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1. WO2020195214 - FERROELECTRIC MEMORY AND MEMORY ELEMENT THEREFOR

Publication Number WO/2020/195214
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/004574
International Filing Date 06.02.2020
IPC
H01L 27/11507 2017.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11502with ferroelectric memory capacitors
11507characterised by the memory core region
G11C 11/22 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
Applicants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 奥野 潤 OKUNO, Jun
  • 小林 俊之 KOBAYASHI, Toshiyuki
Agents
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
Priority Data
2019-05426722.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) FERROELECTRIC MEMORY AND MEMORY ELEMENT THEREFOR
(FR) MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ASSOCIÉ
(JA) 強誘電体メモリおよびそのメモリ素子
Abstract
(EN)
The purpose of the present invention is to lower the applied voltage required when writing and reading a ferroelectric memory. This ferroelectric capacitor is provided with a ferroelectric film, and an upper electrode and a lower electrode which are respectively formed on top and bottom of the ferroelectric film and are made of material with different work functions. A transistor connects to the upper electrode or the lower electrode to select the ferroelectric capacitor. When reading and writing, a drive control unit applies to the ferroelectric film a voltage lower than when erasing by a predetermined potential difference.
(FR)
L'objet de la présente invention est de réduire la tension appliquée nécessaire lors de l'écriture et de la lecture d'une mémoire ferroélectrique. Ce condensateur ferroélectrique est pourvu d'un film ferroélectrique, et d'une électrode supérieure ainsi que d'une électrode inférieure qui sont respectivement formées sur le dessus et le dessous du film ferroélectrique et sont constituées d'un matériau ayant différentes fonctions de travail. Un transistor se connecte à l'électrode supérieure ou à l'électrode inférieure pour sélectionner le condensateur ferroélectrique. Lors de la lecture et de l'écriture, une unité de commande d'entraînement applique au film ferroélectrique une tension inférieure à celle appliquée lors de l'effacement par une différence de potentiel prédéterminée.
(JA)
強誘電体メモリにおいて、書込み時および読出し時に要する印加電圧の低電圧化を図る。 強誘電体キャパシタは、強誘電体膜と、強誘電体膜の上下に形成された互いに仕事関数が異なる材料からなる上部電極および下部電極とを備える。トランジスタは、上部電極および下部電極の何れかに接続して、強誘電体キャパシタを選択する。駆動制御部は、書込み時および読出し時には消去時よりも所定の電位差だけ低い電圧を強誘電体膜に印加する。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau