(EN) This semiconductor device is provided with: a semiconductor chip (1) which is internally provided with a pn junction (13); an opaque sealing resin (30) which covers the surface of the semiconductor chip (1); and functional regions (15, 20) which are arranged between the semiconductor chip (1) and the sealing resin (30) so as to inhibit light having a specific wavelength that deteriorates the sealing resin (30) from reaching the sealing resin (30), said light being generated when a forward current flows through the pn junction (13).
(FR) Ce dispositif à semi-conducteur est pourvu : d'une puce semi-conductrice (1) qui est pourvue intérieurement d'une jonction pn (13) ; d'une résine d'étanchéité opaque (30) qui recouvre la surface de la puce semi-conductrice (1) ; et de régions fonctionnelles (15, 20) qui sont disposées entre la puce semi-conductrice (1) et la résine d'étanchéité (30) de manière à empêcher la lumière ayant une longueur d'onde spécifique qui détériore la résine d'étanchéité (30) d'atteindre la résine d'étanchéité (30), ladite lumière étant générée lorsqu'un courant direct circule à travers la jonction pn (13).
(JA) 半導体装置は、pn接合(13)が内部に形成された半導体チップ(1)と、半導体チップ(1)の表面を覆う不透明な封止樹脂(30)と、半導体チップ(1)と封止樹脂(30)の間に配置され、pn接合(13)に順方向電流が流れることによって発生する封止樹脂(30)を劣化させる特定の波長を有する光が、封止樹脂(30)に到達することを抑制する機能領域(15)、(20)とを備える。