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1. WO2020134572 - MEMORY BUILT-IN SELF-TEST CIRCUIT AND TEST METHOD FOR MEMORY

Publication Number WO/2020/134572
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/115239
International Filing Date 04.11.2019
IPC
G11C 29/12 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing
CPC
G11C 29/12
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] ; or interconnection details
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 张先富 ZHANG, Xianfu
  • 王正波 WANG, Zhengbo
Agents
  • 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
201811645058.629.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) MEMORY BUILT-IN SELF-TEST CIRCUIT AND TEST METHOD FOR MEMORY
(FR) CIRCUIT D'AUTO-TEST INTÉGRÉ DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE TEST POUR MÉMOIRE
(ZH) 一种存储器内建自测试电路和对存储器的测试方法
Abstract
(EN)
Disclosed in embodiments of the present application are a memory built-in self-test (MBIST) circuit and a test method for a memory, for use in reducing the development costs of modifying an MBIST circuit-supported test algorithm. The MBIST circuit of the present application may comprise: an algorithm generation module, configured to sequentially construct each test element according to a target test instruction on the basis of background data, a pre-stored test element module, and a construction rule of each test element of a target test algorithm; and an algorithm execution module, configured to sequentially execute each test element for a memory to be tested.
(FR)
Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne un circuit d'auto-test intégré de mémoire (MBIST) et un procédé de test pour une mémoire, destinés à être utilisés pour réduire les coûts de développement de modification d'un algorithme de test pris en charge par un circuit MBIST. Le circuit MBIST de la présente invention peut comprendre : un module de génération d'algorithme, configuré pour construire séquentiellement chaque élément de test selon une instruction de test cible sur la base de données d'arrière-plan, un module d'élément de test pré-stocké, et une règle de construction de chaque élément de test d'un algorithme de test cible ; et un module d'exécution d'algorithme, configuré pour exécuter séquentiellement chaque élément de test pour une mémoire à tester.
(ZH)
本申请实施例公开了一种存储器内建自测试电路和对存储器的测试方法,用于降低修改MBIST电路支持的测试算法的开发成本。本申请存储器内建自测试MBIST电路可以包括:算法生成模块,用于按照目标测试指令根据背景数据、预存的测试元素模块和目标测试算法的各个测试元素的构造规则,依次构造各个测试元素;算法执行模块,用于对待测的存储器依次执行各个测试元素。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau