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1. WO2020134305 - METHOD FOR QUANTITATIVELY MEASURING CONTENT OF THIOL LIGAND ON QUANTUM DOT SURFACE

Publication Number WO/2020/134305
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/109684
International Filing Date 30.09.2019
IPC
G01N 27/416 2006.1
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
416Systems
G01N 1/28 2006.1
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
1Sampling; Preparing specimens for investigation
28Preparing specimens for investigation
CPC
G01N 1/28
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
1Sampling; Preparing specimens for investigation
28Preparing specimens for investigation ; including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
G01N 27/416
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
416Systems
Applicants
  • TCL科技集团股份有限公司 TCL TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventors
  • 霍蕊 HUO, Rui
  • 邓承雨 DENG, Chengyu
  • 芦子哲 LU, Zizhe
Agents
  • 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY(SHENZHEN)
Priority Data
201811626902.028.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR QUANTITATIVELY MEASURING CONTENT OF THIOL LIGAND ON QUANTUM DOT SURFACE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE QUANTITATIVE D'UNE TENEUR EN LIGAND THIOL SUR UNE SURFACE DE POINTS QUANTIQUES
(ZH) 一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法
Abstract
(EN)
A method for quantitatively measuring a content of a thiol ligand on a quantum dot surface. Bismuth vanadate (BiVO4) is a visible light responding semiconductor material, has a good photocatalytic activity, and also has a good photoelectric property. Photoelectrochemical (PEC) test is performed, during illumination, an electron hole in a ground state is separated, and it is detected that transited electrons can generate a current. Bismuth sulfide (Bi2S3), as a semiconductor material, can form a Bi2S3-BiVO4 heterojunction with the bismuth vanadate; such Bi2S3-BiVO4 heterojunction can improve the separation efficiency of the hole and the electron, and has a larger current strength than BiVO4 when performing PEC test. A proportion of the bismuth sulfide and the bismuth vanadate is within a certain range; the content of Bi2S3 is proportional to a size of a photocurrent; and by testing the size of the photocurrent, quantitative calculation of Bi2S3 can be implemented, i.e., the content of the thiol ligand on the quantum dot surface is obtained.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de mesure quantitative d'une teneur en ligand thiol sur une surface de points quantiques. Le vanadate de bismuth (BiVO4) est un matériau semi-conducteur réagissant à la lumière visible, qui présente une bonne activité photocatalytique ainsi qu'une bonne propriété photoélectrique. Un test photoélectrochimique (PEC) est réalisé, pendant l'éclairage, un trou d'électrons dans un état fondamental est séparé, et il est détecté que des électrons ayant transité peuvent générer un courant. Le sulfure de bismuth (Bi2S3), en tant que matériau semi-conducteur, peut former une hétérojonction Bi2S3-BiVO4 avec le vanadate de bismuth ; une telle hétérojonction Bi2S3-BiVO4 peut améliorer l'efficacité de séparation du trou et de l'électron, et présente une intensité de courant plus grande que BiVO4 lors du test PEC. Une proportion du sulfure de bismuth et du vanadate de bismuth se situe dans une certaine plage ; la teneur en Bi2S3 est proportionnelle à une taille d'un photocourant ; et en testant la taille du photocourant, un calcul quantitatif de Bi2S3 peut être mis en œuvre, c'est-à-dire que la teneur en ligand thiol sur la surface de points quantiques est obtenue.
(ZH)
一种定量检测量子点表面硫醇配体含量的方法,钒酸铋(BiVO 4)是一种可见光响应的半导体材料,具有良好的光催化活性,同时,具有良好的光电性质。进行光电测试(PEC),光照时,位于基态的电子空穴发生分离,跃迁的电子可产生电流被检测到。硫化铋(Bi 2S 3)作为一种半导体材料,可与钒酸铋形成Bi 2S 3-BiVO 4异质结,Bi 2S 3-BiVO 4这种异质结可以提高空穴和电子的分离效率,进行PEC测试时,比BiVO 4的电流强度大。在硫化铋与钒酸铋的比例一定范围内,Bi 2S 3的含量与光电流大小成正比,通过测试光电流大小,就可以实现Bi 2S 3的定量计算,也即得到量子点表面硫醇配体的含量。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau