(EN) A blank mask includes a light-shielding film and a hard film which are formed on a transparent substrate. The hard film is formed of a silicon compound containing at least one of oxygen, nitrogen, and carbon in silicon. Provided are a blank mask and a photomask which have an improved resolution and are improved in a critical dimension (CD) characteristic and a process window margin which are to be implemented. Accordingly, a blank mask and a photomask which have an excellent quality can be manufactured when patterns thereof are implemented to be 32nm or less, especially, 14nm or less.
(FR) Un masque vierge comprend un film de protection contre la lumière et un film dur qui sont formés sur un substrat transparent. Le film dur est constitué d'un composé de silicium contenant au moins un élément parmi l'oxygène, l'azote et le carbone dans le silicium. L'invention concerne un masque vierge et un photomasque qui ont une résolution améliorée et sont améliorés en termes de caractéristique de dimension critique (CD) et de marge de fenêtre de traitement à mettre en œuvre. Par conséquent, un masque vierge et un photomasque qui ont une excellente qualité peuvent être fabriqués lorsque des motifs associés sont mis en œuvre pour être inférieurs ou égaux à 32 nm, en particulier, inférieurs ou égaux à 14 nm.
(KO) 블랭크마스크는 투명기판 상에 형성된 차광막과 하드필름을 구비한다. 하드필름은 실리콘에 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 실리콘 화합물로 형성된다. 해상도가 향상되고 구현하고자 하는 CD(Critical Dimension) 특성 및 공정 윈도우 마진(Process Window Margin)이 향상된 블랭크 마스크 및 포토마스크가 제공된다. 이에 따라 32nm 이하 특히 14nm 이하의 패턴 구현 시 우수한 품질을 가지는 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제작이 가능하게 된다.