(EN) An array substrate and a manufacturing method and device therefor. Said method comprises: forming, by means of deposition, a gate insulation layer (30) on a base substrate (10) and a gate electrode (20) which are formed in advance, the gate insulation layer (30) covering the gate electrode (20); sequentially forming, by means of deposition, on the gate insulation layer (30) an amorphous silicon layer (40), a doped amorphous silicon layer (50) comprising at least three doped layers, and a metal layer (60), the doping concentrations of various layers of the doped amorphous silicon layer (50) increasing layer by layer from bottom to top; and forming, by etching, patterns of the amorphous silicon layer (40), the doped amorphous silicon layer (50) and the metal layer (60), so as to form an array substrate.
(FR) La présente invention concerne un substrat matriciel et son procédé et son dispositif de fabrication. Ledit procédé consiste : à former, au moyen d'un dépôt, une couche d'isolation de grille (30) sur un substrat de base (10) et une électrode de grille (20) qui sont formées à l'avance, la couche d'isolation de grille (30) recouvrant l'électrode de grille (20) ; à former séquentiellement, au moyen d'un dépôt, sur la couche d'isolation de grille (30), une couche de silicium amorphe (40), une couche de silicium amorphe dopée (50) comprenant au moins trois couches dopées, et une couche métallique (60), les concentrations de dopage de diverses couches de la couche de silicium amorphe dopée (50) augmentant couche par couche de bas en haut ; et à former, par gravure, des motifs de la couche de silicium amorphe (40), de la couche de silicium amorphe dopée (50) et de la couche métallique (60), de manière à former un substrat matriciel.
(ZH) 一种阵列基板及其制造方法与装置,包括:在预先形成的衬底基板(10)和栅极(20)上沉积形成栅极绝缘层(30),所述栅极绝缘层(30)覆盖所述栅极(20);在所述栅极绝缘层(30)上依次沉积形成非晶硅层(40)、包括至少三层掺杂层的掺杂型非晶硅层(50)和金属层(60),其中,所述掺杂型非晶硅层(50)各层的掺杂浓度自下往上逐层递增;蚀刻出所述非晶硅层(40)、所述掺杂型非晶硅层(50)和所述金属层(60)的图形,形成阵列基板。