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1. WO2020134596 - INTEGRATED STRUCTURE OF CRYSTAL RESONATOR AND CONTROL CIRCUIT, AND METHOD FOR INTEGRATION THEREOF

Publication Number WO/2020/134596
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/115644
International Filing Date 05.11.2019
IPC
H03H 9/05 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
05Holders or supports
CPC
H03H 3/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
H03H 9/05
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
H03H 9/0547
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
0547consisting of a vertical arrangement
H03H 9/10
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
10Mounting in enclosures
H03H 9/15
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
Applicants
  • 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 NINGBO SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL CORPORATION (SHANGHAI BRANCH) [CN]/[CN]
Inventors
  • 秦晓珊 QIN, Xiaoshan
Agents
  • 上海思捷知识产权代理有限公司 SHANGHAI SAVVY IP AGENCY CO., LTD.
Priority Data
201811643174.429.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) INTEGRATED STRUCTURE OF CRYSTAL RESONATOR AND CONTROL CIRCUIT, AND METHOD FOR INTEGRATION THEREOF
(FR) STRUCTURE INTÉGRÉE DE RÉSONATEUR À QUARTZ ET CIRCUIT DE COMMANDE, ET SON PROCÉDÉ D'INTÉGRATION
(ZH) 晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法
Abstract
(EN)
Provided are an integrated structure (110) of a crystal resonator and a control circuit, and a method for integration thereof. A lower cavity (102) is formed in a device wafer (100) on which a control circuit (110) is formed and an upper cavity (310) is formed in a substrate (300), and a bonding process is used to bond the device wafer (100) and the substrate (300), sandwiching a piezoelectric resonator plate (200) between the device wafer (100) and the substrate (300); thus the integrated arrangement of a crystal resonator and the control circuit (110) is achieved; in addition, a semiconductor chip (600) is further bonded to the same semiconductor substrate, facilitating the achievement of parameters for modulation of a crystal resonator on a chip, improving device performance. Furthermore, in comparison with conventional crystal resonators, the present crystal resonator has a smaller size, helping to reduce the power consumption of the crystal resonator, and the present crystal resonator is also easier to integrate with other semiconductor components, thus improving the degree of integration of the device.
(FR)
L'invention concerne une structure intégrée (110) d'un résonateur à quartz et un circuit de commande, et son procédé d'intégration. Une cavité inférieure (102) est formée dans une tranche de dispositif (100) sur laquelle est formé un circuit de commande (110) et une cavité supérieure (310) est formée dans un substrat (300), et un processus de liaison est utilisé pour lier la tranche de dispositif (100) et le substrat (300), en prenant en sandwich une plaque de résonateur piézoélectrique (200) entre la tranche de dispositif (100) et le substrat (300) ; ce qui permet d'obtenir l'agencement intégré d'un résonateur à quartz et du circuit de commande (110) ; de plus, une puce à semi-conducteur (600) est en outre liée au même substrat semi-conducteur, ce qui facilite l'obtention de paramètres pour la modulation d'un résonateur à quartz sur une puce et d'améliorer les performances du dispositif. En outre, par rapport aux résonateurs à quartz classiques, le présent résonateur à quartz a une taille plus petite, ce qui contribue à réduire la consommation d'énergie du résonateur à quartz, et le présent résonateur à quartz est également plus facile à intégrer avec d'autres composants à semi-conducteur, ce qui améliore le degré d'intégration du dispositif.
(ZH)
一种晶体谐振器与控制电路(110)的集成结构及其集成方法。通过在形成有控制电路(110)的器件晶圆(100)中形成下空腔(102)以及在基板(300)中形成上空腔(310),并利用键合工艺使器件晶圆(100)和基板(300)键合,以将压电谐振片(200)夹持在器件晶圆(100)和基板(300)之间,从而实现晶体谐振器和控制电路(110)的集成设置,此外还将半导体芯片(600)进一步键合至同一半导体衬底上,有利于实现片上调制晶体谐振器的参数,提高器件性能。并且,相比于传统的晶体谐振器,该晶体谐振器具备更小的尺寸,有利于降低晶体谐振器的功耗,以及该晶体谐振器也更易于与其他半导体元器件集成,从而能够提高器件的集成度。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau