(EN) A transistor device comprises: a substrate; a source area provided at the upper part of the substrate; a drain area spaced apart from the source area in the substrate in a direction parallel to the upper surface of the substrate; a gate electrode provided on the substrate and between the source area and the drain area; a gate insulating film interposed between the gate electrode and the substrate; and a constant current forming layer extending between the source area and the drain area in the direction parallel to the upper surface of the substrate, wherein the constant current forming layer forms a constant current between the drain area and the substrate, and the constant current is independent from a gate voltage applied to the gate electrode.
(FR) L'invention concerne un dispositif de transistor comprenant : un substrat ; une zone de source disposée au niveau de la partie supérieure du substrat ; une zone de drain espacée de la zone de source dans le substrat dans une direction parallèle à la surface supérieure du substrat ; une électrode de grille disposée sur le substrat et entre la zone de source et la zone de drain ; un film d'isolation de grille interposé entre l'électrode de grille et le substrat ; et une couche de formation de courant constant s'étendant entre la zone de source et la zone de drain dans la direction parallèle à la surface supérieure du substrat, la couche de formation de courant constant formant un courant constant entre la zone de drain et le substrat, et le courant constant étant indépendant d'une tension de grille appliquée à l'électrode de grille.
(KO) 트랜지스터 소자는 기판, 기판 상부에 제공되는 소스 영역, 기판 내에서, 소스 영역으로부터 기판의 상면에 평행한 방향으로 이격된 드레인 영역, 기판 상에서, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 제공되는 게이트 전극, 게이트 전극과 기판 사이에 개재되는 게이트 절연막, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이에서 기판의 상면에 평행한 방향을 따라 연장되는 정전류 형성층을 포함하되, 정전류 형성층은 드레인 영역과 기판 사이에 정전류를 형성하고, 정전류는 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적이다.