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1. WO2020135478 - DIELECTRIC DUPLEXER

Publication Number WO/2020/135478
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/128188
International Filing Date 25.12.2019
IPC
H01P 1/20 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
CPC
H01P 1/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 梁丹 LIANG, Dan
  • 张晓峰 ZHANG, Xiaofeng
  • 赵国帅 ZHAO, Guoshuai
Agents
  • 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
PCT/CN2018/12375526.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) DIELECTRIC DUPLEXER
(FR) DUPLEXEUR DIÉLECTRIQUE
(ZH) 一种介质双工器
Abstract
(EN)
Provided by the embodiments of the present application is a dielectric duplexer, which makes the overall size of the duplexer smaller and reduces generated costs. The dielectric duplexer comprises: a dielectric body. The dielectric body is provided thereon with an input and output structure, a tap, a first resonance structure and a second resonance structure; the tap, the input and output structure, the first resonance structure and the second resonance structure are all cavities formed on the surfaces of the dielectric body, and the tap and the input and output structure are formed on different surfaces of the dielectric body; the tap and the input and output structure are located between the first resonance structure and the second resonance structure; the first resonance structure and the dielectric body therearound constitute a first resonator; the second resonance structure and the dielectric body therearound constitute a second resonator; the surfaces of the input and output structure, the tap, the first resonance structure and the second resonance structure are covered by a conductive layer; and the surfaces of the dielectric body except for the area surrounding the input and output structure are covered by the conductive layer.
(FR)
La présente invention concerne, selon des modes de réalisation, un duplexeur diélectrique, qui rend la taille globale du duplexeur plus petite et réduit les coûts générés. Le duplexeur diélectrique comprend un corps diélectrique. Le corps diélectrique est doté d'une structure d'entrée et de sortie, d'une prise, d'une première structure de résonance et d'une seconde structure de résonance ; la prise, la structure d'entrée et de sortie, la première structure de résonance et la seconde structure de résonance sont toutes des cavités formées sur les surfaces du corps diélectrique, et la prise et la structure d'entrée et de sortie sont formées sur différentes surfaces du corps diélectrique ; la prise et la structure d'entrée et de sortie sont situées entre la première structure de résonance et la seconde structure de résonance ; la première structure de résonance et le corps diélectrique autour de celle-ci constituent un premier résonateur ; la seconde structure de résonance et le corps diélectrique autour de celle-ci constituent un second résonateur ; les surfaces de la structure d'entrée et de sortie, la prise, la première structure de résonance et la seconde structure de résonance sont recouvertes par une couche conductrice ; et les surfaces du corps diélectrique à l'exception de la zone entourant la structure d'entrée et de sortie sont recouvertes par la couche conductrice.
(ZH)
本申请实施例提供了一种介质双工器,使得双工器的整体尺寸更小,降低了生成成本。该介质双工器包括:介质本体,介质本体上设置有输入输出结构、抽头、第一谐振结构以及第二谐振结构,抽头、输入输出结构、第一谐振结构以及第二谐振结构均为在介质本体的表面上开设的腔体,抽头与输入输出结构开设在介质本体不同的表面上,抽头和输入输出结构位于第一谐振结构和第二谐振结构之间,第一谐振结构以及第一谐振结构周围的介质本体构成第一谐振器,第二谐振结构以及第二谐振结构周围的介质本体构成第二谐振器,输入输出结构、抽头、第一谐振结构以及第二谐振结构的表面覆盖导电层,介质本体的表面上除环绕输入输出结构的区域外均覆盖有导电层。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau