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1. WO2020196735 - INFRARED LED DEVICE

Publication Number WO/2020/196735
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/013622
International Filing Date 26.03.2020
IPC
H01L 33/02 2010.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
Applicants
  • ウシオオプトセミコンダクター株式会社 USHIO OPTO SEMICONDUCTORS, INC. [JP]/[JP]
Inventors
  • 杉山 徹 SUGIYAMA,Toru
  • 喜根井 聡文 KINEI,Satofumi
  • 飯塚 和幸 IIZUKA,Kazuyuki
  • 中村 薫 NAKAMURA,Kaoru
  • 佐々木 真二 SASAKI,Shinji
Agents
  • 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE
Priority Data
2019-06460228.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) INFRARED LED DEVICE
(FR) DISPOSITIF À DEL INFRAROUGE
(JA) 赤外LED素子
Abstract
(EN)
In the present invention, an infrared LED device is achieved which has a light emission wavelength exceeding 1000 nm and has more improved light extraction efficiency than the related art. The infrared LED device has: a substrate that includes InP and has a n-type dopant concentration of not less than 1×1017/cm3 and less than 3×1018/cm3; a first semiconductor layer that is formed on an upper layer of the substrate and exhibits an n-type; an active layer that is formed on an upper layer of the first semiconductor layer; a second semiconductor layer that is formed on an upper layer of the active layer and exhibits a p-type; a first electrode that is formed on a first surface, among the surfaces of the substrate, on a side opposite to a side on which the first semiconductor layer is formed; and a second electrode that is formed on an upper layer of the second semiconductor layer and is formed only in a partial region of the surface of the second semiconductor layer when viewed from a first direction orthogonal to the surface of the substrate, wherein the infrared LED device has a main light emission wavelength of 1000 nm or more.
(FR)
Dans la présente invention, un dispositif à DEL infrarouge est obtenu qui a une longueur d'onde d'émission de lumière dépassant 1000 nm et a une efficacité d'extraction de lumière améliorée par rapport à l'état de la technique associé. Le dispositif à DEL à infrarouge comprend : un substrat qui comprend de l'InP et a une concentration de dopant de type n qui n'est pas inférieure à 1×1017/cm3 et inférieure à 3×1018/cm3 ; une première couche semi-conductrice qui est formée sur une couche supérieure du substrat et présente un type n ; une couche active qui est formée sur une couche supérieure de la première couche semi-conductrice ; une seconde couche semi-conductrice qui est formée sur une couche supérieure de la couche active et présente un type p ; une première électrode qui est formée sur une première surface, parmi les surfaces du substrat, sur un côté opposé à un côté sur lequel la première couche semi-conductrice est formée ; et une seconde électrode qui est formée sur une couche supérieure de la seconde couche semi-conductrice et qui est formée uniquement dans une région partielle de la surface de la seconde couche semi-conductrice lorsqu'elle est vue depuis une première direction orthogonale à la surface du substrat, le dispositif à DEL Infrarouge ayant une longueur d'onde d'émission de lumière principale de 1000 nm ou plus.
(JA)
発光波長が1000nmを超え、光の取り出し効率を従来よりも向上した赤外LED素子を実現する。 赤外LED素子であって、InPを含んでなり、n型ドーパント濃度が1×1017/cm3以上、3×1018/cm3未満を示す基板と、基板の上層に形成されn型を示す第一半導体層と、第一半導体層の上層に形成された活性層と、活性層の上層に形成されp型を示す第二半導体層と、基板の面のうち第一半導体層が形成されている側とは反対側の第一面に形成された第一電極と、第二半導体層の上層に形成され基板の面に直交する第一方向から見たときに第二半導体層の面の一部領域にのみ形成された第二電極とを有し、主たる発光波長が1000nm以上を示す。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau