(EN) This nitride semiconductor device (1) is provided with: a substrate (12); an n-type drift layer (14); a p-type block layer (16); a gate opening (20) which penetrates through the block layer (16) and reaches the drift layer (14); an electron transit layer (22) and an electron supply layer (24), which are provided along the inner surface of the gate opening (20); a gate electrode (30) which is provided above the electron supply layer (24) so as to cover the gate opening (20); a source opening (26) which penetrates through the electron supply layer (24) and the electron transit layer (22), and reaches the block layer (16); a source electrode (28) which is provided so as to cover the source opening (26), while being connected to the electron supply layer (24), the electron transit layer (22) and the block layer (16); and a drain electrode (32) which is provided on a surface of the substrate (12), said surface being on the reverse side of the block layer (16)-side surface. The bottom surface (30a) of the gate electrode (30) is closer to the drain electrode (32) than the bottom surface (16a) of the block layer (16).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au nitrure (1) comprenant : un substrat (12) ; une couche de dérive de type n (14) ; une couche de bloc de type p (16) ; une ouverture de grille (20) qui pénètre à travers la couche de bloc (16) et atteint la couche de dérive (14) ; une couche de transit d'électrons (22) et une couche d'alimentation en électrons (24), qui sont disposées le long de la surface interne de l'ouverture de grille (20) ; une électrode de grille (30) qui est disposée au-dessus de la couche d'alimentation en électrons (24) de façon à recouvrir l'ouverture de grille (20) ; une ouverture de source (26) qui pénètre à travers la couche d'alimentation en électrons (24) et la couche de transit d'électrons (22), et atteint la couche de bloc (16) ; une électrode de source (28) qui est disposée de manière à recouvrir l'ouverture de source (26), tout en étant connectée à la couche d'alimentation en électrons (24), la couche de transit d'électrons (22) et la couche de bloc (16) ; et une électrode de drain (32) qui est disposée sur une surface du substrat (12), ladite surface étant sur le côté inverse de la surface côté couche de bloc (16). La surface inférieure (30a) de l'électrode de grille (30) est plus proche de l'électrode de drain (32) que la surface inférieure (16a) de la couche de bloc (16).
(JA) 窒化物半導体装置(1)は、基板(12)と、n型のドリフト層(14)と、p型のブロック層(16)と、ブロック層(16)を貫通し、ドリフト層(14)にまで達するゲート開口部(20)と、ゲート開口部(20)の内面に沿って設けられた電子走行層(22)及び電子供給層(24)と、ゲート開口部(20)を覆うように電子供給層(24)の上方に設けられたゲート電極(30)と、電子供給層(24)及び電子走行層(22)を貫通し、ブロック層(16)にまで達するソース開口部(26)と、ソース開口部(26)を覆うように設けられ、電子供給層(24)、電子走行層(22)及びブロック層(16)に接続されたソース電極(28)と、基板(12)の、ブロック層(16)とは反対側に設けられたドレイン電極(32)とを備え、ゲート電極(30)の底面(30a)は、ブロック層(16)の底面(16a)よりもドレイン電極(32)に近い。