(EN) A single crystal piezoelectric thin film bulk acoustic wave resonator and a forming method therefor, the forming method comprising: forming a piezoelectric structure and a bottom electrode on a donor substrate, wherein the bottom electrode is above the piezoelectric structure; forming a cavity at a top surface of a transfer substrate; detaching the piezoelectric structure and the bottom electrode from the donor substrate, and inverting and transferring same onto the transfer substrate, wherein the bottom electrode is above the transfer substrate and covers the cavity once the inverted transfer is complete, and the piezoelectric structure is above the bottom electrode; and forming a top electrode above the piezoelectric structure. The described method is simple and easy, and the resonator has good performance.
(FR) L’invention concerne un résonateur d’ondes acoustiques en volume à pellicule mince piézoélectrique monocristalline et son procédé de formation, le procédé de formation consistant : à former une structure piézoélectrique et une électrode inférieure sur un substrat donneur, l’électrode inférieure étant au-dessus de la structure piézoélectrique ; à former une cavité au niveau d'une surface supérieure d’un substrat de transfert ; à détacher la structure piézoélectrique et l’électrode inférieure du substrat donneur, et à les inverser et à les retourner sur le substrat de transfert, l’électrode inférieure étant au-dessus du substrat de transfert et recouvrant la cavité une fois que le transfert inversé est terminé, et la structure piézoélectrique étant au-dessus de l’électrode inférieure ; et à former une électrode supérieure au-dessus de la structure piézoélectrique. Le procédé selon l’invention est simple et facile, et le résonateur a une bonne performance.
(ZH) 一种单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法，该形成方法包括：在供体基底之上形成压电结构和底电极，其中底电极在压电结构之上；在转移基底的顶表面形成空腔；将压电结构和底电极脱离供体基底并且倒置转移到转移基底之上，并且其中，倒置转移完毕后底电极在转移基底之上并且覆盖空腔，压电结构在底电极之上；在压电结构之上形成顶电极。该方法简便易行，该谐振器性能良好。