Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020116256 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

Publication Number WO/2020/116256
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/046233
International Filing Date 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
CPC
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Applicants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventors
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
Agents
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Priority Data
2018-22923006.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abstract
(EN)
The present invention provides a technology which enables good introduction of high frequency waves into a space between an upper electrode and a stage in a plasma processing apparatus. A plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment of the present invention is provided with: a processing container; a stage which is provided within the processing container; an upper electrode which is provided above the surface of the stage with a space within the processing container being interposed therebetween; a waveguide which introduces high frequency waves in the VHF band or in the UHF band into the space; and a conductive part which extends between the outer peripheral part of the stage and the side wall of the processing container. The stage has a metal layer; the outer peripheral part of the stage contains a part of the metal layer; the waveguide has an end from which high frequency waves are irradiated; the end is arranged so as to face the space; the side wall is grounded; and the conductive part is electrically connected to the metal layer and the side wall of the processing container, while extending from the outer peripheral part toward the side wall so that the high frequency waves irradiated from the end are introduced into the space.
(FR)
La présente invention concerne une technologie qui permet une bonne introduction d'ondes haute fréquence dans un espace compris entre une électrode supérieure et une platine dans un appareil de traitement au plasma. Un appareil de traitement au plasma selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple de la présente invention comprend : un contenant de traitement ; une platine qui est disposée à l'intérieur du contenant de traitement ; une électrode supérieure qui est disposée au-dessus de la surface de la platine avec un espace entre elles à l'intérieur du contenant de traitement ; un guide d'ondes qui introduit des ondes haute fréquence, comprises dans la bande VHF ou dans la bande UHF, dans l'espace ; et une partie conductrice qui s'étend entre la partie périphérique extérieure de la platine et la paroi latérale du contenant de traitement. La platine comprend une couche métallique ; la partie périphérique extérieure de la platine contient une partie de la couche métallique ; le guide d'ondes présente une extrémité à partir de laquelle des ondes haute fréquence sont rayonnées ; l'extrémité est agencée de façon à faire face à l'espace ; la paroi latérale est mise à la masse ; et la partie conductrice est électriquement connectée à la couche métallique et à la paroi latérale du contenant de traitement, tout en s'étendant de la partie périphérique extérieure vers la paroi latérale, de telle sorte que les ondes haute fréquence rayonnées à partir de l'extrémité soient introduites dans l'espace.
(JA)
プラズマ処理装置において上部電極とステージとの間の空間に高周波を良好に導入し得る技術を提供する。例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、処理容器内に設けられたステージと、ステージの表面の上方に処理容器内の空間を介して設けられた上部電極と、VHF帯又はUHF帯の高周波を空間に導入する導波路と、ステージの外周部と処理容器の側壁との間に延びている導電部とを備える。ステージは金属層を有し、ステージの外周部は金属層の一部を含み、導波路は高周波が放射される端部を備え、端部は空間に向いて配置され、側壁は接地され、導電部は金属層と処理容器の側壁とに電気的に接続され、端部から放射される高周波が空間に導入されるように外周部から側壁に向けて延びている。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau