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1. WO2020194592 - BONDING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2020/194592
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2019/013325
International Filing Date 27.03.2019
IPC
H01L 21/52 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/06-H01L21/326162
52Mounting semiconductor bodies in containers
B23K 35/22 2006.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
35Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
22characterised by the composition or nature of the material
Applicants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 山▲崎▼ 浩次 YAMAZAKI, Koji
  • 田村 嘉男 TAMURA, Yoshio
Agents
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) BONDING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE DE LIAISON, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 接合構造体およびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法
Abstract
(EN)
The present invention is a bonding structure which is used in a semiconductor device, and which is characterized by containing Cu particles, a compound that contains a noble metal, Cu and Su, a compound that contains a noble metal and Sn, and a compound that contains Sn and an organic component. In addition, a semiconductor device which comprises a semiconductor element and a substrate, and which is characterized in that the semiconductor element and the substrate are bonded with each other by means of this bonding structure. The present invention is able to provide: a bonding structure which has improved heat resistance and is not susceptible to decrease in the bonding strength even under heat cycles, thereby having excellent bonding reliability; a semiconductor device which uses this bonding structure; and a method for producing a semiconductor device.
(FR)
La présente invention est une structure de liaison qui est utilisée dans un dispositif à semi-conducteur, et qui est caractérisée en ce qu'elle contient des particules de Cu, un composé qui contient un métal noble, du Cu et Su, un composé qui contient un métal noble et du Sn, et un composé qui contient Sn et un composant organique. De plus, un dispositif à semi-conducteur qui comprend un élément semi-conducteur et un substrat, et qui est caractérisé en ce que l'élément semi-conducteur et le substrat sont liés l'un à l'autre au moyen de cette structure de liaison. La présente invention peut fournir : une structure de liaison qui présente une résistance à la chaleur améliorée et qui n'est pas susceptible de diminuer la force de liaison même dans des cycles thermiques, ce qui permet d'obtenir une excellente fiabilité de liaison ; un dispositif à semi-conducteur qui utilise cette structure de liaison ; et un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur.
(JA)
この発明は半導体装置に用いられる接合構造体であって、Cu粒子、貴金属とCuとSnとを有する化合物、貴金属とSnとを有する化合物、およびSnと有機成分とを有する化合物を含むことを特徴とする。また、半導体素子と基板とを有する半導体装置であって、 半導体素子と基板とは、この接合構造体で接合されていることを特徴とする。本発明によれば、耐熱性が向上するとともに、ヒートサイクル環境下でも接合強度が低下し難い、接合信頼性に優れた接合構造体およびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供することができる。
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