(EN) This film forming apparatus for forming a SiC film on a substrate to be treated has: a susceptor to be heated by induction heating; a placement base which is disposed within the susceptor and rotates about a rotation axis in a state in which the substrate to be treated is placed thereon; and a gas supply mechanism for supplying a treatment gas from a side to the internal space of the susceptor so that the treatment gas flows along the surface of the substrate to be treated placed on the placement base. The internal space of the susceptor has, on the upstream side of the placement base in the direction of flow of the treatment gas, a pre-heating space in which the treatment gas is pre-heated before being supplied to the substrate to be treated placed on the placement base.
(FR) L'invention concerne un appareil de formation de film pour former un film de SiC sur un substrat à traiter comprenant : un suscepteur à chauffer par chauffage par induction ; une base de placement qui est disposée à l'intérieur du suscepteur et tourne autour d'un axe de rotation dans un état dans lequel le substrat à traiter est placé sur celui-ci ; et un mécanisme d'alimentation en gaz pour fournir un gaz de traitement d'un côté à l'espace interne du suscepteur de telle sorte que le gaz de traitement s'écoule le long de la surface du substrat à traiter placé sur la base de placement. L'espace interne du suscepteur a, sur le côté amont de la base de placement dans la direction d'écoulement du gaz de traitement, un espace de préchauffage dans lequel le gaz de traitement est préchauffé avant d'être fourni au substrat à traiter placé sur la base de placement.
(JA) 処理対象基板にSiC膜を形成する成膜装置であって、誘導加熱により加熱されるサセプタと、前記サセプタ内に配置され、処理対象基板が載置された状態で回転軸を中心に回転する載置台と、前記載置台に載置された処理対象基板の表面に沿って処理ガスが流れるように、前記サセプタの内部空間に対し側方から前記処理ガスを供給するガス供給機構と、を有し、前記サセプタの内部空間は、前記処理ガスの流れ方向における前記載置台より上流側に、前記載置台に載置された処理対象基板に供給される前記処理ガスを予熱する予熱空間を有する。