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1. WO2020195567 - PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD

Publication Number WO/2020/195567
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/008615
International Filing Date 02.03.2020
IPC
B23K 26/00 2014.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
B23K 26/53 2014.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
53for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
H01L 21/304 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Applicants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventors
  • 山下 陽平 YAMASHITA, Yohei
Agents
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
Priority Data
2019-06437828.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) 処理装置及び処理方法
Abstract
(EN)
This processing apparatus has: a holding unit that holds a processing body; a reforming unit that irradiates the inside of the processing body held by the holding unit with a laser beam to form a reforming layer along a surface direction; a rotating mechanism that relatively rotates the holding unit and the reforming unit; and a moving mechanism that relatively moves the holding unit and the reforming unit in a horizontal direction. While rotating the processing body held by the holding unit relative to the reforming unit by the rotating mechanism, the inside of the processing body is periodically irradiated with the laser beam from the reforming unit. Further, when the reforming unit is moved in a radial direction relative to the holding unit by the moving mechanism to form the reforming layer, a boundary position of the laser beam in the radial direction where a circumferential interval of the reforming layer becomes a desired threshold value is calculated, and in a movement direction of the reforming unit from the boundary position, a radial interval of the reforming layer is reduced and/or the frequency of the laser beam is reduced.
(FR)
L'invention concerne un appareil de traitement comprenant : une unité de maintien qui maintient un corps de traitement ; une unité de reformage qui irradie l'intérieur du corps de traitement maintenu par l'unité de maintien avec un faisceau laser pour former une couche de reformage le long d'une direction de surface ; un mécanisme de rotation qui fait tourner relativement l'unité de maintien et l'unité de reformage ; et un mécanisme de déplacement qui déplace relativement l'unité de maintien et l'unité de reformage dans une direction horizontale. Tout en faisant tourner le corps de traitement maintenu par l'unité de maintien par rapport à l'unité de reformage par le mécanisme rotatif, l'intérieur du corps de traitement est irradié périodiquement avec le faisceau laser provenant de l'unité de reformage. En outre, lorsque l'unité de reformage est déplacée dans une direction radiale par rapport à l'unité de maintien par le mécanisme de déplacement pour former la couche de reformage, une position limite du faisceau laser dans la direction radiale où un intervalle circonférentiel de la couche de reformage devient une valeur seuil souhaitée est calculée et, dans une direction de déplacement de l'unité de reformage à partir de la position limite, un intervalle radial de la couche de reformage est réduit et/ou la fréquence du faisceau laser est réduite.
(JA)
処理装置は、処理体を保持する保持部と、保持部に保持された処理体の内部にレーザ光を照射して、面方向に沿って改質層を形成する改質部と、保持部と改質部を相対的に回転させる回転機構と、保持部と改質部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、を有する。回転機構により改質部に対して保持部に保持された処理体を相対的に回転させながら、改質部から処理体の内部にレーザ光を周期的に照射し、さらに移動機構により保持部に対して改質部を相対的に径方向に移動させて、改質層を形成するにあたり、改質層の周方向間隔が所望閾値となる、レーザ光の径方向の境界位置を算出し、境界位置から改質部の移動方向において、改質層の径方向間隔を小さくする、及び/又は、レーザ光の周波数を小さくする。
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