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1. WO2020134595 - INTEGRATED STRUCTURE OF CRYSTAL RESONATOR AND CONTROL CIRCUIT AND INTEGRATION METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/134595
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/115643
International Filing Date 05.11.2019
IPC
H03H 9/02 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/17 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
17having a single resonator
CPC
H01L 21/77
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
H01L 27/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
20including piezo-electric components; including electrostrictive components; including magnetostrictive components
H03H 9/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/17
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
17having a single resonator
Applicants
  • 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 NINGBO SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL CORPORATION (SHANGHAI BRANCH) [CN]/[CN]
Inventors
  • 秦晓珊 QIN, Xiaoshan
Agents
  • 上海思捷知识产权代理有限公司 SHANGHAI SAVVY IP AGENCY CO., LTD.
Priority Data
201811647856.229.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) INTEGRATED STRUCTURE OF CRYSTAL RESONATOR AND CONTROL CIRCUIT AND INTEGRATION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE INTÉGRÉE DE RÉSONATEUR À QUARTZ ET CIRCUIT DE COMMANDE ET SON PROCÉDÉ D'INTÉGRATION
(ZH) 晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法
Abstract
(EN)
The present invention provides an integrated structure of a crystal resonator and a control circuit and an integration method therefor. A lower cavity is formed in a device wafer and an upper cavity is formed in a substrate, the device wafer and the substrate are bonded by a bonding process to clamp a piezoelectric resonator between the device wafer and the substrate, the lower cavity and the upper cavity respectively correspond to the two sides of the piezoelectric resonator to form the crystal resonator, and the crystal resonator is electrically connected to the control circuit, thereby realizing the integrated arrangement of the crystal resonator and the control circuit. Compared with a conventional crystal resonator, the crystal resonator in the present invention has smaller size, thereby facilitating reducing power consumption of the crystal resonator; moreover, the crystal resonator in the present invention is also easier to be integrated with other semiconductor devices, thereby improving the integration level of the device.
(FR)
La présente invention concerne une structure intégrée d'un résonateur à quartz et un circuit de commande et son procédé d'intégration. Une cavité inférieure est formée dans une tranche de dispositif et une cavité supérieure est formée dans un substrat, la tranche de dispositif et le substrat sont liés par un processus de liaison pour serrer un résonateur piézoélectrique entre la tranche de dispositif et le substrat, la cavité inférieure et la cavité supérieure correspondent respectivement aux deux côtés du résonateur piézoélectrique pour former le résonateur à quartz, et le résonateur à quartz est électriquement connecté au circuit de commande, réalisant ainsi l'agencement intégré du résonateur à quartz et du circuit de commande. Par comparaison avec un résonateur à quartz classique, le résonateur à quartz de la présente invention présente une taille plus petite, ce qui facilite la réduction de la consommation d'énergie du résonateur à quartz ; de plus, le résonateur à quartz de la présente invention est également plus facile à intégrer à d'autres dispositifs à semi-conducteurs, ce qui permet d'améliorer le niveau d'intégration du dispositif.
(ZH)
本发明提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。通过在器件晶圆中形成下空腔以及在基板中形成上空腔,并利用键合工艺使器件晶圆和基板键合,以将压电谐振片夹持在器件晶圆和基板之间,并使下空腔和上空腔分别对应在压电谐振片的两侧以构成晶体谐振器,同时还使晶体谐振器电连接控制电路,实现了晶体谐振器和控制电路的集成设置。相比于传统的晶体谐振器,本发明中的晶体谐振器具备更小的尺寸,有利于降低晶体谐振器的功耗,并且本发明中的晶体谐振器更也易于与其他半导体元器件集成,从而能够提高器件的集成度。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau