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1. WO2020199155 - THIN FILM SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND RELATED OPERATION METHOD, AND HANDHELD APPARATUS HAVING FINGERPRINT SENSING FUNCTION

Publication Number WO/2020/199155
Publication Date 08.10.2020
International Application No. PCT/CN2019/081236
International Filing Date 03.04.2019
IPC
G06K 9/00 2006.01
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
9Methods or arrangements for reading or recognising printed or written characters or for recognising patterns, e.g. fingerprints
CPC
G06K 9/0002
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
9Methods or arrangements for reading or recognising printed or written characters or for recognising patterns, e.g. fingerprints
00006Acquiring or recognising fingerprints or palmprints
00013Image acquisition
0002by non-optical methods, e.g. by ultrasonic or capacitive sensing
Applicants
  • 深圳市汇顶科技股份有限公司 SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 文亚南 WEN, Ya-nan
  • 杨富强 YANG, Fu-chiang
  • 杨孟达 YANG, Meng-ta
Agents
  • 北京天驰君泰律师事务所 TIANTAI LAW FIRM
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) THIN FILM SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND RELATED OPERATION METHOD, AND HANDHELD APPARATUS HAVING FINGERPRINT SENSING FUNCTION
(FR) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT ASSOCIÉ, ET APPAREIL PORTATIF AYANT UNE FONCTION DE DÉTECTION D'EMPREINTE DIGITALE
(ZH) 薄膜半导体结构以及相关操作方法及具指纹感测功能的手持装置
Abstract
(EN)
Disclosed is a thin film semiconductor structure (12) coupled to a reading circuit (14) outside the thin film semiconductor structure, wherein the reading circuit includes a capacitor (142). The thin film semiconductor structure comprises: a substrate (11), and a sensing unit group provided on the substrate, wherein the sensing unit group and the reading circuit operate together during a sensing operation or a reading operation; the sensing unit group includes a plurality of sensing units (120 & 122); and each of the sensing units can be set, during the sensing operation, as a positive integral configuration or a negative integral configuration to generate a common sensing result, and the plurality of sensing units charge or discharge, during the reading operation, the capacitor of the reading circuit according to the common sensing result.
(FR)
L'invention concerne une structure semi-conductrice à film mince (12) couplée à un circuit de lecture (14) à l'extérieur de la structure semi-conductrice à film mince, le circuit de lecture comprenant un condensateur (142). La structure semi-conductrice à film mince comprend : un substrat (11), et un groupe d'unités de détection disposé sur le substrat, le groupe d'unités de détection et le circuit de lecture fonctionnent ensemble pendant une opération de détection ou une opération de lecture ; le groupe d'unités de détection comprend une pluralité d'unités de détection (120 & 122); et chacune des unités de détection peut être réglée, pendant l'opération de détection, sous la forme d'une configuration intégrale positive ou d'une configuration intégrale négative pour générer un résultat de détection commun, et la pluralité d'unités de détection chargent ou déchargent, pendant l'opération de lecture, le condensateur du circuit de lecture en fonction du résultat de détection commun.
(ZH)
本申请公开了一种薄膜半导体结构(12),耦接至所述薄膜半导体结构之外的读取电路(14),所述读取电路包含电容器(142)。所述薄膜半导体结构包括:基板(11);以及感测单元组,被配置在所述基板上,所述感测单元组与所述读取电路一同操作在感测操作或读取操作下,所述感测单元组包含多个感测单元所述感测单元组包含多个感测单元(120&122),所述各感测单元在所述感测操作下可被设置为正向积分组态或负向积分组态以产生共同感测结果,其中所述多个感测单元在所述读取操作下依据所述共同感测结果对所述读取电路的电容器充电或放电。
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