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1. WO2020193268 - ISOLATED DC/DC CONVERTER WITH SECONDARY-SIDE FULL BRIDGE DIODE RECTIFIER AND ASYMMETRICAL AUXILIARY CAPACITOR

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ DE ]

Patentansprüche

1. Spannungswandler für Gleichstrom mit einer Schaltungsbrücke, umfassend einen ersten, zweiten, dritten und vierten Leistungsschalter (S-i, S2, S3, S4), die jeweils einen Steueranschluss (G1, G2, G3, G4 ) und jeweils eine zwischen zwei Leistungsanschlüssen (Li, Li’; L2, L2’; L3, L3’; L4, L4’) verlaufende Laststrecke aufweisen, wobei die Laststrecken des ersten und zweiten Leistungsschalters (S1, S2) an einem ersten Schaltungsknoten (K1) verbunden und die Laststrecken des dritten und vierten Leistungsschalters (S3, S4) an einem zweiten Schaltungsknoten (K2) verbunden und jeweils in Reihe zwischen den Klemmen für eine Eingangsgleichspannung (Uein) geschaltet sind, und mit einem Transformator (TR), dessen Primärwicklung (PW) mit den ersten und zweiten Schaltungsknoten (K1, K2) verbunden ist, und dessen Sekundärwicklung (SW) eine

Vollbrückengleichrichteranordnung (GL) nachgeschaltet ist,

dadurch gekennzeichnet,

dass an einen Gleichrichterzweig (GL2) der

Vollbrückengleichrichteranordnung (GL) ein Kondensator (CK)

asymmetrisch angeschaltet ist.

2. Spannungswandler nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator (CK) über einen vorgeschalteten Schaltkontakt (SK) eines elektromechanischen oder elektronischen Schaltelements (Rel) von dem Gleichrichterzweig (GL2) abtrennbar ist.

3. Spannungswandler nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass an den Gleichrichterzweig (GL2) langsam schaltende elektronische Schalter und an den anderen Gleichrichterzweig (GL-i) schnell schaltende

elektronische Schalter angeschlossen sind.

4. Spannungswandler nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Leistungsschalter (S-i, S2) durch MOSFETs gebildet sind, und dass die dritten und vierten Leistungsschalter (S3, S4) durch IGBTs gebildet sind.

5. Spannungswandler nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die durch IGBTs gebildeten dritten und vierten Leistungsschalter (S3, S4) in einem zumindest nahezu stromlosen Zustand geschaltet werden, und dass die durch MOSFETs gebildeten ersten und zweiten Leistungsschalter (S1, S2) in einem zunächst spannungslosen Zustand bei maximalem Stromfluss geschaltet werden.

6. Spannungswandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zu den durch MOSFETs gebildeten ersten und zweiten Leistungsschaltern (S1, S2) jeweils eine durch zumindest einen

Kondensator gebildete Kapazität (Ci, C2) geschaltet ist.

7. Spannungswandler nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungswandler zumindest zeitweise im diskontinuierlichen Modus betrieben wird.