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1. WO2020195355 - UNDERLYING SUBSTRATE

Publication Number WO/2020/195355
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/006312
International Filing Date 18.02.2020
IPC
C30B 29/16 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
C30B 23/08 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
08by condensing ionised vapours
Applicants
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 福井 宏史 FUKUI Hiroshi
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
Agents
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
Priority Data
2019-06360228.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) UNDERLYING SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SOUS-JACENT
(JA) 下地基板
Abstract
(EN)
Provided is a high-quality underlying substrate comprising an alignment layer that is used for crystal growth of an oxide or a nitride of a group-13 element, wherein crystal defects (dislocations) are significantly reduced in the alignment layer. This underlying substrate comprises an alignment layer that is used for crystal growth of an oxide or a nitride of a group-13 element, wherein a surface of the alignment layer on the side used for crystal growth is formed of a material having a corundum crystal structure having an a-axis length and/or a c-axis length greater than those of sapphire, and a plurality of air holes are present in the alignment layer.
(FR)
L'invention concerne un substrat sous-jacent de haute qualité comprenant une couche d'alignement qui est utilisée pour la croissance cristalline d'un oxyde ou d'un nitrure d'un élément du groupe 13, les défauts cristallins (dislocations) étant significativement réduits dans la couche d'alignement. Ce substrat sous-jacent comprend une couche d'alignement qui est utilisée pour la croissance cristalline d'un oxyde ou d'un nitrure d'un élément du groupe 13, une surface de la couche d'alignement sur le côté utilisé pour la croissance cristalline étant formée d'un matériau ayant une structure cristalline de corindon présentant une longueur d'axe a et/ou une longueur d'axe c supérieures à celles du saphir et une pluralité de trous d'air sont présents dans la couche d'alignement.
(JA)
13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備え、当該配向層における結晶欠陥(転位)が顕著に低減された、高品質の下地基板が提供される。この下地基板は、13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備えており、配向層の結晶成長に用いられる側の表面が、サファイアよりも大きいa軸長及び/又はc軸長を有するコランダム型結晶構造を有する材料で構成されており、かつ、配向層中に複数の気孔が存在するものである。
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