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1. WO2020194366 - NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY CELL, NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY DEVICE, AND MONITORING METHOD

Publication Number WO/2020/194366
Publication Date 01.10.2020
International Application No. PCT/JP2019/011989
International Filing Date 22.03.2019
IPC
G11C 15/04 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
15Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
04using semiconductor elements
G11C 11/16 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Applicants
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 柿沼 裕二 KAKINUMA Yuji
Agents
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
  • 荒 則彦 ARA Norihiko
  • 飯田 雅人 IIDA Masato
  • 荻野 彰広 OGINO Akihiro
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY CELL, NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY DEVICE, AND MONITORING METHOD
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE ASSOCIATIVE NON VOLATILE, DISPOSITIF DE MÉMOIRE ASSOCIATIVE NON VOLATILE, ET PROCÉDÉ DE SURVEILLANCE
(JA) 不揮発性連想メモリセル、不揮発性連想メモリ装置、及びモニター方法
Abstract
(EN)
This non-volatile associative memory cell is provided with: one magnetoresistive element which contains a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a non-magnetic layer; a first match line which is connected to the magnetoresistive element; and a second match line which is connected to the magnetoresistive element. The magnetoresistive element is provided with a first member and a second member at least partially stacked on the first member in a first direction. The first member has a first electrode and a second electrode. The first ferromagnetic layer is included in the first member or the second member, the non-magnetic layer is laminated in the first direction, and the direction of magnetization inside of the first ferromagnetic layer changes when a current flows between the first electrode and the second electrode in the first member. The second member includes the non-magnetic layer and the second ferromagnetic layer laminated on the non-magnetic layer in the first direction. The resistance value of the magnetoresistive element changes depending on change in the relative angle between the direction of magnetization of the first ferromagnetic layer and the direction of magnetization of the second ferromagnetic layer, and an electric potential corresponding to the potential of the second ferromagnetic layer is applied to the first match line and to the second match line.
(FR)
L'invention concerne une cellule de mémoire associative non volatile qui comprend : un élément magnétorésistif qui contient une première couche ferromagnétique, une seconde couche ferromagnétique et une couche non magnétique ; une première ligne de correspondance qui est connectée à l'élément magnétorésistif ; et une seconde ligne de correspondance qui est connectée à l'élément magnétorésistif. L'élément magnétorésistif est pourvu d'un premier élément et d'un second élément au moins partiellement empilé sur le premier élément dans une première direction. Le premier élément comprend une première électrode et une seconde électrode. La première couche ferromagnétique est comprise dans le premier élément ou le second élément, la couche non magnétique est stratifiée dans la première direction, et la direction de magnétisation à l'intérieur de la première couche ferromagnétique change lorsqu'un courant circule entre la première électrode et la seconde électrode dans le premier élément. Le second élément comprend la couche non magnétique et la seconde couche ferromagnétique stratifiée sur la couche non magnétique dans la première direction. La valeur de résistance de l'élément magnétorésistif change en fonction du changement de l'angle relatif entre la direction de magnétisation de la première couche ferromagnétique et la direction de magnétisation de la seconde couche ferromagnétique, et un potentiel électrique correspondant au potentiel de la seconde couche ferromagnétique est appliqué à la première ligne de correspondance et à la seconde ligne de correspondance.
(JA)
第1強磁性層と第2強磁性層と非磁性層を含む1個の磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子と接続される第1マッチラインと、磁気抵抗効果素子と接続される第2マッチラインとを備え、磁気抵抗効果素子は、第1部材と、第1部材に対して第1方向に少なくとも一部が積層された第2部材と、を備え、第1部材は、第1電極と第2電極を有し、第1強磁性層は、第1部材又は第2部材に含まれ、第1方向に非磁性層が積層され、第1部材において第1電極と第2電極との間に電流が流れた場合、第1強磁性層の内部の磁化の方向が変化し、第2部材は、非磁性層と、非磁性層に対して第1方向に積層される第2強磁性層とを含み、磁気抵抗効果素子の抵抗値は、第1強磁性層の磁化の方向と第2強磁性層の磁化の方向との相対角の変化に応じて変化し、第1マッチライン及び第2マッチラインのそれぞれには、第2強磁性層の電位に応じた電位が印加される、不揮発性連想メモリセル。
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