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1. WO2020192121 - DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

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说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125   0126   0127   0128   0129   0130   0131   0132   0133   0134   0135   0136   0137   0138   0139   0140   0141   0142   0143   0144   0145   0146   0147   0148   0149   0150   0151   0152   0153   0154  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   32   33  

附图

1A   1B   2A   2B   2C   3A   3B   3C   3D   4A   4B   5A   5B   5C   6   7   8A   8B   8C   9A   9B   9C   10A   10B   10C   11A   11B   12A   12B   13A   13B   14A   14B   14C  

说明书

发明名称 : 显示基板及其制备方法

技术领域

[0001]
本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法。

背景技术

[0002]
目前,显示器件的显示屏正往大屏化、全屏化方向发展。通常,显示器件(例如手机、平板电脑等)具有摄像装置(或成像装置),该摄像装置通常设置在显示屏显示区域外的一侧。但是,由于摄像装置的安装需要一定的位置,因此不利于显示屏的全屏化、窄边框设计。例如,可以将摄像装置与显示屏的显示区域结合在一起,在显示区域中为摄像装置预留位置,以获得显示屏显示区域的最大化。
[0003]
发明内容
[0004]
本公开至少一实施例提供一种显示基板,该显示基板包括显示区、阻隔区和开孔区,所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区,所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间,其中,所述阻隔区包括从所述显示区到所述开孔区方向依次排列的第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙,所述第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙围绕所述开孔区;所述第一阻隔墙包括第一金属层结构,所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口;所述第一拦截墙包括第一绝缘层结构;所述第二阻隔墙包括第二金属层结构和第一叠层结构,所述第二金属层结构位于所述第一叠层结构上,所述第二金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口,所述第一叠层结构包括具有金属层和绝缘层的叠层。
[0005]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第二金属层结构与所述第一金属层结构具有相同的结构,并且包括相同的材料。
[0006]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括衬底基板,其中,所述显示区包括薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层,层间绝缘层和源漏电极;所述存储电容包括第一极板和第二极板,所述第一极板与所述栅极同层设置,所述第二极板在 所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间;所述第一金属层结构、所述第二金属层结构与所述源漏电极同层设置。
[0007]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一叠层结构的叠层包括依次设置在所述衬底基板上的第一金属子层、第一绝缘子层、第二金属子层以及第二绝缘子层,所述第一金属子层与所述栅极同层设置,所述第一绝缘子层与所述栅绝缘层同层设置,所述第二金属子层与所述第二极板同层设置,所述第二绝缘子层与所述层间绝缘层同层设置。
[0008]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一阻隔墙还包括第二绝缘层结构,所述第一金属层结构位于所述第二绝缘层结构上,所述第二绝缘层结构至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层设置。
[0009]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括设置在所述衬底基板上的阻挡层和缓冲层,其中,所述第二绝缘层结构包括叠层设置的第一部分和第二部分,所述第一部分至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层设置,所述第二部分至少与所述阻挡层和所述缓冲层同层设置。
[0010]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第二绝缘层结构的纵截面整体呈阶梯状。
[0011]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述显示区还包括:用于平坦化所述薄膜晶体管的平坦化层,在所述平坦化层远离所述薄膜晶体管一侧的像素界定层,所述像素界定层用于界定多个像素单元,以及在所述像素界定层远离所述平坦层一侧的隔垫物;所述第一拦截墙的所述第一绝缘层结构与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物中的至少一种同层设置。
[0012]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括封装层,其中,所述封装层至少封装所述第一阻隔墙。
[0013]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述封装层包括在所述第一阻隔墙上依次叠层设置的第一无机封装层,第一有机封装层以及第二无机封装层。
[0014]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括第一有机绝缘层,其中,所述第一有机绝缘层至少覆盖所述第二阻隔墙。
[0015]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述阻隔区还包括与所述第一拦截墙相邻且在所述第一拦截墙远离所述显示区一侧的第二拦截墙, 所述第二拦截墙高于所述第一拦截墙。
[0016]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第二拦截墙与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物同层设置。
[0017]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述阻隔区还包括第三拦截墙和第二有机绝缘层,所述第三拦截墙在所述第二拦截墙远离所述显示区的一侧,所述第二有机绝缘层在所述第二拦截墙与所述第三拦截墙之间且覆盖所述第二阻隔墙。
[0018]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第三拦截墙和所述第二拦截墙具有相同的结构,并且包括相同的材料。
[0019]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述阻隔区还包括信号线引线,所述信号线引线电连接所述显示区的信号线,所述信号线引线在所述第一阻隔墙的靠近所述显示区的一侧。
[0020]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括:图像传感器和/或红外传感器,其中,所述图像传感器和/或红外传感器结合于所述衬底基板,并且在所述衬底基板上的正投影与所述开孔区至少部分重叠。
[0021]
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法,包括:形成显示区、阻隔区和开孔区,其中,所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区,所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间;其中,形成所述阻隔区包括形成从所述显示区到所述开孔区方向依次排列的第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙,所述第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙围绕所述开孔区;所述第一阻隔墙包括第一金属层结构,所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口;所述第一拦截墙包括第一绝缘层结构;所述第二阻隔墙包括第二金属层结构和第一叠层结构,所述第一叠层结构位于所述第一叠层结构上,所述第二金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口,所述第一叠层结构包括金属层和绝缘层的叠层。
[0022]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,所述第二金属层结构与所述第一金属层结构采用相同的材料并通过相同的构图工艺形成。
[0023]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括:提供衬底基板;其中,形成所述显示区包括在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和存储电容,形成所述薄膜晶体管包括在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘 层,层间绝缘层和源漏电极;形成所述存储电容包括形成第一极板和第二极板,所述第一极板与所述栅极同层形成,所述第二极板形成在所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间;所述第一金属层结构、所述第二金属层结构与所述源漏电极同层形成。
[0024]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,形成所述第一叠层结构包括在所述衬底基板上依次形成第一金属子层、第一绝缘子层、第二金属子层以及第二绝缘子层,以得到所述第一叠层结构的叠层,其中,所述第一金属子层与所述栅极同层形成,所述第一绝缘子层与所述栅绝缘层同层形成,所述第二金属子层与所述第二极板同层形成,所述第二绝缘子层与所述层间绝缘层同层形成。
[0025]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,所述第一阻隔墙还包括第二绝缘层结构,所述第一金属层结构形成在所述第二绝缘层结构上,所述第二绝缘层结构至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层形成。
[0026]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括:在所述衬底基板上形成阻挡层和缓冲层,所述第二绝缘层结构包括叠层设置的第一部分和第二部分,所述第一部分至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层形成,所述第二部分至少与所述阻挡层和所述缓冲层同层形成。
[0027]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括形成位于所述显示区一侧的弯折区,其中,形成所述弯折区包括刻蚀位于所述弯折区的绝缘层以形成凹槽,所述凹槽与所述第二绝缘层结构通过相同的刻蚀工艺形成。
[0028]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,位于所述弯折区的绝缘层包括从所述显示区延伸到所述弯折区的阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层,当所述第二绝缘层结构包括叠层设置的第一部分和第二部分时,通过第一刻蚀工艺同时刻蚀位于所述弯折区和所述阻隔区的所述栅绝缘层和所述层间绝缘层,并通过第二刻蚀工艺同时刻蚀位于所述弯折区和所述阻隔区的所述阻挡层和所述缓冲层,以形成所述凹槽和所述第二绝缘层结构。
[0029]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,形成所述显示区还包括:形成用于平坦化所述薄膜晶体管的平坦化层,在所述平坦化层 远离所述薄膜晶体管的一侧形成像素界定层,所述像素界定层用于界定多个像素单元,以及在所述像素界定层远离所述平坦层的一侧形成隔垫物,其中,所述第一拦截墙的所述第一绝缘层结构与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物中的至少一种同层形成。
[0030]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括形成至少封装所述第一阻隔墙的封装层,形成所述封装层包括在所述第一阻隔墙上依次形成第一无机封装层,第一有机封装层以及第二无机封装层;其中,所述第一有机封装层采用喷墨打印的方式形成。
[0031]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括在所述第二阻隔墙上形成第一有机绝缘层,所述第一有机绝缘层至少覆盖所述第二阻隔墙。
[0032]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,形成所述阻隔区还包括形成与所述第一拦截墙相邻且在所述第一拦截墙远离所述显示区一侧的第二拦截墙,所述第二拦截墙高于所述第一拦截墙。
[0033]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,所述第二拦截墙与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物同层形成。
[0034]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,形成所述阻隔区还包括形成第三拦截墙和第二有机绝缘层,所述第三拦截墙形成在所述第二拦截墙远离所述显示区的一侧,所述第二有机绝缘层形成在所述第二拦截墙与所述第三拦截墙之间且覆盖所述第二阻隔墙。
[0035]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,通过喷墨打印的方式形成所述第二有机绝缘层。
[0036]
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中,所述第二有机绝缘层与覆盖所述第一阻隔墙的第一有机封装层在相同的喷墨打印工艺中形成。

附图说明

[0037]
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
[0038]
图1A为一种显示基板的平面示意图;
[0039]
图1B为图1A中的显示基板沿A-A线的截面示意图;
[0040]
图2A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图;
[0041]
图2B为图2A中的显示基板沿B-B线的截面示意图;
[0042]
图2C为图2A中的显示基板沿C-C线的截面示意图;
[0043]
图3A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一阻隔墙的截面示意图;
[0044]
图3B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一拦截墙的截面示意图;
[0045]
图3C为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第二阻隔墙的截面示意图;
[0046]
图3D为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第二拦截墙的截面示意图;
[0047]
图4A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的部分截面示意图;
[0048]
图4B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第二阻隔墙的另一截面示意图;
[0049]
图5A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的部分截面示意图;
[0050]
图5B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一阻隔墙的另一截面示意图;
[0051]
图5C为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第二阻隔墙的另一截面示意图;
[0052]
图6为图2A中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图;
[0053]
图7为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中阻隔区的平面示意图;
[0054]
图8A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中弯折区的截面示意图;
[0055]
图8B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中弯折区的另一截面示意图;
[0056]
图8C为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中弯折区弯折后的截面示意图;以及
[0057]
图9A-图9C、图10A-图10C、图11A-图11B、图12A-图12B、图13A-图13B以及图14A-图14C为本公开至少一实施例提供的一种显示基板在制 备过程中的截面示意图。

具体实施方式

[0058]
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
[0059]
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0060]
为实现显示装置的显示区域的最大化,可以将显示装置所具有的摄像装置(成像装置)与显示区域整合在一起,将摄像装置布置在显示区域之中。
[0061]
例如,图1A示出了一种用于显示装置的显示基板的平面示意图,图1B为图1A中的显示基板沿A-A线的截面示意图。如图1A所示,显示基板10包括显示区域12,显示区域12包括像素阵列且具有在像素阵列中的开孔11,该开孔11为摄像装置(未示出)预留位置,摄像装置可以设置在该显示基板10的与显示侧相对的背侧,从而摄像装置可以通过开孔11获取图像。由此,将摄像装置与显示基板10的显示区域12整合在一起。
[0062]
显示区域12具有用于显示的发光器件,例如该发光器件为有机发光二极管,显示区域12的全部或部分中的多个发光器件具有的有机材料层13和电极层14通常在显示区域12中形成为一整面,因此采用封装层15进行封装时,位于开孔11附近的区域往往难以被封装,或者即使被封装,也难以保证该区域的封装效果。此时,如图1B所示,例如水、氧等杂质可以从开孔11沿整面形成的有机功能层13和电极层14进入到显示区域12内部,污 染显示区域12中的功能材料,导致这些功能材料的性能退化,进而影响显示区域12的显示效果。
[0063]
本公开至少一实施例提供一种显示基板,该显示基板包括显示区、阻隔区和开孔区,显示区和阻隔区围绕开孔区,阻隔区位于显示区和开孔区之间;阻隔区包括从显示区到开孔区方向依次排列的第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙,第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙围绕开孔区;第一阻隔墙包括第一金属层结构,第一金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有凹口;第一拦截墙包括第一绝缘层结构;第二阻隔墙包括第二金属层结构和第一叠层结构,第二金属层结构位于第一叠层结构上,第二金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有凹口,第一叠层结构包括具有金属层和绝缘层的叠层。该显示基板可以有效地防止水氧等杂质从开孔区进入到显示基板的显示区,从而可以提高显示基板的信赖性。
[0064]
下面通过几个具体的实施例对本公开一些实施例的显示基板及其制备方法进行说明。
[0065]
本公开至少一实施例提供一种显示基板,图2A示出了该显示基板100的平面示意图,图2B为图2A中的显示基板沿B-B线的截面示意图,即显示基板100的阻隔区201的截面示意图。
[0066]
如图2A和图2B所示,该显示基板100包括显示区101、阻隔区201和开孔区301,显示区101和阻隔区201围绕开孔区301,阻隔区201位于显示区101和开孔区301之间。显示区101包括像素阵列,以实现显示。开孔区301允许来自显示基板100的显示侧的光传输通过显示基板100,从而到达显示基板100的背侧。阻隔区201包括从显示区101到开孔区301方向(即图2B中的从右至左的方向)依次排列的第一阻隔墙202、第一拦截墙203以及第二阻隔墙204,第一阻隔墙202、第一拦截墙203以及第二阻隔墙204均围绕开孔区301。阻隔区201可以隔离显示区101与开孔区301,从而达到保护显示区101的作用。
[0067]
例如,图3A示出了一种第一阻隔墙202的截面示意图;图3B示出了一种第一拦截墙203的截面示意图;图3C示出了一种第二阻隔墙204的截面示意图。
[0068]
如图2B和图3A所示,第一阻隔墙202包括第一金属层结构202B,第一金属层结构202B的围绕开孔区301的至少一个侧面具有凹口。例如,第 一金属层结构202B面向开孔区301的侧面和背离开孔区301的侧面均具有凹口,即图2B和图3A示出的情况,在其他示例中,也可以在第一金属层结构202B的一个侧面具有凹口。第一阻隔墙202可以断开显示基板上整面形成的功能层,例如发光器件的有机材料层以及阴极层等(稍后详述)。
[0069]
如图2B和图3B所示,第一拦截墙203包括第一绝缘层结构,第一绝缘层结构例如包括多个子绝缘层的叠层,图2B和图3B示出为包括两个子绝缘层2031和2032的叠层。第一拦截墙203可以拦截显示区101中形成的一些功能层(例如有机封装层,稍后详述),防止这些功能层的材料靠近或进入开孔区301。
[0070]
如图2B和图3C所示,第二阻隔墙204包括第二金属层结构204B和第一叠层结构204A,第二金属层结构204B位于第一叠层结构204A上,第二金属层结构204B的围绕开孔区301的至少一个侧面具有凹口。例如,第二金属层结构204B的面向开孔区301的侧面和背离开孔区301的侧面均具有凹口,即图2B和图3C示出的情况,在其他示例中,也可以在第二金属层结构204B的一个侧面具有凹口。例如,第一叠层结构204A包括具有金属层和绝缘层的叠层。第二阻隔墙204也可以断开显示基板上整面形成的功能层,从而与第一阻隔墙202一起达到双重阻隔效果,此时,即使第一阻隔墙202和第二阻隔墙204中的一个失效,第一阻隔墙202和第二阻隔墙204中的另一个也会实现阻隔效果;另外,第二阻隔墙204靠近开孔区301,在例如通过冲压或者切割等方式形成开孔区301时,第二阻隔墙204还可以防止形成开孔区301时可能产生的裂纹进行扩展,从而避免裂纹延伸至显示区101。
[0071]
例如,第一阻隔墙202、第一拦截墙203以及第二阻隔墙204的个数可以为一个或者多个,图2B中示出两个第一阻隔墙202、一个第一拦截墙203以及一个第二阻隔墙204作为示例,但这并不构成对本公开实施例的限制。
[0072]
例如,在一些示例中,第二阻隔墙204的第二金属层结构204B与第一阻隔墙202的第一金属层结构202B具有相同的结构,并且包括相同的材料。由此,在显示基板的制备工艺中,第二阻隔墙204的第二金属层结构204B与第一阻隔墙202的第一金属层结构202B可以通过相同的材料层通过相同的构图工艺形成,以简化显示基板的制备工艺。
[0073]
图2C为图2A中的显示基板沿C-C线的截面示意图,即显示基板100 的显示区101的部分截面示意图。如图2C所示,显示基板100还包括衬底基板1011。显示区101包括用于进行显示操作的像素阵列,该像素阵列包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括驱动电路和发光器件等。驱动电路包括薄膜晶体管102和存储电容103等结构。薄膜晶体管102包括依次设置在衬底基板1011上的有源层1021、栅极1022、栅绝缘层1014(例如包括第一栅绝缘层1014A和第二栅绝缘层1014B),层间绝缘层1015和源漏电极(包括源极1023和漏极1024)。存储电容103包括第一极板1031和第二极板1032。例如,第一极板1031与栅极1022同层设置,第二极板1032在栅绝缘层1014和层间绝缘层1015之间。例如,第一阻隔墙202的第一金属层结构202B、第二阻隔墙204的第二金属层结构204B与源漏电极1023和1024同层设置。
[0074]
本公开的实施例中,两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺(例如构图工艺等)形成,从而可以简化显示基板的制备工艺。
[0075]
例如,在图2C示出的示例中,源漏电极1023和1024均具有三层金属层结构,例如钛/铝/钛、钼/铝/钼、钛/铜/钛或者钼/铜/钼等三层金属层结构,此时,第一金属层结构202B的三个金属子层2023/2024/2025以及第二金属层结构204B的三个金属子层2045/2046/2047分别与源漏电极1023和1024的三层金属层一一对应且材料相同。由此,第一金属层结构202B、第二金属层结构204B与源漏电极1023和1024可以采用相同的三层金属材料层并利用相同的构图工艺形成。
[0076]
例如,在一些实施例中,如图3C所示,第二阻隔墙204的第一叠层结构204A的叠层包括依次设置在衬底基板1011上的第一金属子层2041、第一绝缘子层2042、第二金属子层2043以及第二绝缘子层2044。例如,第一金属子层2041与栅极1022同层设置,第一绝缘子层2042与栅绝缘层1014同层设置,第二金属子层2043与第二极板1032同层设置,第二绝缘子层2044与层间绝缘层1015同层设置。由此,这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成,以简化显示基板的制备工艺。
[0077]
例如,第二阻隔墙204的形式可以为多种。例如,在一些示例中,如图4A和图4B所示,第二阻隔墙204的第一绝缘子层2042和第二绝缘子层2044可以与第一金属子层2041和第二金属子层2043具有相同的图案,从而在图 4B中体现为具有相同的宽度。此时,在制备工艺中,第一绝缘子层2042和第二绝缘子层2044可以通过进一步的刻蚀工艺以形成相应的图案。
[0078]
例如,在一些实施例中,如图3A所述,第一阻隔墙202还可以包括第二绝缘层结构202A,第一金属层结构202B位于第二绝缘层结构202A上,第二绝缘层结构202A至少与栅绝缘层1014和层间绝缘层1015同层设置。例如,第二绝缘层结构202A包括多个绝缘子层,例如图3A中示出为包括绝缘子层2021和2022。例如,绝缘子层2021与栅绝缘层1014同层设置,绝缘子层2022与层间绝缘层1015同层设置,从而在制备工艺中这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。第二绝缘层结构202A的设置可增强第一阻隔墙202的阻隔效果,并有利于之后在第一阻隔墙202上例如通过沉积等方式形成的第一无机封装层1051(稍后介绍)可以更好地沿第一阻隔墙202的表面形貌形成。
[0079]
例如,如图3A所示,第一阻隔墙202的宽度W1可以为2μm-4μm,例如3μm或者3.5μm等。类似地,第二阻隔墙204的宽度也可以为2μm-4μm,例如3μm或者3.5μm等,本公开的实施例对各结构的尺寸不做具体限定,只要可以实现相应的功能即可。
[0080]
例如,如图2C所示,显示基板100的显示区101还包括平坦化层1016、像素界定层1017以及隔垫物1018。平坦化层1016用于平坦化薄膜晶体管102,像素界定层1017在平坦化层1016远离薄膜晶体管102的一侧,像素界定层1017用于界定多个像素单元。隔垫物1018在像素界定层1017远离平坦层1016的一侧。例如,第一拦截墙203的第一绝缘层结构与平坦化层1016、像素界定层1017和隔垫物1018中的至少一种同层设置。
[0081]
例如,如图3B所示,第一拦截墙203包括多个绝缘子层,图3B中示出为包括绝缘子层2031和2032。例如,绝缘子层2031和2032与平坦化层1016、像素界定层1017和隔垫物1018中的两种一一对应且同层设置。例如,绝缘子层2031与平坦化层1016同层设置,绝缘子层2032与像素界定层1017同层设置;或者,绝缘子层2031与平坦化层1016同层设置,绝缘子层2032与隔垫物1018同层设置;或者,绝缘子层2031与像素界定层1017同层设置,绝缘子层2032与隔垫物1018同层设置。由此,在制备工艺中这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。
[0082]
例如,在一些实施例中,阻隔区201还可以包括与第一拦截墙203相邻 且在第一拦截墙203远离显示区101一侧的第二拦截墙205,第二拦截墙205高于第一拦截墙203。由此,第二拦截墙205与第一拦截墙203一起可以达到双重拦截效果。
[0083]
例如,在一些示例中,如图3D所示,第二拦截墙205包括多个绝缘子层,图3D中示出为包括绝缘子层2051、2052和2053,例如,绝缘子层2051与平坦化层1016同层设置,绝缘子层2052和像素界定层1017同层设置,绝缘子层2053与隔垫物1018同层设置。由此,在制备工艺中,这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。在上述设置中,第二拦截墙205高于第一拦截墙203,可以起到充分的拦截功能,并且第二拦截墙205与第一拦截墙203一起可以达到双重拦截效果。
[0084]
例如,如图2C所示,显示基板100还可以包括设置在衬底基板1011上的阻挡层1012和缓冲层1013,阻挡层1012可以防止水氧等杂质从衬底基板1011渗入到薄膜晶体管102等功能结构中,缓冲层1013可以提供平坦的表面,以便于显示基板其他功能层的设置。阻挡层1012和缓冲层1013可以共同对衬底基板1011上的其他功能结构起到保护作用。
[0085]
例如,第一阻隔墙202和第二阻隔墙204的结构还可以包括与阻挡层1012和缓冲层1013同层设置的结构。
[0086]
例如,在一些示例中,如图5A和图5B所示,第一阻隔墙202的第二绝缘层结构202A包括叠层设置的第一部分(包括绝缘子层2021和2022)和第二部分(包括绝缘子层2026和2027),第一部分至少与栅绝缘层1014和层间绝缘层1015同层设置,第二部分至少与阻挡层1012和缓冲层1013同层设置。由此,在制备工艺中,这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。
[0087]
例如,第二绝缘层结构202A的第一部分和第二部分的宽度不同,例如第二部分宽于第一部分,从而第二绝缘层结构202A的纵截面整体呈阶梯状,如图5B所示。
[0088]
例如,在一些示例中,衬底基板上包括的阻挡层和缓冲层的个数可以为更多个,此时,第二绝缘层结构202A的第二部分可以与更多个阻挡层和缓冲层同层设置。另外,为示出清楚以及简明,阻隔区201(以及后面介绍的弯折区401)中栅绝缘层1014在附图只示出为一层。
[0089]
例如,如图5A和图5C所示,第二阻隔墙204的第一叠层结构204A也 可以包括两个部分,称为第三部分(包括第一金属子层2041、第一绝缘子层2042、第二金属子层2043以及第二绝缘子层2044)和第四部分(包括绝缘子层2048和2049),例如,第四部分与第一阻隔墙的第二绝缘层结构202A的第二部分以及阻挡层1012和缓冲层1013同层设置。由此,在制备工艺中,这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。
[0090]
例如,第三部分和第四部分的宽度不同,例如第四部分宽于第三部分,从而第一叠层结构204A的纵截面整体呈阶梯状。
[0091]
当第一阻隔墙202的第二绝缘层结构202A和第二阻隔墙204的第一叠层结构204A的纵截面整体呈阶梯状时,在其上例如通过沉积等方式形成的第一无机封装层1051(稍后介绍)可以更好地沿第一阻隔墙202和第二阻隔墙204的表面形貌形成,而不会出现侧面断裂等不良情况,从而使第一无机封装层1051具有更好的完整性,进而提供更好的封装效果。
[0092]
需要注意的是,为清楚且简明起见,图4A和图5A仅示出了衬底基板1011上的第一阻隔墙202、第一拦截墙203、第二阻隔墙204以及第二拦截墙205的结构,但是,该显示基板还可以包括如图2B示出的其他结构,具体可参照图2B,在此不再赘述。
[0093]
例如,如图2C所示,显示区101中每个像素单元包括的发光器件104包括阳极层1041,发光层1042以及阴极层1043。阳极层1041通过平坦层1016中的过孔连接到薄膜晶体管的源极1023。例如,阴极层1043在衬底基板1011上整面形成,并在第一阻隔墙202和第二阻隔墙204处断开。例如,阳极层1041与发光层1042之间以及阴极层1043与发光层1042之间还可以包括有助于发光层1042发光的辅助发光层(图中未示出),例如包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的一种或多种。辅助发光层例如为有机材料层。例如,辅助发光层也可以在衬底基板1011上整面形成,并在第一阻隔墙202和第二阻隔墙204处断开。
[0094]
由此,当位于靠近开孔区301一侧的辅助发光层和阴极层1043被水、氧等杂质污染时,由于辅助发光层和阴极层1043被第一阻隔墙202和第二阻隔墙204断开,使得这些污染杂质不会延伸至辅助发光层和阴极层1043的用于发光器件进行发光的部分中。例如,第一阻隔墙202和第二阻隔墙204的顶部上也形成有部分的辅助发光层和阴极层1043,但是这些部分与其他部分相分离。
[0095]
例如,如图2B和图2C所示,显示基板100还可以包括封装层105,封装层105至少封装第一阻隔墙202,例如,在一些示例中,封装层105同时封装显示区101以及第一阻隔墙202。
[0096]
例如,封装层105包括在第一阻隔墙202上依次叠层设置的第一无机封装层1051,第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053。例如,第一无机封装层1051在显示基板上整面形成,由于第一拦截墙203的拦截作用,第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053终止于第一拦截墙203。
[0097]
例如,在一些实施例中,显示基板100还可以包括第一有机绝缘层206,第一有机绝缘层206至少覆盖第二阻隔墙204。例如,第一有机绝缘层206设置在第二拦截墙205与开孔区301之间。第一有机绝缘层206可以保护第二阻隔墙204,并且也可以起到防止水氧等杂质从开孔区301进入显示区101的功能;另外,第一有机绝缘层206具有一定的高度,当显示基板100上覆盖了偏光片以及盖板等结构后,第一有机绝缘层206可以在开孔区301周围对偏光片以及盖板等结构起到支撑作用,防止偏光片以及盖板等结构在开孔区301产生塌陷等不良现象。
[0098]
例如,在一些实施例中,为了进一步增强阻隔区201的阻隔效果,如图6所示,阻隔区201还可以包括第三拦截墙207和第二有机绝缘层208。第三拦截墙207在第二拦截墙205远离显示区101的一侧,第二有机绝缘层208在第二拦截墙205与第三拦截墙207之间且覆盖第二阻隔墙204。由此,第三拦截墙207和第二有机绝缘层208提供了进一步的阻隔效果,使得阻隔区201可以充分隔离开孔区301和显示区101,防止水氧等杂质从开孔区301进入显示区101,并防止形成开孔区301时可能形成的裂纹扩展至显示区101。
[0099]
例如,第三拦截墙207和第二拦截墙205具有相同的结构,并且包括相同的材料。由此,第三拦截墙207和第二拦截墙205可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。例如,第二有机绝缘层208与封装层1015的第一有机封装层1052的材料相同,例如可以通过相同的喷墨打印工艺形成。
[0100]
例如,在一些实施例中,如图7所示,阻隔区201还包括信号线引线210,信号线引线210电连接显示区101的信号线,信号线引线210在第一阻隔墙202的靠近101显示区的一侧。例如,阻隔区201包括多条信号线引线210,以分别与显示区101中的数据线、扫描线或者电源线等信号线电连接,以实 现开孔区301周围的布线。
[0101]
例如,在一些实施例中,如图2B所示,显示基板100还可以包括:图像传感器和/或红外传感器501,图像传感器和/或红外传感器501结合于显示基板100的非显示侧,并且在衬底基板1011上的正投影与开孔区301至少部分重叠。由此,图像传感器和/或红外传感器501可以通过开孔区301实现拍照、面部识别、红外感应等多种功能。
[0102]
例如,在一些示例中,显示基板100可以为柔性显示基板,此时,衬底基板1011可以为聚酰亚胺(PI)等柔性绝缘材料。例如,如图2A所示,显示基板100还可以包括位于显示区101一侧的弯折区401。
[0103]
例如,图8A示出了一种弯折区401未弯折时的截面示意图,图8B示出了弯折区401未弯折时的另一截面示意图;图8C示出了弯折区401弯折后的截面示意图,该截面示意图例如通过沿图2A中的D-D线剖切得到。
[0104]
如图8A所示,弯折区401包括设置在衬底基板1011上的绝缘层4011,绝缘层4011包括分别从显示区延伸到弯折区401的阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014以及层间绝缘层1015等,绝缘层4011上例如具有走线(未示出)以及保护层4013等。例如,显示基板100的非显示侧具有驱动芯片以及电路板等驱动结构,显示区101的驱动电路可通过弯折区401的走线电连接到位于显示基板100非显示侧的驱动结构,从而该驱动结构可以实现对显示基板100显示区101的显示控制。
[0105]
例如,绝缘层4011中具有凹槽4012,凹槽4012中填充有应力缓和材料,例如,应力缓和材料包括柔性有机材料,可缓和弯折区401在弯折时产生的应力,如图8C所示。例如,绝缘层4011中的凹槽4012可以贯穿绝缘层4011中的一个或者多个绝缘子层,例如图8A中示出凹槽4012贯穿栅绝缘层1014以及层间绝缘层1015,从而可以通过刻蚀栅绝缘层1014以及层间绝缘层1015形成。在图8B中,凹槽4012贯穿阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014以及层间绝缘层1015,从而可以通过刻蚀阻挡层1012、缓冲层1013栅绝缘层1014以及层间绝缘层1015形成。
[0106]
例如,凹槽4012可以与第一阻隔墙202的第二绝缘层结构202A以及第二阻隔墙204的第一叠层结构204A中的绝缘子层通过相同的刻蚀工艺形成,该刻蚀工艺可以为一次刻蚀工艺或者两次刻蚀工艺。例如,当绝缘层4011的厚度较厚时,可以采用两次刻蚀工艺分别刻蚀不同的功能层,以提高刻蚀 工艺的精度,并获得所需的刻蚀形貌。
[0107]
本公开实施例提供的显示基板中,阻隔区201可以充分隔离显示区101与开孔区301,有效防止水氧等杂质从开孔区301进入到显示区101,并且还可以防止形成开孔区301时可能产生的裂纹扩展至显示区101,提高了显示基板的信赖性。
[0108]
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法,该制备方法可以制备上述显示基板100。该制备方法包括:形成显示区、阻隔区和开孔区。显示区和阻隔区围绕开孔区,阻隔区位于显示区和开孔区之间。形成阻隔区包括形成从显示区到开孔区方向依次排列的第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙,第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙围绕开孔区。第一阻隔墙包括第一金属层结构,第一金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有凹口。第一拦截墙包括第一绝缘层结构。第二阻隔墙包括第二金属层结构和第一叠层结构,第一叠层结构位于第一叠层结构上,第二金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有凹口,第一叠层结构包括金属层和绝缘层的叠层。
[0109]
下面,以形成图2A-图2C所示的显示基板100为例,对本公开实施例提供的显示基板的制备方法进行介绍。
[0110]
首先,提供衬底基板1011,例如,当显示基板100为柔性显示基板时,所提供的衬底基板1011可以为聚酰亚胺(PI)等柔性基板,当显示基板为刚性基板时,衬底基板1011可以为玻璃、石英等刚性基板。本实施例以形成柔性显示基板为例进行介绍,此时,该柔性显示基板例如具有弯折区401。
[0111]
如图9A-图9C所示,首先在衬底基板1011上形成用于显示区101、阻隔区201以及弯折区401的功能层,并为开孔区301预留位置,以便于显示区101、阻隔区201以及弯折区401的功能层形成完成后,通过例如冲压或者切割等方式形成开孔区301。
[0112]
例如,可以通过沉积等方法在衬底基板1011上依次形成阻挡层1012和缓冲层1013。例如,阻挡层1012和缓冲层1013可以整面形成在衬底基板1011上。例如,阻挡层1012可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料,缓冲层1013也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。
[0113]
例如,在阻挡层1012和缓冲层1013形成之后,如图9A所示,在显示 区101形成薄膜晶体管102以及存储电容103等结构,如图9B所示,在阻隔区201形成第二阻隔墙204的第一叠层结构204A,如图9C所示,在弯折区401形成弯折区绝缘层4011。
[0114]
例如,如图9A-图9C所示,采用构图工艺在衬底基板1011上形成有源层1021;在有源层1021上通过沉积等方式形成第一栅绝缘层1014A;在第一栅绝缘层1014A上采用构图工艺同时形成栅极1022、第一极板1031以及第一金属子层2041;在栅极1022、第一极板1031以及第一金属子层2041上通过沉积等方式形成第二栅绝缘层1014B;采用构图工艺同时形成第二极板1032以及第二金属子2043;在第二极板1032以及第二金属子2043上采用沉积等方式形成层间绝缘层1015;然后,刻蚀栅绝缘层1014以及层间绝缘层1015以形成暴露有源层1021的过孔。例如,一次构图工艺包括光刻胶的形成、曝光、显影以及刻蚀等工艺。
[0115]
此时,第二阻隔墙204的第一金属子层2041与栅极1022同层形成,第一绝缘子层2042与栅绝缘层1014同层形成,第二金属子层2043与第二极板1032同层形成,第二绝缘子层2044与层间绝缘层1015同层形成。由此简化了显示基板的制备工艺。
[0116]
例如,栅极211、第一极板1031以及第一金属子层2041的材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料。在制备时,首先采用溅射或者蒸镀等方式形成一层栅极材料层,然后对栅极材料层进行构图工艺,以形成图案化的栅极211、第一极板1031以及第一金属子层2041。同层形成的其他结构的形成方式与此类似,因此不再赘述。
[0117]
例如,有源层1021可以采用多晶硅和金属氧化物等材料,栅绝缘层1014可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料,第二极板1032以及第二金属子层2043可以采用铝、钛、钴等金属或者合金材料,层间绝缘层1015可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。本公开的实施例对各功能层的材料不做限定,各功能层的材料并不局限于上述示例。
[0118]
例如,如图10A和图10B所示,可以采用一次刻蚀工艺刻蚀位于阻隔区201以及位于弯折区401的栅绝缘层1014和层间绝缘层1015,从而形成第一阻隔墙202的第二绝缘层结构202A,并同时形成位于弯折区401的凹槽4012。由此,第二绝缘层结构202A包括与栅绝缘层1014同层形成的子绝缘层2021和与层间绝缘层1015同层形成的子绝缘层2022。例如,弯折区 401的凹槽4012形成后,可以在凹槽4012中填充应力缓和材料,例如聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。
[0119]
此时,第二绝缘层结构202A与栅绝缘层1014和层间绝缘层1015同层形成,并且第二绝缘层结构202A还与位于弯折区401的绝缘层4011通过相同的刻蚀工艺形成。由此简化了显示基板的制备工艺。
[0120]
例如,在另一实施例中,显示基板的制备方法还可以形成如图5B示出的第一阻隔墙202和如图5C示出的第二阻隔墙204。此时,可以通过第一刻蚀工艺同时刻蚀位于弯折区401和阻隔区201的栅绝缘层1014和层间绝缘层1015,并通过第二刻蚀工艺同时刻蚀位于弯折区401和阻隔区201的阻挡层1012和缓冲层1013,以形成贯穿阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014和层间绝缘层1015的凹槽4012(例如图10C示出的情形),并同时形成包括第一部分(包括绝缘子层2021和2022)和第二部分(包括绝缘子层2026和2027)的第二绝缘层结构202A以及包括第三部分(包括第一金属子层2041、第一绝缘子层2042、第二金属子层2043以及第二绝缘子层2044)和第四部分(包括绝缘子层2048和2049)的第一叠层结构204A。
[0121]
由此,第二绝缘层结构202A的第一部分、第一叠层结构204A的第三部分中的绝缘子层与栅绝缘层1014和层间绝缘层1015同层形成,并与弯折区401的凹槽4012的一部分通过相同的刻蚀工艺(第一刻蚀工艺)刻蚀形成;第二绝缘层结构202A的第二部分、第一叠层结构204A的第四部分与阻挡层1012和缓冲层1013同层形成,并与弯折区401的凹槽4012的另一部分通过相同的刻蚀工艺(第二刻蚀工艺)刻蚀形成。由于阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014和层间绝缘层1015的总体厚度较厚,通过两次刻蚀工艺分别刻蚀其中的一部分有利于刻蚀工艺的顺利进行,并有利于保证最终的刻蚀形貌。
[0122]
如图10A所示,在上述刻蚀工艺中,还可以同时刻蚀阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014和层间绝缘层1015靠近开孔区301的部分,(即图10A中的左侧虚线框示出的部分)。由于阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014和层间绝缘层1015中的部分或者全部采用无机绝缘材料制成,由于无机绝缘材料具有脆性,在通过例如冲压或者切割等方式形成开孔区301时容易形成裂纹,因此将阻挡层1012、缓冲层1013、栅绝缘层1014和层间绝缘层1015靠近开孔区301的部分去除,可以避免形成开孔区301时在这 些层中产生裂纹。
[0123]
如图11A和图11B所示,在层间绝缘层1015中的过孔形成后,形成源极1023和漏极1024以及第一阻隔墙202的第一金属层结构202B和第二阻隔墙204的第二金属层结构204B。
[0124]
例如,源极1023和漏极1024可以形成为多层金属结构,例如三层金属层结构。例如,在一个示例中,可以采用溅射或者蒸镀等方式依次形成钛材料层、铝材料层以及钛材料层,然后采用同一次构图工艺对三个材料层进行构图,从而形成构成源极1023和漏极1024的钛/铝/钛3三层金属结构,同时形成侧面齐平的初始第一金属层结构和初始第二金属层结构。然后,通过一次刻蚀工艺刻蚀侧面齐平的初始第一金属层结构和初始第二金属层结构,以形成侧面具有凹口的第一金属层结构202B和第二金属层结构204B。例如,该刻蚀工艺使用的刻蚀液仅对第一金属层结构202B和第二金属层结构204B的中间层具有刻蚀效果或者对中间层的刻蚀速率大于对其他层的刻蚀速率,从而该刻蚀工艺可以形成第一金属层结构202B和第二金属层结构204B的凹口。
[0125]
由此,源极1023和漏极1024以及第一阻隔墙202的第一金属层结构202B和第二阻隔墙204的第二金属层结构204B同层形成,简化了显示基板的制备工艺。
[0126]
如图12A和图12B所示,在薄膜晶体管102以及存储电容103的各膜层形成完成后,依次形成平坦化层1016、阳极层1041、像素界定层1017和隔垫物1018,并同时形成第一拦截墙203和第二拦截墙205。
[0127]
例如,通过构图工艺同层形成平坦化层1016、第一拦截墙203的绝缘子层2031和第二拦截墙205绝缘子层2051。例如,平坦化层1016、第一拦截墙203的绝缘子层2031和第二拦截墙205绝缘子层2051材料的可以采用聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。形成的平坦化层1016中具有过孔,以便之后形成的阳极层1041通过该过孔与源极1023电连接。
[0128]
例如,在显示区101的平坦化层1016上采用构图工艺形成阳极层1041,阳极层1041通过平坦化层1016中的过孔与源极1023电连接。例如,阳极层1041的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。
[0129]
例如,通过构图工艺同层形成像素界定层1017、第一拦截墙203的绝缘 子层2032和第二拦截墙205的绝缘子层2052。像素界定层1017中具有暴露阳极层1041的开口,以便之后形成发光器件的发光层1042以及阴极层1043等结构。例如,像素界定层1017、第一拦截墙203的绝缘子层2032和第二拦截墙205的绝缘子层2052的材料可以包括聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。
[0130]
例如,通过构图工艺同层形成隔垫物1018和第二拦截墙205的绝缘子层2053。隔垫物1018和第二拦截墙205的绝缘子层2053的材料包括聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。此时,第二拦截墙205的子绝缘层数量多于第一拦截墙203的子绝缘层数量,因此第二拦截墙205高于第一拦截墙203。
[0131]
在上述示例中,第一拦截墙203与平坦化层1016、像素界定层1017同层形成,第二拦截墙205与平坦化层1016、像素界定层1017和隔垫物108同层形成,简化了显示基板的制备工艺。例如,在其他示例中,第二拦截墙205也可以与平坦化层1016和隔垫物108同层形成,或者与像素界定层1017和隔垫物108同层形成,本公开的实施例对此不做限定。
[0132]
例如,如图13A和图13B所示,可以通过喷墨打印或者蒸镀等方式在像素界定层1017的开口中形成发光层1042,然后形成阴极层1043。例如,发光层1042与阳极层1041之间或者发光层1042与阴极层1043之间还可以形成辅助发光层(未示出),辅助发光层例如包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴传输层中的一种或多种。阴极层1043和辅助发光层例如在显示基板上整面形成,并且在第一阻隔墙202以及第二阻隔墙204处断开。
[0133]
例如,发光层1042的材料和辅助发光层的材料为有机材料,发光层1042的材料可根据需求选择可发出某一颜色光(例如红光、蓝光或者绿光等)的发光材料。阴极层1043的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金,或者IZO、ZTO等金属氧化物,又或者PEDOT/PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。
[0134]
此时,当阴极层1043和辅助发光层的靠近开孔区301的部分被污染时,由于阴极层1043和辅助发光层被第一阻隔墙202以及第二阻隔墙204断开,水、氧等杂质不会扩散、延伸至阴极层1043和辅助发光层的用于发光的部分。
[0135]
如图14A-图14B所示,发光器件104形成后,可以在显示区201以及 第一阻隔墙202上形成封装层105。例如,形成封装层105包括在第一阻隔墙202上以及显示区201中依次形成第一无机封装层1051,第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053。例如,第一无机封装层1051和第二无机封装层1053采用沉积等方式形成。第一有机封装层1052采用喷墨打印的方式形成。如图14B所示,由于第一拦截墙203的拦截作用,第一有机封装层1052终止于第一拦截墙203。
[0136]
例如,在一些实施例中,由于喷墨打印工艺中,喷墨打印的范围难以控制等原因,在喷墨打印形成第一有机封装层1052时可能会使打印墨水流到第一拦截墙203外侧,甚至还流到第二拦截墙205外侧,使得第一有机封装层1052延伸至开孔区301,成为水氧传输的通道,使得显示区101被污染。此时,可以采用打印内缩控制并边缘补充打印的方式形成第一有机封装层1052。
[0137]
例如,如图14B所示,可以将喷墨打印的边界内缩到D点,D点在第一拦截墙203靠近显示区101的一侧,例如D点与第一拦截墙203的距离选择为50μm-70μm,例如60μm,此时,先以D点为打印边界进行喷墨打印。然后,再对D点与第一拦截墙203之间的范围进行边缘补充打印。由此喷墨打印过程更容易控制,并容易形成理想的第一有机封装层1052。
[0138]
例如,第一无机封装层1051和第二无机封装层1053可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成,第一有机封装层1052可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。由此,第一无机封装层1051,第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053形成为复合封装层,该复合封装层可以对显示区201的功能结构以及第一阻隔墙202等结构形成多重保护,具有更好的封装效果。
[0139]
例如,如图14B所示,还可以在第二阻隔墙204上通过涂覆等方式形成第一有机绝缘层206,第一有机绝缘层206至少覆盖第二阻隔墙204。例如,第一有机绝缘层206形成在第二拦截墙205与开孔区301之间。第一有机绝缘层206可以保护第二阻隔墙204,并且第一有机绝缘层20也可以起到防止水氧等杂质从开孔区301进入显示区101的功能;另外,第一有机绝缘层206具有一定的高度,可以对之后形成在显示基板100上的偏光片以及盖板等结构起到支撑作用,防止偏光片以及盖板等结构在开孔区301产生塌陷等不良现象。
[0140]
例如,如图14C所示,弯折区401的绝缘层4011上也形成有保护层4013,该保护层4013例如可以与第一有机绝缘层206同层形成,以简化制备工艺。
[0141]
本公开的一些实施例中,根据需要,显示区101、阻隔区201以及弯折区401中还可以形成其他必要的功能膜层,这些膜层可采用常规方法形成,在此不再赘述。
[0142]
例如,在显示区101形成完成后,可以采用激光切割或者机械冲压的方式对形成开孔区301。开孔区301贯穿衬底基板1011,开孔区301处可以安装图像传感器、红外传感器等结构,并与例如中央处理器等信号连接。例如,该图像传感器或者红外传感器等结构可以设置在衬底基板1011的远离发光器件的一侧(即显示基板的非显示侧),并可通过开孔区301实现拍照、面部识别、红外感应等多种功能。
[0143]
例如,在开孔区301形成后,还可以在显示基板上形成偏光片、盖板等结构,本公开的实施例对此不做限定。
[0144]
例如,在一些实施例中,第一阻隔墙202、第一拦截墙203、第二阻隔墙204、第二拦截墙205等可以形成为多个,从而使阻隔区201具有更好的阻隔效果。本公开的实施例对第一阻隔墙202、第一拦截墙203、第二阻隔墙204、第二拦截墙205等结构的个数不做限定。
[0145]
例如,本公开实施例提供的显示基板的制备方法还可以形成如图6所示的显示基板,此时,形成阻隔区201还包括形成第三拦截墙207和第二有机绝缘层208。第三拦截墙207形成在第二拦截墙205远离显示区101的一侧,第二有机绝缘层208形成在第二拦截墙205与第三拦截墙207之间且覆盖第二阻隔墙204。
[0146]
例如,第三拦截墙207与第二拦截墙205同层形成,并且具有相同的结构,第三拦截墙207的具体形成方式可参见上述实施例描述的第二拦截墙205的形成方式,在此不再赘述。
[0147]
例如。可以通过喷墨打印的方式形成第二有机绝缘层208,例如,第二有机绝缘层208与第一有机封装层1052在相同的喷墨打印工艺中形成,以简化显示基板的制备工艺。
[0148]
本公开实施例提供的制备方法形成的显示基板包括阻隔区,该阻隔区包括多个阻隔墙以及阻挡墙,可以充分隔离显示区与开孔区,并且避免形成开孔区时可能形成的裂纹扩展至显示区,由此提高了显示基板的信赖性。
[0149]
本公开实施例提供的显示基板或者利用本公开实施例提供的制备方法得到的显示基板可以用于显示装置中,该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本公开的实施例对此不做限定。
[0150]
还有以下几点需要说明:
[0151]
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
[0152]
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
[0153]
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
[0154]
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

权利要求书

[权利要求 1]
一种显示基板,包括显示区、阻隔区和开孔区,所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区,所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间,其中,所述阻隔区包括从所述显示区到所述开孔区方向依次排列的第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙,所述第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙围绕所述开孔区; 所述第一阻隔墙包括第一金属层结构,所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口; 所述第一拦截墙包括第一绝缘层结构; 所述第二阻隔墙包括第二金属层结构和第一叠层结构,所述第二金属层结构位于所述第一叠层结构上,所述第二金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口,所述第一叠层结构包括具有金属层和绝缘层的叠层。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第二金属层结构与所述第一金属层结构具有相同的结构,并且包括相同的材料。
[权利要求 3]
根据权利要求1或2所述的显示基板,还包括衬底基板,其中,所述显示区包括薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层,层间绝缘层和源漏电极;所述存储电容包括第一极板和第二极板,所述第一极板与所述栅极同层设置,所述第二极板在所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间; 所述第一金属层结构、所述第二金属层结构与所述源漏电极同层设置。
[权利要求 4]
根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第一叠层结构的叠层包括依次设置在所述衬底基板上的第一金属子层、第一绝缘子层、第二金属子层以及第二绝缘子层, 所述第一金属子层与所述栅极同层设置,所述第一绝缘子层与所述栅绝缘层同层设置,所述第二金属子层与所述第二极板同层设置,所述第二绝缘子层与所述层间绝缘层同层设置。
[权利要求 5]
根据权利要求3或4所述的显示基板,其中,所述第一阻隔墙还包括第二绝缘层结构,所述第一金属层结构位于所述第二绝缘层结构上, 所述第二绝缘层结构至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层设置。
[权利要求 6]
根据权利要求5所述的显示基板,还包括设置在所述衬底基板上的 阻挡层和缓冲层, 其中,所述第二绝缘层结构包括叠层设置的第一部分和第二部分,所述第一部分至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层设置,所述第二部分至少与所述阻挡层和所述缓冲层同层设置。
[权利要求 7]
根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述第二绝缘层结构的纵截面整体呈阶梯状。
[权利要求 8]
根据权利要求3-7任一所述的显示基板,其中,所述显示区还包括: 用于平坦化所述薄膜晶体管的平坦化层, 在所述平坦化层远离所述薄膜晶体管一侧的像素界定层,所述像素界定层用于界定多个像素单元,以及 在所述像素界定层远离所述平坦层一侧的隔垫物, 所述第一拦截墙的所述第一绝缘层结构与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物中的至少一种同层设置。
[权利要求 9]
根据权利要求1-8任一所述的显示基板,还包括封装层,其中,所述封装层至少封装所述第一阻隔墙。
[权利要求 10]
根据权利要求9所述的显示基板,其中,所述封装层包括在所述第一阻隔墙上依次叠层设置的第一无机封装层,第一有机封装层以及第二无机封装层。
[权利要求 11]
根据权利要求1-10任一所述的显示基板,还包括第一有机绝缘层,其中,所述第一有机绝缘层至少覆盖所述第二阻隔墙。
[权利要求 12]
根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述阻隔区还包括与所述第一拦截墙相邻且在所述第一拦截墙远离所述显示区一侧的第二拦截墙, 所述第二拦截墙高于所述第一拦截墙。
[权利要求 13]
根据权利要求12所述的显示基板,其中,所述第二拦截墙与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物同层设置。
[权利要求 14]
根据权利要求12或13所述的显示基板,其中,所述阻隔区还包括第三拦截墙和第二有机绝缘层,所述第三拦截墙在所述第二拦截墙远离所述显示区的一侧,所述第二有机绝缘层在所述第二拦截墙与所述第三拦截墙之间且覆盖所述第二阻隔墙。
[权利要求 15]
根据权利要求13所述的显示基板,其中,所述第三拦截墙和所述第二拦截墙具有相同的结构,并且包括相同的材料。
[权利要求 16]
根据权利要求1-15任一所述的显示基板,其中,所述阻隔区还包括信号线引线,所述信号线引线电连接所述显示区的信号线, 所述信号线引线在所述第一阻隔墙的靠近所述显示区的一侧。
[权利要求 17]
根据权利要求1-16任一所述的显示基板,还包括:图像传感器和/或红外传感器, 其中,所述图像传感器和/或红外传感器结合于所述衬底基板,并且在所述衬底基板上的正投影与所述开孔区至少部分重叠。
[权利要求 18]
一种显示基板的制备方法,包括: 形成显示区、阻隔区和开孔区,其中,所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区,所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间; 其中,形成所述阻隔区包括形成从所述显示区到所述开孔区方向依次排列的第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙,所述第一阻隔墙、第一拦截墙以及第二阻隔墙围绕所述开孔区; 所述第一阻隔墙包括第一金属层结构,所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口; 所述第一拦截墙包括第一绝缘层结构; 所述第二阻隔墙包括第二金属层结构和第一叠层结构,所述第一叠层结构位于所述第一叠层结构上,所述第二金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有凹口,所述第一叠层结构包括金属层和绝缘层的叠层。
[权利要求 19]
根据权利要求18所述的显示基板的制备方法,其中,所述第二金属层结构与所述第一金属层结构采用相同的材料并通过相同的构图工艺形成。
[权利要求 20]
根据权利要求18或19所述的显示基板的制备方法,还包括:提供衬底基板; 其中,形成所述显示区包括在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和存储电容,形成所述薄膜晶体管包括在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层,层间绝缘层和源漏电极;形成所述存储电容包括形成第一极板和第二极板,所述第一极板与所述栅极同层形成,所述第二极板形成在所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间; 所述第一金属层结构、所述第二金属层结构与所述源漏电极同层形成。
[权利要求 21]
根据权利要求20所述的显示基板的制备方法,其中,形成所述第 一叠层结构包括在所述衬底基板上依次形成第一金属子层、第一绝缘子层、第二金属子层以及第二绝缘子层,以得到所述第一叠层结构的叠层, 其中,所述第一金属子层与所述栅极同层形成,所述第一绝缘子层与所述栅绝缘层同层形成,所述第二金属子层与所述第二极板同层形成,所述第二绝缘子层与所述层间绝缘层同层形成。
[权利要求 22]
根据权利要求20或21所述的显示基板的制备方法,其中,所述第一阻隔墙还包括第二绝缘层结构,所述第一金属层结构形成在所述第二绝缘层结构上, 所述第二绝缘层结构至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层形成。
[权利要求 23]
根据权利要求22所述的显示基板的制备方法,还包括:在所述衬底基板上形成阻挡层和缓冲层, 所述第二绝缘层结构包括叠层设置的第一部分和第二部分,所述第一部分至少与所述栅绝缘层和所述层间绝缘层同层形成,所述第二部分至少与所述阻挡层和所述缓冲层同层形成。
[权利要求 24]
根据权利要求22或23所述的显示基板的制备方法,还包括形成位于所述显示区一侧的弯折区,其中,形成所述弯折区包括刻蚀位于所述弯折区的绝缘层以形成凹槽, 所述凹槽与所述第二绝缘层结构通过相同的刻蚀工艺形成。
[权利要求 25]
根据权利要求24所述的显示基板的制备方法,其中,位于所述弯折区的绝缘层包括从所述显示区延伸到所述弯折区的阻挡层、缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层, 当所述第二绝缘层结构包括叠层设置的第一部分和第二部分时,通过第一刻蚀工艺同时刻蚀位于所述弯折区和所述阻隔区的所述栅绝缘层和所述层间绝缘层,并通过第二刻蚀工艺同时刻蚀位于所述弯折区和所述阻隔区的所述阻挡层和所述缓冲层,以形成所述凹槽和所述第二绝缘层结构。
[权利要求 26]
根据权利要求20-25任一所述的显示基板的制备方法,其中,形成所述显示区还包括: 形成用于平坦化所述薄膜晶体管的平坦化层, 在所述平坦化层远离所述薄膜晶体管的一侧形成像素界定层,所述像素界定层用于界定多个像素单元,以及 在所述像素界定层远离所述平坦层的一侧形成隔垫物, 其中,所述第一拦截墙的所述第一绝缘层结构与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物中的至少一种同层形成。
[权利要求 27]
根据权利要求18-26任一所述的显示基板的制备方法,还包括形成至少封装所述第一阻隔墙的封装层,形成所述封装层包括在所述第一阻隔墙上依次形成第一无机封装层,第一有机封装层以及第二无机封装层; 其中,所述第一有机封装层采用喷墨打印的方式形成。
[权利要求 28]
根据权利要求18-27任一所述的显示基板的制备方法,还包括在所述第二阻隔墙上形成第一有机绝缘层,所述第一有机绝缘层至少覆盖所述第二阻隔墙。
[权利要求 29]
根据权利要求26所述的显示基板的制备方法,其中,形成所述阻隔区还包括形成与所述第一拦截墙相邻且在所述第一拦截墙远离所述显示区一侧的第二拦截墙, 所述第二拦截墙高于所述第一拦截墙。
[权利要求 30]
根据权利要求29所述的显示基板的制备方法,其中,所述第二拦截墙与所述平坦化层、所述像素界定层和所述隔垫物同层形成。
[权利要求 31]
根据权利要求29或30所述的显示基板的制备方法,其中,形成所述阻隔区还包括形成第三拦截墙和第二有机绝缘层, 所述第三拦截墙形成在所述第二拦截墙远离所述显示区的一侧,所述第二有机绝缘层形成在所述第二拦截墙与所述第三拦截墙之间且覆盖所述第二阻隔墙。
[权利要求 32]
根据权利要求31所述的显示基板的制备方法,其中,通过喷墨打印的方式形成所述第二有机绝缘层。
[权利要求 33]
根据权利要求32所述的显示基板的制备方法,其中,所述第二有机绝缘层与覆盖所述第一阻隔墙的第一有机封装层在相同的喷墨打印工艺中形成。

附图

[ 图 1A]  
[ 图 1B]  
[ 图 2A]  
[ 图 2B]  
[ 图 2C]  
[ 图 3A]  
[ 图 3B]  
[ 图 3C]  
[ 图 3D]  
[ 图 4A]  
[ 图 4B]  
[ 图 5A]  
[ 图 5B]  
[ 图 5C]  
[ 图 6]  
[ 图 7]  
[ 图 8A]  
[ 图 8B]  
[ 图 8C]  
[ 图 9A]  
[ 图 9B]  
[ 图 9C]  
[ 图 10A]  
[ 图 10B]  
[ 图 10C]  
[ 图 11A]  
[ 图 11B]  
[ 图 12A]  
[ 图 12B]  
[ 图 13A]  
[ 图 13B]  
[ 图 14A]  
[ 图 14B]  
[ 图 14C]