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1. WO2020195523 - CHIP-TYPE CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Publication Number WO/2020/195523
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/008132
International Filing Date 27.02.2020
IPC
H01G 4/30 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
30Stacked capacitors
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 善哉 孝太 ZENZAI, Kota
Agents
  • 小柴 雅昭 KOSHIBA, Masaaki
Priority Data
2019-06290128.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) CHIP-TYPE CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE EN CÉRAMIQUE DE TYPE PUCE ET PROCÉDÉ DESTINÉ À LE FABRIQUER
(JA) チップ型セラミック電子部品およびその製造方法
Abstract
(EN)
Provided is a method for manufacturing a chip-type ceramic electronic component having an external electrode structure which can reduce electrical resistance to a greater extent than a resin electrode while protecting a ceramic body from cracks against stress caused by board deflection, etc. An external electrode (11) includes a glass-free sintered layer (12) that does not contain glass. A glass-free conductive paste, which contains a nickel powder, a metal (e.g., tin) powder having a melting point of lower than 500°C, and a thermosetting resin, but does not contain glass, is prepared, the glass-free conductive paste is applied to cover a portion of the surface of a ceramic body (3), and then the ceramic body (3) coated with the glass-free conductive paste is heat-treated at a temperature, which is 400°C higher than the curing temperature of the thermosetting resin, for example at 850°C. By heat treatment, the thermosetting resin is thermally decomposed or burned, leaving almost no residue, and the nickel powder and the metal powder having a melting point of lower than 500°C are sintered to form an integrated metal sintered body (13).
(FR)
L’invention concerne un procédé destiné à fabriquer un composant électronique en céramique de type puce ayant une structure d’électrode externe qui peut réduire la résistance électrique dans une plus grande mesure qu’une électrode en résine tout en protégeant un corps en céramique des fissures contre la contrainte causée par la déviation de cartes, etc. Une électrode externe (11) inclut une couche frittée dépourvue de verre (12) qui ne contient pas de verre. Une pâte conductrice dépourvue de verre, qui contient une poudre de nickel, une poudre de métal (p. ex. de l’étain) dont le point de fusion est inférieur à 500 °C, et une résine thermodurcissable, mais qui ne contient pas de verre, est préparée, la pâte conductrice dépourvue de verre est appliquée pour recouvrir une partie d’une surface d’un corps en céramique (3), et puis le corps en céramique (3) recouvert de la pâte conductrice dépourvue de verre est traité thermiquement à une température, laquelle est supérieure de 400 °C à la température de durcissement de la résine thermodurcissable, par exemple à 850 °C. Lors du traitement thermique, la résine thermodurcissable est décomposée thermiquement ou brûlée, ne laissant presque aucun résidu, et la poudre de nickel et la poudre de métal dont le point de fusion est inférieur à 500 °C sont frittées pour former un corps fritté en métal intégré (13).
(JA)
基板のたわみなどが原因の応力に対してセラミック素体をクラックから守るとともに、樹脂電極よりも電気抵抗を低くすることができる外部電極構造を有するチップ型セラミック電子部品の製造方法を提供する。 外部電極(11)は、ガラスを含まないガラス非含有焼結層(12)を含む。ニッケル粉末、融点が500℃未満の錫などの金属粉末および熱硬化性樹脂を含むが、ガラスを含まない、ガラス非含有導電性ペーストを用意し、これをセラミック素体(3)の表面の一部を覆うように塗布し、次いで、ガラス非含有導電性ペーストが塗布されたセラミック素体(3)を、熱硬化性樹脂の硬化温度より400℃高い温度以上の温度、たとえば850℃で熱処理する。熱処理によって、熱硬化性樹脂は熱分解または燃焼してほとんど残らず、ニッケル粉末および融点が500℃未満の金属粉末は焼結し一体化した金属焼結体(13)を形成する。
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