(EN) Provided are a trench gate IGBT and a device. The trench gate IGBT comprises an emitting electrode, a p well region, a gate, a gate oxide layer, a drift region and a back collecting electrode. The gate is located in a trench; the gate is isolated from the emitting electrode, the p well region and the drift region by the gate oxide layer; the trench is disposed inside a substrate; and a plurality of recesses are provided at the boundary of the trench and the drift region. During switching on and off the trench gate IGBT, a side surface of the trench and an interface of the drift region are provided with a plurality of recess gate oxide layers, so that electron charges can be restrained and accumulated, thereby improving the conduction capacity, solving the technical problem of excessively high power consumption of switching on and off the trench gate IGBT in the prior art, and achieving the beneficial effect of reducing the power consumption of switching on and off the trench gate IGBT.
(FR) La présente invention concerne un IGBT à grille en tranchée et un dispositif. L'IGBT à grille en tranchée comprend une électrode émettrice, une région de puits p, une grille, une couche d'oxyde de grille, une région de dérive et une électrode de collecte arrière. La grille est située dans une tranchée ; la grille est isolée de l'électrode émettrice, de la région de puits p et de la région de dérive par la couche d'oxyde de grille ; la tranchée est placée à l'intérieur d'un substrat ; et une pluralité d'évidements sont placés au niveau de la limite de la tranchée et de la région de dérive. Pendant la mise sous tension et hors tension de l'IGBT à grille en tranchée, une surface latérale de la tranchée et une interface de la région de dérive sont dotées d'une pluralité de couches d'oxyde de grille d'évidement, de telle sorte que des charges d'électrons peuvent être retenues et accumulées, ce qui permet d'améliorer la capacité de conduction, de résoudre le problème technique d'une consommation d'énergie excessive lors de la mise sous tension et hors tension de l'IGBT à grille en tranchée dans l'état de la technique, et d'obtenir l'effet bénéfique de réduction de la consommation d'énergie lors de la mise sous tension et hors tension de l'IGBT à grille en tranchée.
(ZH) 一种沟槽栅IGBT及装置，该沟槽栅IGBT包括发射极、p阱区、栅极、栅极氧化层、漂移区和背部集电极，该栅极位于沟槽内，栅极与发射极、p阱区和漂移区之间由栅极氧化层隔离，该沟槽设置在衬底内部，该沟槽与漂移区的边界具有多个凹陷。在沟槽栅IGBT开关过程中，该沟槽的侧面与漂移区的界面上具有多个凹陷栅极氧化层，可以束缚和积累电子电荷，从而提高导通能力，解决现有技术中沟槽栅IGBT的开关功耗过高的技术问题，以起到减小沟槽栅IGBT的开关功耗的有益效果。