Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020124419 - INGAN EPITAXIAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Publication Number WO/2020/124419
Publication Date 25.06.2020
International Application No. PCT/CN2018/122002
International Filing Date 19.12.2018
IPC
H01L 21/02 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Applicants
  • 华南师范大学 SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventors
  • 内策尔·理查德 NOTZEL, Richard
  • 王朋 WANG, Peng
  • 周国富 ZHOU, Guofu
  • 桑吉内蒂·斯特凡诺 SANGUINETTI, Stefano
Agents
  • 广州嘉权专利商标事务所有限公司 JIAQUAN IP LAW FIRM
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) INGAN EPITAXIAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) COUCHE DE ÉPITAXIALE D'INGAN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种InGaN外延层及其制造方法
Abstract
(EN)
Provided are a method for preparing an InGaN epitaxial layer on a Si substrate (12) and a silicon-based InGaN epitaxial layer prepared by employing the method. The preparation method comprises the following steps: 1) directly growing a first InGaN layer (11) on a Si substrate (12); and 2) growing a second InGaN layer on the first InGaN layer (11).
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche épitaxiale d'InGaN sur un substrat de Si (12) et une couche épitaxiale d'InGaN à base de silicium préparée en employant le procédé. Le procédé de préparation comprend les étapes suivantes : 1) la croissance directe d'une première couche d'InGaN (11) sur un substrat de Si (12); et 2) la croissance d'une seconde couche d'InGaN sur la première couche d'InGaN (11).
(ZH)
一种在Si衬底(12)上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。该方法包括以下步骤:1)在Si衬底(12)上直接生长第一InGaN层(11);和,2)在所述第一InGaN层(11)上生长第二InGaN层。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau