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1. WO2020140654 - APPARATUS AND METHOD FOR ADJUSTING PERFORMANCE OF ACOUSTIC RESONATOR ON THE BASIS OF BEAM AND EAVE DIMENSION

Publication Number WO/2020/140654
Publication Date 09.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/121109
International Filing Date 27.11.2019
IPC
H03H 9/02 2006.1
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
CPC
H03H 9/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/02015
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02015Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
H03H 9/02047
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02047Treatment of substrates
H03H 9/05
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
H03H 9/0504
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
0504for bulk acoustic wave devices
H03H 9/64
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
64using surface acoustic waves
Applicants
  • 天津大学 TIANJIN UNIVERSITY [CN]/[CN]
  • 诺思(天津)微系统有限责任公司 ROFS MICROSYSTEM (TIANJIN) CO, .LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 杨清瑞 YANG, Qingrui
  • 庞慰 PANG, Wei
  • 张孟伦 ZHANG, Menglun
Agents
  • 北京金诚同达律师事务所 BEIJING JINCHENG TONGDA & NEAL LAW FIRM
Priority Data
201811651302.X31.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR ADJUSTING PERFORMANCE OF ACOUSTIC RESONATOR ON THE BASIS OF BEAM AND EAVE DIMENSION
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DESTINÉS À RÉGLER LA PERFORMANCE D'UN RÉSONATEUR ACOUSTIQUE SUR LA BASE D'UNE DIMENSION DE BARRE ET D'AVANT-TOIT
(ZH) 基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法
Abstract
(EN)
Disclosed is a bulk acoustic wave resonator, comprising a substrate (100), an acoustic mirror (200), a bottom electrode (300) arranged above the substrate (100), a top electrode (500), and a piezoelectric layer (400) arranged above the bottom electrode (300) and between the bottom electrode (300) and the top electrode (500), wherein an overlapping area between the acoustic mirror (200), the bottom electrode (300), the piezoelectric layer (400) and the top electrode (500) in the thickness direction of the resonator constitutes an active area (B) of the resonator; the edge of one side of the top electrode (500) forms an eave structure (600), and the projection of the eave structure (600) in the thickness direction of the resonator is in an area of the acoustic mirror (200); and a beam structure (700) is arranged at a connecting portion of the top electrode (500). The beam structure (700) comprises a first beam portion and a second beam portion, wherein the projection of the first beam portion in the thickness direction of the resonator is in the area of the acoustic lens (200), and a gap formed by the first beam portion has a first beam gap width (A); and the projection of the second beam portion in the thickness direction of the resonator is located outside the region of the acoustic mirror (200) and overlaps with the bottom electrode (300), and the second beam portion has a second beam gap width (A2). The effective electromechanical coupling coefficient of the resonator is within a range of 95-102% of the effective electromechanical coupling coefficient of a reference resonator.
(FR)
L'invention concerne un résonateur à ondes acoustiques de volume, comprenant un substrat (100), un miroir acoustique (200), une électrode inférieure (300) disposée au-dessus du substrat (100), une électrode supérieure (500) et une couche piézoélectrique (400) disposée au-dessus de l'électrode inférieure (300) et entre l'électrode inférieure (300) et l'électrode supérieure (500), une zone de chevauchement entre le miroir acoustique (200), l'électrode inférieure (300), la couche piézoélectrique (400) et l'électrode supérieure (500) dans le sens de l'épaisseur du résonateur constituant une zone active (B) du résonateur ; le bord d'un côté de l'électrode supérieure (500) forme une structure d'avant-toit (600), et la saillie de la structure d'avant-toit (600) dans le sens de l'épaisseur du résonateur se trouve dans une zone du miroir acoustique (200) ; et une structure de barre (700) est disposée au niveau d'une partie de liaison de l'électrode supérieure (500). La structure de barre (700) comprend une première partie de barre et une seconde partie de barre, la saillie de la première partie de barre dans le sens de l'épaisseur du résonateur se trouvant dans la zone de la lentille acoustique (200), et un espace formé par la première partie de barre ayant une première largeur d'espace de barre (A) ; et la saillie de la seconde partie de barre dans le sens de l'épaisseur du résonateur est située à l'extérieur de la région du miroir acoustique (200) et chevauche l'électrode inférieure (300), et la seconde partie de barre a une seconde largeur d'espace de barre (A2). Le coefficient de couplage électromécanique efficace du résonateur est dans une plage de 95 à 102 % du coefficient de couplage électromécanique efficace d'un résonateur de référence.
(ZH)
一种体声波谐振器,包括:基底(100);声学镜(200);底电极(300),设置在基底(100)上方;顶电极(500);和压电层(400),设置在底电极(300)上方以及底电极(300)与顶电极(500)之间,其中:声学镜(200)、底电极(300)、压电层(400)和顶电极(500)在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域(B);顶电极(500)一侧的边缘形成檐结构(600),檐结构(600)沿谐振器的厚度方向的投影落入声学镜(200)的区域内;顶电极(500)的连接部分处设置有梁结构(700),梁结构(700)包括第一和第二梁部,第一梁部在谐振器的厚度方向的投影落入声学镜(200)的区域内,第一梁部形成的空隙具有第一梁隙宽度(A),第二梁部在谐振器的厚度方向的投影处于声学镜(200)的区域之外且与底电极(300)重叠,第二梁部具有第二梁隙宽度(A2);且谐振器的有效机电耦合系数与参照谐振器的有效机电耦合系数95%-102%的范围内。
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