Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020195324 - SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Publication Number WO/2020/195324
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/006029
International Filing Date 17.02.2020
IPC
H01L 31/0747 2012.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells
H01L 21/306 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Applicants
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 中野邦裕 NAKANO Kunihiro
Agents
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
  • 加藤 竜太 KATO Ryuta
Priority Data
2019-06265228.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTOPILE
(JA) 太陽電池の製造方法
Abstract
(EN)
Provided is a solar cell manufacturing method with which it is possible to suppress reduction in the performance of a solar cell and damage to the appearance of the solar cell even when the manufacturing process is simplified. The solar cell manufacturing method is a method for manufacturing a back contact solar cell, the method including: a first semiconductor layer forming step of forming a patterned semiconductor layer of a first conductivity type and a lift-off layer in a first region on a rear side of a semiconductor substrate; a second semiconductor layer material film forming step of forming a material film of a semiconductor layer of a second conductivity type on the lift-off layer in the first region and in a second region on the rear side of the semiconductor substrate; and a second semiconductor layer forming step of forming a patterned semiconductor layer of the second conductivity type in the second region by removing the lift-off layer. In the second semiconductor layer forming step, the semiconductor substrate is brought into contact with an etching solution with the rear side of the semiconductor substrate facing the surface of the etching solution, and the semiconductor substrate is conveyed on the surface of the etching solution.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de photopile grâce auquel il est possible de supprimer la réduction des performances d'une photopile et les dommages causés à l'apparence de la photopile même lorsque le processus de fabrication est simplifié. Le procédé de fabrication de photopile est un procédé de fabrication d'une photopile à contact arrière, le procédé comprenant : une première étape de formation de couche semi-conductrice consistant à former une couche semi-conductrice à motifs d'un premier type de conductivité et une couche de décollement dans une première région sur un côté arrière d'un substrat semi-conducteur ; une seconde étape de formation de film de matériau de couche semi-conductrice consistant à former un film de matériau d'une couche semi-conductrice d'un second type de conductivité sur la couche de décollement dans la première région et dans une seconde région sur le côté arrière du substrat semi-conducteur ; et une seconde étape de formation de couche semi-conductrice consistant à former une couche semi-conductrice à motifs du second type de conductivité dans la seconde région en retirant la couche de décollement. Dans la seconde étape de formation de couche semi-conductrice, le substrat semi-conducteur est mis en contact avec une solution de gravure avec le côté arrière du substrat semi-conducteur faisant face à la surface de la solution de gravure, et le substrat semi-conducteur est transporté sur la surface de la solution de gravure.
(JA)
製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池の性能低下および太陽電池の外観が損なわれることを抑制する太陽電池の製造方法を提供する。太陽電池の製造方法は、裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面側における第1領域に、パターン化された第1導電型半導体層およびリフトオフ層を形成する第1半導体層形成工程と、半導体基板の裏面側における第1領域のリフトオフ層および第2領域の上に、第2導電型半導体層の材料膜を形成する第2半導体層材料膜形成工程と、リフトオフ層を除去することにより、第2領域に、パターン化された第2導電型半導体層を形成する第2半導体層形成工程と、を含む。第2半導体層形成工程では、半導体基板の裏面側をエッチング溶液の液面に対面させて着液させ、エッチング溶液の液面上において半導体基板を搬送させる。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau