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1. WO2020140286 - SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL EMISSION COMPONENT, OPTICAL LINE TERMINAL AND OPTICAL NETWORK UNIT

Publication Number WO/2020/140286
Publication Date 09.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/070483
International Filing Date 04.01.2019
IPC
H01S 5/12 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back  lasers
CPC
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 程远兵 CHENG, Yuanbing
  • 戴竞 DAI, Jing
  • 董英华 DONG, Yinghua
  • 杨素林 YANG, Sulin
Agents
  • 北京同立钧成知识产权代理有限公司 LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL EMISSION COMPONENT, OPTICAL LINE TERMINAL AND OPTICAL NETWORK UNIT
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR, COMPOSANT D’ÉMISSION OPTIQUE, TERMINAL DE LIGNE OPTIQUE ET UNITÉ DE RÉSEAU OPTIQUE
(ZH) 半导体激光器、光发射组件、光线路终端及光网络单元
Abstract
(EN)
Provided in the embodiments of the present application are a semiconductor laser, an optical emission component, an optical line terminal and an optical network unit. The semiconductor laser comprises a substrate, and a lower waveguide layer, a lower limiting layer, a central layer, an upper limiting layer, a grating layer, an upper waveguide layer and an electrode layer formed on the substrate in sequence. The upper limiting layer, the central layer and the lower limiting layer in a filter region form a core layer of the filter layer. The grating layer of the filter region comprises an inclined grating. The present application can reduce the modulation chirp and reduce the dispersion of transmitted optical pulses.
(FR)
Les modes de réalisation selon la présente invention concernent un laser semi-conducteur, un composant d’émission optique, un terminal de ligne optique et une unité de réseau optique. Le laser semi-conducteur comprend un substrat, et une couche de guide d’ondes inférieure, une couche de limitation inférieure, une couche centrale, une couche de limitation supérieure, une couche de grille, une couche de guide d’ondes supérieure et une couche d’électrode formées sur le substrat dans cet ordre. La couche de limitation supérieure, la couche centrale et la couche de limitation inférieure dans une zone de filtre forment une couche de noyau de la couche de filtre. La couche de grille de la zone de filtre comprend une grille inclinée. La présente invention peut réduire la fluctuation de longueur d’onde de modulation et réduire la dispersion d’impulsions optiques transmises.
(ZH)
本申请实施例提供一种半导体激光器、光发射组件、光线路终端及光网络单元,半导体激光器包括衬底和在衬底上依次形成的下波导层、下限制层、中心层、上限制层、光栅层、上波导层和电极层;滤波区内上限制层、中心层和下限制层构成滤波区的芯层;滤波区的光栅层包括倾斜光栅。本申请可减小调制啁啾,减小传输光脉冲的色散。
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