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1. WO2020116448 - REFLOW-COMPATIBLE DICING TAPE

Publication Number WO/2020/116448
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/047232
International Filing Date 03.12.2019
IPC
H01L 21/301 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
301to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions
Applicants
  • 古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 浅沼 匠 ASANUMA Takumi
Agents
  • アインゼル・フェリックス=ラインハルト EINSEL Felix-Reinhard
  • 前川 純一 MAEKAWA Junichi
  • 二宮 浩康 NINOMIYA Hiroyasu
  • 上島 類 UESHIMA Rui
  • 住吉 秀一 SUMIYOSHI Shuichi
Priority Data
2018-22696304.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) REFLOW-COMPATIBLE DICING TAPE
(FR) BANDE DE DÉCOUPAGE EN DÉS POUR REFUSION
(JA) リフロー対応ダイシングテープ
Abstract
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a reflow-compatible dicing tape having excellent contamination resistance by preventing the occurrence of outgassing from a radiation-curing adhesive layer. A reflow-compatible dicing tape according to the present invention is provided with a base material layer and a radiation-curing adhesive layer provided on said base material layer. After a silicon wafer is bonded to the radiation-curing adhesive layer, the layered body is irradiated with radiation and is then heat-treated for 10 minutes at 210°C. After said heat treatment, the bonded surface of the silicon wafer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy when the silicon wafer is peeled from the radiation-curing adhesive layer. The carbon content at this time is 30 mol% or less.
(FR)
L'invention concerne une bande de découpage en dé pour refusion, laquelle empêche la génération de gaz à partir d'une couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement et laquelle possède une excellente propriété de résistance à la contamination. Cette bande de découpage en dés pour refusion comporte: une couche de base et une couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement située sur la couche de base. Après avoir collé une plaquette de silicium sur la couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement et soumis la couche au rayonnement, un traitement thermique de 10 minutes à 210°C est effectué. Après ce traitement thermique, lors du retrait de la plaquette de silicium de la couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement, la quantité de carbone mesurée sur la surface collée de la plaquette de silicium par spectroscopie photoélectronique à rayons X, est inférieure ou égale à 30% molaires.
(JA)
本発明の目的は、放射線硬化型粘着剤層からのアウトガスの発生を防止して優れた耐汚染性を有するリフロー対応ダイシング用テープを提供することにある。 基材層と該基材層上に設けられた放射線硬化型粘着剤層を備え、前記放射線硬化型粘着剤層にシリコンウエハを貼りあわせた後に、放射線照射してから210℃にて10分の加熱処理をし、該加熱処理後に前記放射線硬化型粘着剤層から前記シリコンウエハを剥離させた際における前記シリコンウエハの貼り合わせ面をX線光電子分光法にて測定した際の炭素量が、30mol%以下であるリフロー対応ダイシングテープ。
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