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1. WO2020198934 - SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTOR

Publication Number WO/2020/198934
Publication Date 08.10.2020
International Application No. PCT/CN2019/080407
International Filing Date 29.03.2019
IPC
G01T 1/24 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
24with semiconductor detectors
G01T 1/16 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
G01N 23/083 2018.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/-G01N17/178
02by transmitting the radiation through the material
06and measuring the absorption
083the radiation being X-rays
Applicants
  • SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • CAO, Peiyan
  • LIU, Yurun
Priority Data
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONS X À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract
(EN)
A semiconductor X-ray detector (100), comprising an X-ray absorption layer (110) comprising an electrode, an electronics layer (120) and a wall (130) sealing a space among electrical connections (131) between the X-ray absorption layer (110) and the electronics layer (120). The electronics layer (120) comprises: a first and second voltage comparators (301,302) configured to compare a voltage of an electrode to a first and second thresholds (V1,V2) respectively; a counter (320) configured to register a number of X-ray photons absorbed by the X-ray absorption layer (110); and a controller (310) configured to: start a time delay (TD1,TD2) from a time at which an absolute value of the voltage equals or exceeds an absolute value of the first threshold (V1); activate the second voltage comparator (302) during the time delay (TD1,TD2); cause the number registered by the counter (320) to increase by one, if, during the time delay (TD1,TD2), an absolute value of the voltage equals or exceeds an absolute value of the second threshold (V2).
(FR)
L'invention concerne un détecteur de rayons X à semi-conducteur (100), comprenant une couche d'absorption de rayons X (110) comprenant une électrode, une couche d'électronique (120) et une paroi (130) scellant un espace entre des connexions électriques (131) entre la couche d'absorption de rayons X (110) et la couche d'électronique (120). La couche d'électronique (120) comprend : des premier et second comparateurs de tension (301, 302) conçus pour comparer respectivement une tension d'une électrode à des premier et second seuils (V1, V2) ; un compteur (320) conçu pour enregistrer un certain nombre de photons de rayons X absorbés par la couche d'absorption de rayons X (110) ; et un dispositif de commande (310) conçu pour : démarrer un retard temporel (TD1, TD2) à partir d'un instant auquel une valeur absolue de la tension est égale ou supérieure à une valeur absolue du premier seuil (V1) ; activer le second comparateur de tension (302) pendant le retard temporel (TD1, TD2) ; amener le nombre enregistré par le compteur (320) à augmenter de un si, pendant le retard temporel (TD1, TD2), une valeur absolue de la tension est égale ou supérieure à une valeur absolue du second seuil (V2).
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