbleiterstruktur 20 und/oder der Kontaktschicht 62 bereichsweise abgetragen, zum Beispiel mittels eines

Ätzprozesses, etwa eines Plasmaätzprozesses. Bei der

Erzeugung der Trenngräben 4T kann die Opferschicht 4

freigelegt oder zumindest in den Bereichen der Trenngräben 4T teilweise oder vollständig entfernt werden.

Die in der Figur 1B dargestellten Trenngräben 4T weisen jeweils einen Querschnitt auf, der mit abnehmenden Abstand zum Zwischenträger 90 abnimmt. Die vereinzelten

Halbleiterkörper 2 weisen somit Seitenflächen 2S auf, die schräg zu den Hauptflächen 2V und 2R gebildet sind. Die

Halbleiterkörper 2 können Hauptkörper von Licht emittierenden Dioden (LED) bilden. Die LED sind zum Beispiel pLED. Das Bauteile 10 oder die Halbleiterkörper weisen eine laterale Ausdehnung auf, die zum Beispiel zwischen einschließlich 1 pm und 30 pm. Die laterale Ausdehnung kann auch zwischen

einschließlich 1 pm und 5 mm sein, etwa zwischen

einschließlich 10 pm und 5 mm, zwischen einschließlich 300 pm und 5 mm, zwischen einschließlich 300 pm und 3 mm oder zwischen einschließlich 100 pm und 1 mm.

Die vereinzelten Halbleiterkörper 2 sind in der lateralen Richtung zwar voneinander räumlich beabstandet, allerdings sind sie weiterhin über die Opferschicht 4, insbesondere über die strukturierte Opferschicht 4, mit dem Zwischenträger 9 mechanisch verbunden. Nach der Vereinzelung sind die

Halbleiterkörper 2 insbesondere ausschließlich über die

Opferschicht 4 mit dem Zwischenträger 90 mechanisch

verbunden .

Nach der Vereinzelung weisen die Halbleiterkörper 2

rückseitige Hauptflächen 2R auf, die weiterhin von der

Opferschicht 4 vollständig bedeckt sein können. In einem nachfolgenden Verfahrenschritt können Hohlräume 4H zwischen den Halbleiterkörpern 2 und dem Zwischenträger 90 gebildet, zum Beispiel mittels eines Ätzverfahrens, etwa mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens. Dabei kann die Opferschicht 4 derart lokal entfernt werden, dass die rückseitigen

Hauptflächen 2R, die in Figur 1B Rückseiten 10R der Bauteile 10 bilden, nur noch teilweise von der Opferschicht 4 bedeckt sind. Die Halbleiterkörper 2 werden dadurch bereichsweise von dem Zwischenträger 90 abgelöst. Die verbleibenden Bereiche der Opferschicht 4 bilden mehrere Halteelemente 3, die weiterhin eine mechanische Verbindung zwischen den

Halbleiterkörpern 2 und dem Zwischenträger 90 vermitteln.

Abweichend von der Figur 1B ist es möglich, dass die

Hohlräume 4H ausschließlich durch die Trenngräben 4T gebildet sind. In diesem Fall können die Halteelemente 3 jeweils eine rückseitige Hauptfläche 2R des zugehörigen Halbleiterkörpers 2 vollständig beziehungsweise bis auf Herstellungstoleranzen vollständig bedecken.

Die Halteelemente 3 können in Form von Haltesäulen ausgeführt sein, die in Draufsicht auf den Zwischenträger 90 von den Halbleiterkörpern vollständig bedeckt sind (Figur 1B) . Es ist möglich, dass jeder Halbleiterkörper 2 ein einziges

Halteelement 3 oder mehrere Halteelemente 3 aufweist. Die Trenngräben 4T können frei von den Halteelementen 3 oder frei von einem Material der Opferschicht 4 sein. Alternativ ist es möglich, dass sich Halteelemente 3 bereichsweise unterhalb der Halbleiterkörper 2 und bereichsweise in den Trenngräben befinden (Figuren 2B, 2C und 2D) .

Gemäß Figur IC werden die Halteelemente 3 modifiziert, insbesondere oxidiert. Durch die Modifikation wird die

Haftung zwischen den Halbleiterkörpern 2 und dem

Zwischenträger 90 reduziert. Dies ist insbesondere auf die Verschlechterung der Materialqualität, etwa auf die

Verschlechterung der Kristallqualität der Halteelemente 3 zurückzuführen. Insbesondere werden durch die Modifikation Poren in den Halteelementen 3 gebildet. Die Halteelemente 3 werden dadurch poröser und sind daher leichter mechanisch zu brechen oder von den Halbleiterkörpern 2 beziehungsweise von dem Zwischenträger 90 abzulösen.

Gemäß Figur ID wird eine weitere Kontaktschicht 61 gebildet, die Teil der Kontaktstruktur 6 ist und insbesondere zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 21 eingerichtet ist. Insbesondere ganz analog zu der

Kontaktschicht 62 kann die weitere Kontaktschicht 61 mittels eines Abscheidungsverfahrens auf die Halbleiterkörper 2 aufgebracht werden. In Draufsicht kann die weitere

Kontaktschicht 61 die Maske 7, die Halbleiterkörper 2, die Seitenflächen 2S der Halbleiterkörper 2 und eine freiliegende Oberfläche des Zwischenträgers 90 vollständig bedecken.

Temporär kann der Halbleiterkörper 2 elektrisch

kurzgeschlossen sein. Insbesondere grenzt die weitere

Kontaktschicht 61 an die erste Halbleiterschicht 21 an und bildet mit der ersten Halbleiterschicht 21 einen elektrischen Kontakt. Die Rückseite 2R des jeweiligen Halbleiterkörpers 2 ist bereichsweise von der weiteren Kontaktschicht 61 und bereichsweise von dem Haltelement 3 oder von den

Halteelementen 3 bedeckt. Insbesondere kann das Halteelement 3 in lateralen Richtungen von der weiteren Kontaktschicht 61 umgeben sein. Das Halteelement 3 kann von der weiteren

Kontaktschicht 61 lateral beabstandet sein.

Gemäß Figur IE wird die Maske 7 entfernt. Die weitere

Kontaktschicht 61 wird auf den Seitenflächen 2S entfernt. Der temporäre elektrische Kurzschluss wird dadurch aufgehoben.

Der Halbleiterkörper 2 ist über die Kontaktschicht 62 und die weitere Kontaktschicht 61 extern elektrisch kontaktierbar.

In Figur 1F wird schematisch dargestellt, dass ein

individuelles Bauteil 10 oder ein individueller

Halbleiterkörper 2 zum Beispiel mit Hilfe eines anhaftenden Stempels 7S selektiv von dem Zwischenträger 90 abgetrennt werden kann. Die Bauteile 10 oder die Halbleiterkörper 2 können jedoch individuell oder gruppenweise mit Hilfe des Stempels 7S oder mehrerer Stempel 7S von dem Zwischenträger 9 abgetrennt und im selben Verfahrensschritt auf eine

Zielfläche aufgebracht und dort mechanisch fixiert und elektrisch kontaktiert werden. Dabei werden die

Halbleiterkörper 2 selektiv durch lokales mechanisches

Brechen oder durch Ablösen der Halteelemente 3 von dem

Zwischenträger 90 entfernt.

Gemäß Figur IG kann der abgetrennte Halbleiterkörper 2 auf einem Träger 1 zum Beispiel mittels einer Verbindungsschicht 8 mechanisch fixiert werden. Die Reste 3R oder Überbleibsel 3R des Halteelements 3 können zumindest teilweise in der Verbindungsschicht 8 eingebettet sein. Der Träger 1 kann eine Anschlussschicht 11 aufweisen, die mit der Kontaktschicht 61 elektrisch leitend verbunden ist. Die Kontaktschicht 61 und die Anschlussschicht 11 können von der Verbindungsschicht 81 umgeben sein. Die Verbindungsschicht 81 kann eine

Haftvermittlerschicht, etwa eine Klebeschicht, sein. Auch ist es möglich, dass die Verbindungsschicht 81 eine Lotschicht oder eine elektrisch leitfähige Klebeschicht ist.

Der Träger 1 weist eine weitere Anschlussschicht 12 auf.

Gemäß Figur 1H kann nach dem Entfernen des Stempels 7S eine elektrische Verbindung 13, etwa in Form eines Bonddrahts oder einer planaren Kontaktierung, zwischen der Anschlussschicht 12 und der Kontaktschicht 62 gebildet werden. Die

Anschlussschichten 11 und 12 können als Anschlussflächen oder als Leiterbahnen auf dem Träger 1 gebildet sein. Der Träger 1 mit den Anschlussschichten 11 und 12 kann eine Leiterplatte oder eine Si-basierte Platte sein.

Gemäß Figur 1H weist das Bauteil 10 somit einen

Halbleiterkörper 2 auf einem Träger 1 auf, wobei der

Halbleiterkörper 2 mittels einer Verbindungsschicht 8 auf dem Träger 1 mechanisch befestigt ist. Die Vorderseite 10V des Bauteils 10 ist durch eine freiliegende Oberfläche der

Kontaktschicht 62 gebildet. Die Rückseite 10R des Bauteils 10 ist durch eine freiliegende Oberfläche des Trägers 1

gebildet. Die Kontaktschicht 61 und die Reste 3R des

Halteelements bedecken die rückseitige Hauptfläche 2R des Halbleiterkörpers 2 lediglich teilweise. Abweichend von der Figur 1H ist es möglich, dass mehrere solcher

Halbleiterkörper 2 auf dem Träger 1 angeordnet sind.

Der Halbleiterkörper 2 weist Seitenflächen 2S auf, die mit der rückseitigen Hauptfläche 2R einen spitzen Winkel bilden, der zum Beispiel zwischen 20° und 80° ist, etwa zwischen einschließlich 30° und 70° oder zwischen 30° und 60°.

Entsprechend bilden die Seitenflächen 2S mit der

vorderseitigen Hauptfläche 2V einen stumpfen Winkel, der zum Beispiel zwischen 110° und 170° ist, etwa zwischen

einschließlich 120° und 160° oder zwischen 120° und 150°. Abweichend davon ist es möglich, dass die Seitenflächen 2S mit den Hauptflächen 2V und 2R einen rechten Winkel oder einen im Wesentlichen rechten Winkel bilden.

In Figur 2A ist ein Abschnitt des in der Figur IE dargestellten Ausführungsbeispiels in Schnittansicht und in Draufsicht dargestellt. Gemäß Figur 2A ist das Halteelement 3 mittig unterhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet.

Insbesondere ist jedem Halbleiterkörper 2 ein einziges

Halteelement eineindeutig zugeordnet, und umgekehrt. In

Draufsicht auf den Zwischenträger 90 bedeckt der

Halbleiterkörper 2 das ihm zugehörige Halteelement 3

vollständig .

In den Figuren 2B, 2C und 2D sind weitere beispielhafte

Anordnungen der Halteelemente 3 schematisch dargestellt.

Außerdem sind in diesen Figuren Einfuhrkanäle 4K gezeigt, die insbesondere zum Einführen vom Ätzmittel zur Erzeugung der Hohlräume 4H eingerichtet sind.

Figuren 2B, 2C und 2D teilen mehrere Halbleiterkörper 2 oder mehrere Bauteile 10 ein gemeinsames Halteelement 3. Das gemeinsame Halteelement 3 befindet sich teilweise in den Trenngräben 4T und teilweise unterhalb der Halbleiterkörper 2 der Bauteile 10. In diesem Fall kann das gemeinsame

Halteelement einen Trenngraben 4T oder mehrere Trenngräben 4T lateral überbrücken.

Gemäß Figur 2B teilen vier benachbarte Halbleiterkörper 2 oder Bauteile 10 ein gemeinsames Haltelement 3, das sich in den Eckbereichen der Halbleiterkörper 2 oder der Bauteile 10 und in einem Kreuzungspunkt der Trenngräben 4T befindet. Das gemeinsame Haltelement 3 bedeckt die Trenngräben 4T lediglich teilweise .

Gemäß Figur 2C teilen zwei benachbarte Reihen der

Halbleiterkörper 2 oder der Bauteile 10 ein gemeinsames Haltelement 3, das sich entlang eines Trenngrabens 4T

zwischen den zwei benachbarten Reihen der Halbleiterkörper 2 erstreckt und in Draufsicht diesen Trenngraben 4T vollständig bedecken kann. Weitere Trenngräben zwischen den

Halbleiterkörpern 2 können von dem gemeinsamen Halteelement teilweise bedeckt sein. In der Figur 2C befinden sich die Einfuhrkanäle 4K in den Trenngräben 4T und erstrecken sich entlang der Reihen der Halbleiterkörper 2 beziehungsweise der Bauteile 10.

Das in der Figur 2D dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2B dargestellten Ausführungsbeispiel. Während die Einfuhrkanäle in der Figur 2B die Bauteile 10 umrahmen, befinden sich die Einfuhrkanäle in der Figur 2D in den Kreuzungspunkten der Trenngräben 4T. Zwei oder vier benachbarte Bauteile 10 können ein gemeinsames Halteelement 3 teilen. Das gemeinsame Halteelement 3 befindet sich insbesondere in einem Kreuzungspunkt der Trenngräben 4T.

Das in der Figur 3A dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel eines Verfahrensschritts zur Herstellung eines Bauteilverbunds 100 oder einer Mehrzahl von Bauteilen 10. Im Unterschied hierzu weist die Opferschicht 4 eine erste Teilschicht 41 und eine zweite Teilschicht 42 auf. Die zweite Teilschicht 42 befindet sich in der vertikalen Richtung zwischen der ersten Teilschicht 41 und der Halbleiterstruktur 20. Insbesondere sind die Teilschichten 41 und 42 aus

unterschiedlichen Materialien gebildet oder weisen

unterschiedliche Materialienzusammensetzungen auf, sodass die Teilschichten 41 und 42 unterschiedliche Modifikationsraten, insbesondere unterschiedliche Oxidationsraten aufweisen. Zum Beispiel weisen die Teilschichten 41 und 42 unterschiedliche Konzentrationen an Aluminium auf.

Das in der Figur 3B dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1B dargestellten Ausführungsbeispiel mit dem Unterschied, dass die

Halteelemente 3 jeweils eine erste Teilschicht 41 und eine zweite Teilschicht 42 aufweisen.

Das in der Figur 3C dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur IE dargestellten Ausführungsbeispiel eines Verfahrensschritts zur Herstellung eines Bauteilverbunds 100 oder einer Mehrzahl von Bauteilen 10. Im Unterschied hierzu weist das Halteelement 3 eine erste Teilschicht 41 auf, die nur teilweise modifiziert oder oxidiert ist. Das Halteelement 3 weist eine zweite

Teilschicht 42 auf, die insbesondere vollständig modifiziert oder vollständig oxidiert ist. Die Sollbruchstellen befinden sich in diesem Fall innerhalb der zweiten Teilschicht 42 oder an einer Grenzfläche zwischen der zweiten Teilschicht 42 und dem Halbleiterkörper 2 oder an einer Grenzfläche zwischen der zweiten Teilschicht 42 und der ersten Teilschicht 41.

Das in der Figur 4A dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1A dargestellten Ausführungsbeispiel eines Verfahrensschritts zur Herstellung eines Bauteilverbunds 100 oder einer Mehrzahl von Bauteilen 10. Im Unterschied hierzu befindet sich die

Halbleiterstruktur 20 in vertikaler Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat 9 und der Opferschicht 4. Die Opferschicht 4 kann eine auf der Halbleiterstruktur 20 epitaktisch

aufgebrachte Halbleiterschicht sein. Auch ist es möglich, dass die Opferschicht 4 verschieden von einer

Halbleiterschicht ist. Zum Beispiel kann die Opferschicht 4 eine Haftvermittlerschicht zwischen der Halbleiterstruktur 20 und dem Zwischenträger 90 sein, wie etwa in der Figur 4B dargestellt ist.

Gemäß Figur 4C wird das Aufwachssubstrat 9 von der

Halbleiterstruktur 20 entfernt. Weitere anschließende

Verfahrensschritte zur Herstellung des Bauteilverbunds 100 oder der Mehrzahl von Bauteilen 10 können durch die

Verfahrensschritte gemäß den Figuren 1A bis 1H gegeben sein.

Die in den Figuren 5A, 5B und 5C dargestellten

Ausführungsbeispiele entsprechen im Wesentlichen den in den Figuren 4A, 4B beziehungsweise 4C dargestellten

Ausführungsbeispielen einiger Verfahrensschritte zur

Herstellung eines Bauteilverbunds 100 oder einer Mehrzahl von Bauteilen 10. Im Unterschied hierzu wird vor dem Ausbilden der Opferschicht 4 eine Kontaktstruktur 6 auf der

Halbleiterstruktur 20 gebildet.

Die Kontaktstruktur 6 umfasst insbesondere eine

Kontaktschicht 62 zur elektrischen Kontaktierung der

Halbleiterschicht 22. Des Weiteren enthält die

Kontaktstruktur 6 eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen 60, die sich durch die Halbleiterschicht 22 und die aktive Zone 23 hindurch in die Halbleiterschicht 21 hinein erstreckt. Die Kontaktstruktur 6 weist außerdem eine Mehrzahl von

Kontaktschichten 61 auf, die jeweils mit einer

Durchkontaktierung 60 oder mit mehreren Durchkontaktierungen 60 elektrisch leitend verbunden sind. Die Kontaktschichten 61 und die Durchkontaktierungen 60 sind zur elektrischen

Kontaktierung der Halbleiterschicht 21 eingerichtet.

Für die elektrische Isolierung der Kontaktschichten 61 und der Durchkontaktierungen 60 von der aktiven Zone 23, der Halbleiterschicht 22 und von der weiteren Kontaktschicht 62 sorgt eine Isolierungsstruktur 5, die sich bereichsweise innerhalb der Halbleiterstruktur 20 und auf der

Halbleiterstruktur 20 befindet. Insbesondere befinden sich die Kontaktschicht 61, die weitere Kontaktschicht 62 und die Isolierungsschicht 5 zumindest bereichsweise auf derselben Seite der Halbleiterstruktur.

Weitere anschließende Verfahrensschritte zur Herstellung des Bauteilverbunds 100 oder der Mehrzahl von Bauteilen 10 können durch die Verfahrensschritte gemäß den Figuren 1B, IC und IG gegeben sein. Im Vergleich mit den in den Figuren IC, IG und 1H dargestellten Ausführungsbeispielen, weist ein gemäß den Figuren 5A bis 5C hergestelltes Bauteil 10 oder

Bauteilverbund 100 eine Kontaktstruktur 6 auf, die

insbesondere ausschließlich auf der Rückseite 2R des

Halbleiterkörpers 2 zugänglich ist.

Mit dem hier beschriebenen Verfahren können auf viele

Zwischenschritte zum Beispiel bezüglich der Befestigung, elektrischen Kontaktierung oder Zwischenlagerung der

Halbleiterkörper verzichtet werden. Außerdem können die Halbleiterkörper direkt auf einer Montagefläche eines

Trägers, der insbesondere Leiterplatte ist, aufgebracht werden, sodass kein weiterer Zwischenträger zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper benötigt wird. Die inneren mechanischen Verspannungen können dadurch reduziert werden. Die Halbleiterkörper können außerdem kleiner und dünner ausgestaltet sein, da zum Beispiel die Maske und die

Opferschicht auf vereinfachte Art und Weise entsprechend angepasst werden können. Eine Auskopplung der Strahlung über die Seitenflächen des Halbleiterkörpers kann ebenfalls erhöht werden. Außerdem besteht die Möglichkeit, dass das

Aufwachssubstrat wiederverwendet werden kann.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 108 701.5, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Ansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

100 Bauteilverbund

10 Bauteil

10R Rückseite des Bauteils

10V Vorderseite des Bauteils/

Strahlungsdurchtrittsfläche

1 Träger

11 Anschlussschicht

12 Anschlussschicht

13 elektrische Verbindung

2 Halbleiterkörper

20 Halbleiterstruktur

21 erste Halbleiterschicht

22 zweite Halbleiterschicht

23 aktive Zone

2R erste Hauptfläche des Halbleiterkörpers 2S Seitenfläche des Halbleiterkörpers

2V zweite Hauptfläche des Halbleiterkörpers

3 Halteelement

3R Reste des Halteelements

4 Opferschicht

41 erste Teilschicht der Opferschicht

42 zweite Teilschicht der Opferschicht

4K Einfuhrkanal

4T Trenngraben

4H Hohlraum

5 Isolierungsstruktur

Kontaktstruktur Kontaktschicht Durchkontaktierung Kontaktschicht

Maske

Stempel

Verbindungsschicht

Aufwachssubstrat Zwischenträger