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1. WO2020134601 - INTEGRATED STRUCTURE OF AND INTEGRATED METHOD FOR CRYSTAL RESONATOR AND CONTROL CIRCUIT

Publication Number WO/2020/134601
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/115651
International Filing Date 05.11.2019
IPC
H03H 9/02 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
CPC
H03H 3/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
H03H 9/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/205
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
205having multiple resonators
Applicants
  • 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 NINGBO SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL CORPORATION (SHANGHAI BRANCH) [CN]/[CN]
Inventors
  • 秦晓珊 QIN, Xiaoshan
Agents
  • 上海思捷知识产权代理有限公司 SHANGHAI SAVVY IP AGENCY CO., LTD.
Priority Data
201811643071.829.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) INTEGRATED STRUCTURE OF AND INTEGRATED METHOD FOR CRYSTAL RESONATOR AND CONTROL CIRCUIT
(FR) STRUCTURE INTÉGRÉE ET PROCÉDÉ INTÉGRÉ POUR RÉSONATEUR À QUARTZ ET CIRCUIT DE COMMANDE
(ZH) 晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法
Abstract
(EN)
An integrated structure of and an integrated method for a crystal resonator and a control circuit. A lower cavity (120) is formed in a device wafer (100) provided with a control circuit (110), and a piezoelectric resonator sheet (200) is provided on the frontal surface (100U) of the device wafer (100); and a capping layer (420) is formed by means of a semiconductor planar process to cap the piezoelectric resonator sheet (200) in an upper cavity (400) to constitute a resonator. In addition, a semiconductor chip (500) can further be bonded to the back surface (100D) of the same device wafer (100) to facilitate further improving the integration of the crystal resonator and to achieve the on-chip modulation of parameters of the crystal resonator, so that the crystal resonator has a smaller size, the power consumed by the crystal resonator is reduced, and the crystal resonator is also easier to integrate with other semiconductor devices, thereby improving the integration of devices.
(FR)
Structure intégrée et procédé intégré pour un résonateur à quartz et circuit de commande. Une cavité inférieure (120) est formée dans une plaquette (100) de dispositif pourvue d'un circuit de commande (110), et une feuille de résonateur piézoélectrique (200) est disposée sur la surface frontale (100U) de la plaquette (100) de dispositif ; et une couche de recouvrement (420) est formée au moyen d'un processus plan semi-conducteur pour recouvrir la feuille de résonateur piézoélectrique (200) dans une cavité supérieure (400) pour constituer un résonateur. De plus, une puce à semi-conducteur (500) peut en outre être liée à la surface arrière (100D) de la même plaquette (100) de dispositif pour faciliter davantage l'amélioration de l'intégration du résonateur à quartz et pour réaliser la modulation sur puce de paramètres du résonateur à quartz, de telle sorte que le résonateur à quartz a une taille plus petite, la puissance consommée par le résonateur à quartz est réduite, et le résonateur à quartz est également plus facile à intégrer avec d'autres dispositifs à semi-conducteur, ce qui permet d'améliorer l'intégration de dispositifs.
(ZH)
一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路(110)的器件晶圆(100)中形成下空腔(120),并将压电谐振片(200)形成在器件晶圆(100)的正面(100U)上,以及利用半导体平面工艺形成封盖层(420)以将压电谐振片(200)封盖在上空腔(400)中构成谐振器。并且,还可将半导体芯片(500)进一步键合至同一器件晶圆(100)的背面(100D)上,有利于进一步提高晶体谐振器的集成度,并实现片上调制晶体谐振器的参数,具备更小的尺寸,有利于降低晶体谐振器的功耗,也更易于与其他半导体元器件集成,从而能够提高器件的集成度。
Also published as
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