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1. WO2020195954 - AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Publication Number WO/2020/195954
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/011107
International Filing Date 13.03.2020
IPC
H01L 31/107 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
107the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode
Applicants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 山田 友輝 YAMADA, Yuki
  • 中島 史人 NAKAJIMA, Fumito
  • 松崎 秀昭 MATSUZAKI, Hideaki
  • 名田 允洋 NADA, Masahiro
Agents
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
Priority Data
2019-06285028.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
Abstract
(EN)
This avalanche photodiode comprises a substrate (101), a first n-type contact layer (102), a buffer layer (103), a multiplication layer (105), an electric field control layer (106), an absorbing layer (107), and a p-type contact layer (108). The buffer layer (103) includes an electrically conductive layer (104) formed in the central portion thereof. The substrate (101) comprises a semiconductor such as SiC having a higher thermal conductivity than InP. The first n-type contact layer (102) comprises the same semiconductor as the semiconductor of the substrate (101) and is formed to be n-type. The first n-type contact layer (102) includes an n electrode (111) formed thereon via a second n-type contact layer (109).
(FR)
L'invention concerne une photodiode à avalanche comprenant un substrat (101), une première couche de contact de type n (102), une couche tampon (103), une couche de multiplication (105), une couche de commande de champ électrique (106), une couche absorbante (107) et une couche de contact du type p (108). La couche tampon (103) comprend une couche électriquement conductrice (104) formée dans sa partie centrale. Le substrat (101) comprend un semi-conducteur tel que du SiC dont la conductivité thermique est supérieure à celle de l'InP. La première couche de type n (102) comporte le même semi-conducteur que celui du substrat (101) et est formée de façon à être du type n. La première couche de contact de type n (102) comprend une électrode n (111) formée sur celle-ci par l'intermédiaire d'une seconde couche de contact de type n (109).
(JA)
基板(101)、第1n型コンタクト層(102)、バッファ層(103)、増倍層(105)、電界制御層(106)、吸収層(107)、およびp型コンタクト層(108)を備える。バッファ層(103)の中央部には、導電層(104)が形成されている。基板(101)は、SiCなどのInPより高い熱伝導率を有する半導体から構成され、第1n型コンタクト層(102)は、基板(101)と同一の半導体から構成され、n型とされている。第1n型コンタクト層(102)の上に、第2n型コンタクト層(109)を介してn電極(111)が形成されている。
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