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1. WO2020138226 - SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SUBSTRATE

Publication Number WO/2020/138226
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/JP2019/050984
International Filing Date 25.12.2019
IPC
H01L 21/20 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth
C30B 29/38 2006.1
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
CPC
C30B 29/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
H01L 21/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
Applicants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 荒木 正浩 ARAKI, Masahiro
Agents
  • 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
Priority Data
2018-24358226.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT
(JA) 半導体素子の製造方法、半導体素子および基板
Abstract
(EN)
A semiconductor element manufacturing method of the present disclosure comprises: a mask forming step in which, on a first surface of a substrate, a surface region not covered with a first deposition-suppressing mask is used as a first crystal growth region; an element forming step for forming a semiconductor layer on the first crystal growth region; a mask removing step for removing a mask; and an element separating step for separating the semiconductor layer. Further, after the element separating step, a substrate re-using step is performed once or more, the substrate re-using step comprising: a mask re-forming step for forming a second deposition-suppressing mask in a region different from the position in which the first deposition-suppressing mask has been formed, and exposing a second crystal growth region not covered with the mask; an element re-forming step for forming on the second crystal growth region a semiconductor layer that constitutes an element; a mask removing step for removing the deposition-suppressing mask; and an element separating step for separating the semiconductor layer from the substrate.
(FR)
Un procédé de fabrication d'élément semi-conducteur de la présente invention comprend : une étape de formation de masque dans laquelle, sur une première surface d'un substrat, une région de surface non recouverte d'un premier masque de suppression de dépôt est utilisée en tant que première région de croissance cristalline ; une étape de formation d'élément pour former une couche semi-conductrice sur la première région de croissance cristalline ; une étape de retrait de masque pour retirer un masque ; et une étape de séparation d'élément pour séparer la couche semi-conductrice. En outre, après l'étape de séparation d'élément, une étape de réutilisation de substrat est effectuée une fois ou plus, le substrat réutilisant l'étape comprenant : une étape de re-formation de masque pour former un second masque de suppression de dépôt dans une région différente de la position dans laquelle le premier masque de suppression de dépôt a été formé, et exposer une seconde région de croissance cristalline non recouverte par le masque ; une étape de re-formation d'élément pour former sur la seconde région de croissance cristalline une couche semi-conductrice qui constitue un élément ; une étape de retrait de masque pour retirer le masque de suppression de dépôt ; et une étape de séparation d'élément pour séparer la couche semi-conductrice du substrat.
(JA)
本開示の半導体素子の製造方法は、基板の第1面上の、第1の堆積抑制マスクに覆われていない表面領域を第1の結晶成長領域とするマスク形成工程と、第1の結晶成長領域の上に半導体層を形成する素子形成工程と、マスクを除去するマスク除去工程と、半導体層を分離する素子分離工程と、を含む。また、前記素子分離工程の後に、前記第1の堆積抑制マスクの形成位置とは異なる領域に、第2の堆積抑制マスクを形成して、マスクに覆われていない第2の結晶成長領域を露出させるマスク再形成工程と、前記第2の結晶成長領域上に、素子となる半導体層を形成する素子再形成工程と、堆積抑制マスクを除去するマスク除去工程と、半導体層を基板から分離する素子分離工程と、からなる基板再使用工程を、1回以上行なう。
Also published as
JP2020563380
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