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1. WO2020181859 - INORGANIC LIGHT EMITTING DIODE CHIP, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY SUBSTRATE

Publication Number WO/2020/181859
Publication Date 17.09.2020
International Application No. PCT/CN2019/125106
International Filing Date 13.12.2019
IPC
H01L 33/06 2010.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/36 2010.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
H01L 27/15 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission
Applicants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 王国强 WANG, Guoqiang
Agents
  • 北京银龙知识产权代理有限公司 DRAGON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Priority Data
201910188660.X13.03.2019CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) INORGANIC LIGHT EMITTING DIODE CHIP, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY SUBSTRATE
(FR) PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE INORGANIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SUBSTRAT D'AFFICHAGE
(ZH) 无机发光二极管芯片、其制备方法及显示基板
Abstract
(EN)
Provided are an inorganic light emitting diode chip, a preparation method thereof and a display substrate. The inorganic light emitting diode chip comprises an undoped gallium nitride layer (1) and a light emitting unit arranged on the undoped gallium nitride layer (1), the light emitting unit comprises a first sub-light emitting unit (2) and a second sub-light emitting unit (3), the first sub-light emitting unit (2) comprises a first N-type gallium nitride layer (21), a first multi-quantum well layer (22) and a first P-type gallium nitride layer (23), which are arranged in sequence, the second sub-light emitting unit (3) comprises a second P-type gallium nitride layer (33), a second multi-quantum well layer (31) and a second N-type gallium nitride layer (32), which are arranged in sequence on the surface of the first P-type gallium nitride layer (23); the orthographic projection of the second multi-quantum well layer (31) on the undoped gallium nitride layer (1) is smaller than that of the first multi-quantum well layer (22) on the undoped gallium nitride layer (1); and the second multi-quantum well layer (31) and the first multi-quantum well layer (22) have different light emitting colors.
(FR)
La présente invention concerne une puce de diode électroluminescente inorganique, son procédé de préparation et un substrat d'affichage. La puce de diode électroluminescente inorganique comprend une couche de nitrure de gallium non dopée (1) et une unité électroluminescente disposée sur la couche de nitrure de gallium non dopée (1), l'unité électroluminescente comprenant une première sous-unité électroluminescente (2) et une seconde sous-unité électroluminescente (3), la première sous-unité électroluminescente (2) comprend une première couche de nitrure de gallium de type N (21), une première couche de puits quantiques multiples (22) et une première couche de nitrure de gallium de type P (23), qui sont agencées en séquence, la seconde sous-unité électroluminescente (3) comprend une seconde couche de nitrure de gallium de type P (33), une seconde couche de puits quantiques multiples (31) et une seconde couche de nitrure de gallium de type N (32), qui sont agencées en séquence sur la surface de la première couche de nitrure de gallium de type P (23) ; la projection orthographique de la seconde couche de puits quantiques multiples (31) sur la couche de nitrure de gallium non dopée (1) est inférieure à celle de la première couche de puits quantiques multiples (22) sur la couche de nitrure de gallium non dopée (1) ; et la seconde couche de puits quantiques multiples (31) et la première couche de puits quantiques multiples (22) ont des couleurs électroluminescentes différentes.
(ZH)
一种无机发光二极管芯片、其制备方法及显示基板。所述无机发光二极管芯片包括非掺杂氮化镓层(1)及设置于所述非掺杂氮化镓层(1)上的发光单元,所述发光单元包括第一子发光单元(2)和第二子发光单元(3),所述第一子发光单元(2)包括依次设置的第一N型氮化镓层(21)、第一多量子阱层(22)和第一P型氮化镓层(23),所述第二子发光单元(3)包括依次设置在所述第一P型氮化镓层(23)表面的第二P型氮化镓层(33)、第二多量子阱层(31)和第二N型氮化镓层(32);所述第二多量子阱层(31)在非掺杂氮化镓层(1)上的正投影小于第一多量子阱层(22)在非掺杂氮化镓层(1)上的正投影;所述第二多量子阱层(31)与所述第一多量子阱层(22)发光颜色不同。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau