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1. WO2020116528 - ELASTIC WAVE APPARATUS

Publication Number WO/2020/116528
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/047470
International Filing Date 04.12.2019
IPC
H03H 9/145 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
125Driving means, e.g. electrodes, coils
145for networks using surface acoustic waves
H03H 9/25 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
H03H 9/64 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
46Filters
64using surface acoustic waves
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 大村 正志 OMURA, Masashi
  • 木村 哲也 KIMURA, Tetsuya
Agents
  • 特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE
Priority Data
2018-22942906.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) ELASTIC WAVE APPARATUS
(FR) APPAREIL À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abstract
(EN)
Provided is an elastic wave apparatus that is capable of improving resonance characteristics. An elastic wave apparatus (1) is provided with a support substrate, an acoustic reflection layer (3), a piezoelectric layer (4), and an IDT electrode (5). In the acoustic reflection layer (3), a high acoustic impedance layer (31) and/or a low acoustic impedance layer is an electroconductive layer. When the wavelength of an elastic wave determined by an electrode finger pitch (P1) of the IDT electrode (5) is λ, and a region between an envelope line (L1) for the leading ends of a plurality of first electrode fingers (53) and an envelope line (L2) for the leading ends of a plurality of second electrode fingers (54) is defined as an intersection region (55), the electroconductive layer (high acoustic impedance layer 31) overlaps at least the intersection region (55) in a planar view in the thickness direction of the support substrate, and the distance (d1) from the leading ends of the plurality of first electrode fingers (53) to an end of the electroconductive layer (end 31A of the high acoustic impedance layer 31), in the extension direction of the plurality of first electrode fingers (53), is greater than 0 λ but not greater than 12 λ.
(FR)
L'invention concerne un appareil à ondes élastiques qui est apte à améliorer des caractéristiques de résonance. Un appareil à ondes élastiques (1) est pourvu d'un substrat de support, d'une couche de réflexion acoustique (3), d'une couche piézoélectrique (4) et d'une électrode IDT (5). Dans la couche de réflexion acoustique (3), une couche d'impédance acoustique élevée (31) et/ou une couche à faible impédance acoustique est une couche électroconductrice. Lorsque la longueur d'onde d'une onde élastique déterminée par un pas de doigt d'électrode (P1) de l'électrode IDT (5) est λ, et une région entre une ligne d'enveloppe (L1) pour les extrémités avant d'une pluralité de premiers doigts d'électrode (53) et une ligne d'enveloppe (L2) pour les extrémités avant d'une pluralité de seconds doigts d'électrode (54) est définie comme une région d'intersection (55), la couche électroconductrice (couche d'impédance acoustique élevée 31) chevauche au moins la région d'intersection (55) dans une vue en plan dans la direction de l'épaisseur du substrat de support, et la distance (d1) à partir des extrémités avant de la pluralité de premiers doigts d'électrode (53) à une extrémité de la couche électroconductrice (extrémité 31A de la couche d'impédance acoustique élevée 31), dans la direction d'extension de la pluralité de premiers doigts d'électrode (53), est supérieure à 0 λ mais n'est pas supérieure à 12 λ.
(JA)
共振特性を向上させることが可能な弾性波装置を提供する。弾性波装置(1)は、支持基板と、音響反射層(3)と、圧電体層(4)と、IDT電極(5)と、を備える。音響反射層(3)では、高音響インピーダンス層(31)及び低音響インピーダンス層の少なくとも1つが導電層である。IDT電極(5)の電極指ピッチ(P1)により定まる弾性波の波長をλとし、複数の第1電極指(53)の先端の包絡線(L1)と複数の第2電極指(54)の先端の包絡線(L2)との間の領域を交差領域(55)としたときに、支持基板の厚さ方向からの平面視において、導電層(高音響インピーダンス層31)が少なくとも交差領域(55)に重複し、複数の第1電極指(53)の延びている方向で複数の第1電極指(53)の先端から導電層の端(高音響インピーダンス層31の端31A)まで距離(d1)が0より大きく12λ以下である。
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