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1. WO2020132915 - DIELECTRIC DUPLEXER

Publication Number WO/2020/132915
Publication Date 02.07.2020
International Application No. PCT/CN2018/123755
International Filing Date 26.12.2018
IPC
H01P 1/20 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
CPC
H01P 1/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 梁丹 LIANG, Dan
  • 张晓峰 ZHANG, Xiaofeng
  • 赵国帅 ZHAO, Guoshuai
Agents
  • 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) DIELECTRIC DUPLEXER
(FR) DUPLEXEUR DIÉLECTRIQUE
(ZH) 一种介质双工器
Abstract
(EN)
A dielectric duplexer, which reduces the overall size of the duplexer and reduced production cost. The dielectric duplexer comprises: a dielectric body (200). The dielectric body (200) is provided thereon with an input and output structure (201), a tap (202), a first resonance structure (203) and a second resonance structure (204); the tap (202), the input and output structure (201), the first resonance structure (203) and the second resonance structure (204) are all cavities provided on the surfaces of the dielectric body (200), and the tap (202) and the input and output structure (201) are provided on different surfaces of the dielectric body (200); the tap (202) and the input and output structure (201) are located between the first resonance structure (203) and the second resonance structure (204); the first resonance structure (203) and the dielectric body (200) surrounding the first resonance structure (203) constitute a first resonator; the second resonance structure (204) and the dielectric body (200) surrounding the second resonance structure (204) constitute a second resonator; the surfaces of the input and output structure (201), the tap (202), the first resonance structure (203) and the second resonance structure (204) are coveredby a conductive layer; and the surfaces of the dielectric body (200) are all covered by a conductive layer except for in the area surrounding the input and output structure (201).
(FR)
La présente invention concerne un duplexeur diélectrique, et permet de réduire la taille globale du duplexeur et le coût de production. Le duplexeur diélectrique comprend un corps diélectrique (200). Le corps diélectrique (200) est doté d'une structure d'entrée et de sortie (201), d'une prise (202), d'une première structure de résonance (203) et d'une seconde structure de résonance (204); la prise (202), la structure d'entrée et de sortie (201), la première structure de résonance (203) et la seconde structure de résonance (204) étant toutes des cavités placées sur les surfaces du corps diélectrique (200), et la prise (202) et la structure d'entrée et de sortie (201) étant placées sur différentes surfaces du corps diélectrique (200); la prise (202) et la structure d'entrée et de sortie (201) sont situées entre la première structure de résonance (203) et la seconde structure de résonance (204); la première structure de résonance (203) et le corps diélectrique (200) entourant la première structure de résonance (203) constituent un premier résonateur; la seconde structure de résonance (204) et le corps diélectrique (200) entourant la seconde structure de résonance (204) constituent un second résonateur; les surfaces de la structure d'entrée et de sortie (201), la prise (202), la première structure de résonance (203) et la seconde structure de résonance (204) sont recouvertes par une couche conductrice; et les surfaces du corps diélectrique (200) sont toutes recouvertes par une couche conductrice sauf dans la zone entourant la structure d'entrée et de sortie (201).
(ZH)
一种介质双工器,使得双工器的整体尺寸更小,降低了生成成本。该介质双工器包括:介质本体(200),介质本体(200)上设置有输入输出结构(201)、抽头(202)、第一谐振结构(203)以及第二谐振结构(204),抽头(202)、输入输出结构(201)、第一谐振结构(203)以及第二谐振结构(204)均为在介质本体(200)的表面上开设的腔体,抽头(202)与输入输出结构(201)开设在介质本体(200)不同的表面上,抽头(202)和输入输出结构(201)位于第一谐振结构(203)和第二谐振结构(204)之间,第一谐振结构(203)以及第一谐振结构(203)周围的介质本体(200)构成第一谐振器,第二谐振结构(204)以及第二谐振结构(204)周围的介质本体(200)构成第二谐振器,输入输出结构(201)、抽头(202)、第一谐振结构(203)以及第二谐振结构(204)的表面覆盖导电层,介质本体(200)的表面上除环绕输入输出结构(201)的区域外均覆盖有导电层。
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