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1. WO2020116340 - METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL

Publication Number WO/2020/116340
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/046782
International Filing Date 29.11.2019
IPC
H01L 31/18 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
H01L 21/225 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions; Redistribution of impurity materials, e.g. without introduction or removal of further dopant
225using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
Applicants
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
Inventors
  • 弓場智之 YUBA, Tomoyuki
  • 門田祥次 KADOTA, Shoji
  • 守屋豪 MORIYA, Go
Priority Data
2018-22958307.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法
Abstract
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a method for producing a semiconductor element, which enables a solar cell having a selective emitter structure to be produced using a simple method without the need for complex equipment, with the impurity concentration in the semiconductor element exhibiting excellent in-plane uniformity, and a method for producing a solar cell. In order to achieve the foregoing, the present invention is a method for producing a semiconductor element by forming, on a semiconductor substrate, impurity diffusion layer regions which are of the same type but which have impurity concentrations that differ by two or more levels. Of these regions, impurity diffusion layer regions having impurity concentrations that differ by two or more levels are formed by means of a method that includes a step for coating an impurity diffusion composition (a) on the semiconductor substrate so as to partially form an impurity diffusion composition film (b) and a step for heating the impurity diffusion composition film so as to cause impurities to diffuse into the semiconductor substrate and form an impurity diffusion layer region (c). The impurity diffusion composition (a) contains (a-1) a polymer of a silane compound having a specific structure and (a-2) an impurity diffusion component.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un procédé de production d'un élément semi-conducteur, qui permet de produire une cellule solaire ayant une structure d'émetteur sélective à l'aide d'un procédé simple sans nécessiter d'équipement complexe, la concentration en impuretés dans l'élément semi-conducteur présentant une excellente uniformité dans le plan, et un procédé de production d'une cellule solaire. Afin d'atteindre ce qui précède, la présente invention est un procédé de production d'un élément semi-conducteur par formation, sur un substrat semi-conducteur, de régions de couche de diffusion d'impuretés qui sont du même type mais qui ont des concentrations d'impuretés qui diffèrent d'au moins deux niveaux. De ces régions, des régions de couche de diffusion d'impuretés ayant des concentrations d'impuretés qui diffèrent d'au moins deux niveaux sont formées au moyen d'un procédé qui comprend une étape de revêtement d'une composition de diffusion d'impuretés (a) sur le substrat semi-conducteur de façon à former partiellement un film de composition de diffusion d'impuretés (b) et une étape consistant à chauffer le film de composition de diffusion d'impuretés de façon à amener les impuretés à se diffuser dans le substrat semi-conducteur et à former une région de couche de diffusion d'impuretés (c). La composition de diffusion d'impuretés (a) contient (a -1) un polymère d'un composé de silane ayant une structure spécifique et (a-2) un composant de diffusion d'impuretés.
(JA)
本発明は、選択エミッタ構造を有する太陽電池を、複雑な装置を必要とせず簡便な方法で製造することを可能にし、不純物濃度の面内の均一性に優れた半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達するための本発明は、半導体基板上に2水準以上の異なる不純物濃度で同じ型の不純物拡散層領域を形成する半導体素子の製造方法であって、うち、少なくとも1水準以上の不純物拡散層領域が、不純物拡散組成物(a)を半導体基板に塗布して部分的に不純物拡散組成物膜(b)を形成する工程とそれを加熱して不純物を半導体基板に拡散させて不純物拡散層領域(c)を形成する工程を含む方法により形成され、不純物拡散組成物(a)が (a-1)特定の構造を有するシラン化合物の重合体、および (a-2)不純物拡散成分 を含む半導体素子の製造方法である。
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