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1. WO2020134665 - CONTROL CIRCUIT, INTEGRATION METHOD FOR ACOUSTIC WAVE FILTER, AND INTEGRATION STRUCTURE

Publication Number WO/2020/134665
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/117790
International Filing Date 13.11.2019
IPC
H03H 9/64 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
46Filters
64using surface acoustic waves
CPC
H03H 9/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/02535
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02535of surface acoustic wave devices
H03H 9/54
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
54comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
H03H 9/64
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
64using surface acoustic waves
Applicants
  • 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 NINGBO SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL CORPORATION (SHANGHAI BRANCH) [CN]/[CN]
Inventors
  • 秦晓珊 QIN, Xiaoshan
Agents
  • 北京思创大成知识产权代理有限公司 BEIJING SICHUANG DACHENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.
Priority Data
201811602834.426.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) CONTROL CIRCUIT, INTEGRATION METHOD FOR ACOUSTIC WAVE FILTER, AND INTEGRATION STRUCTURE
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE, PROCÉDÉ D'INTÉGRATION POUR FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES ET STRUCTURE D'INTÉGRATION
(ZH) 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构
Abstract
(EN)
A control circuit, an integration method for an acoustic wave filter, and an integration structure. The method comprises: providing a substrate, a control circuit being formed at the substrate; forming a first cavity (402) and a second cavity (412) on the substrate; providing a SAW resonant patch and a BAW resonant structure, a first input electrode and a first output electrode being disposed on a surface of the SAW resonant patch, a second input electrode and a second output electrode being disposed on a surface of the BAW resonant structure, and the BAW resonant structure comprising a third cavity (307); orientating the surface of the SAW resonant patch toward the substrate, such that the SAW resonant patch is bonded to the substrate and closes the first cavity (402); orientating the surface of the BAW resonant structure toward the substrate, such that the BAW resonant structure is bonded to the substrate and closes the second cavity (412); and electrically connecting the control circuit to the first input electrode, the first output electrode, the second input electrode, and the second output electrode. The above structure prevents problems seen in the prior art, such as complex electrical connection processes, excessive insertion loss, and the like, which are caused by integrating SAW filters and BAW filters into PCBs as separate components, and achieves a high level of integration and reduces process costs.
(FR)
L'invention concerne un circuit de commande, un procédé d'intégration pour un filtre à ondes acoustiques et une structure d'intégration. Le procédé comprend : la fourniture d'un substrat, un circuit de commande étant formé au niveau du substrat ; la formation d'une première cavité (402) et d'une seconde cavité (412) sur le substrat ; la fourniture d'une plaque résonante SAW et d'une structure résonante BAW, une première électrode d'entrée et une première électrode de sortie étant disposées sur une surface de la plaque résonante SAW, une seconde électrode d'entrée et une seconde électrode de sortie étant disposées sur une surface de la structure résonante BAW, et la structure résonante BAW comprenant une troisième cavité (307) ; l'orientation de la surface de la plaque résonante SAW vers le substrat, de telle sorte que la plaque résonante SAW est liée au substrat et ferme la première cavité (402) ; l'orientation de la surface de la structure résonante BAW vers le substrat, de telle sorte que la structure résonante BAW est liée au substrat et ferme la seconde cavité (412) ; et la connexion électrique du circuit de commande à la première électrode d'entrée, à la première électrode de sortie, à la seconde électrode d'entrée et à la seconde électrode de sortie. La structure ci-dessus empêche les problèmes observés dans l'état antérieur de la technique, tels que des processus de connexion électrique complexes, une perte d'insertion excessive, et analogues, qui sont provoqués par l'intégration de filtres SAW et de filtres BAW dans des PCB en tant que composants séparés, et permet d'obtenir un niveau élevé d'intégration et de réduire les coûts de traitement.
(ZH)
一种控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构。该方法包括:提供基底,基底形成有控制电路;在基底上形成第一空腔(402)和第二空腔(412);提供SAW谐振片和BAW谐振结构,SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极,BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极,BAW谐振结构包括第三空腔(307);将SAW谐振片的表面朝向基底,使SAW谐振片键合于基底且封闭第一空腔(402);将BAW谐振结构的表面朝向基底,使BAW谐振结构键合于基底且封闭第二空腔(412);将控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。上述结构可以避免现有SAW滤波器以及BAW滤波器作为分立器件集成于PCB导致的电连接工艺复杂、插入损耗大等问题,集成度高、降低工艺成本。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau