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1. WO2020116247 - PLASMA PROCESSING DEVICE AND LOWER STAGE

Publication Number WO/2020/116247
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/046216
International Filing Date 26.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
H01L 21/683 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
683for supporting or gripping
Applicants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventors
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 田中 澄 TANAKA Sumi
  • 川上 聡 KAWAKAMI Satoru
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
Agents
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Priority Data
2018-22924906.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND LOWER STAGE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET ÉTAGE INFÉRIEUR
(JA) プラズマ処理装置及び下部ステージ
Abstract
(EN)
According to the present invention, a plasma processing device which can enhance the in-plane uniformity of plasma and a lower stage used for the same are anticipated. In one exemplary embodiment, the lower stage is for a lower stage which generates plasma with an upper electrode. The lower stage is provided with: a lower dielectric formed of ceramics; a lower electrode embedded in the lower dielectric; and a heating body embedded in the lower dielectric. The separation distance between the upper surface of a central region of the lower dielectric and the lower electrode is not smaller than the separation distance between the upper surface of an outer edge position of the lower dielectric and the lower electrode. The lower electrode has an inclination region inclined with respect to the upper surface between the outer edge position and the central region.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma qui peut améliorer l'uniformité dans le plan du plasma et un étage inférieur utilisé pour celui-ci. Dans un mode de réalisation cité à titre d'exemple, l'étage inférieur est destiné à un étage inférieur qui génère un plasma avec une électrode supérieure. L'étage inférieur comprend : un diélectrique inférieur formé de céramique ; une électrode inférieure incorporée dans le diélectrique inférieur ; et un corps chauffant intégré dans le diélectrique inférieur. La distance de séparation entre la surface supérieure d'une région centrale du diélectrique inférieur et l'électrode inférieure n'est pas inférieure à la distance de séparation entre la surface supérieure d'une position de bord externe du diélectrique inférieur et de l'électrode inférieure. L'électrode inférieure a une région d'inclinaison inclinée par rapport à la surface supérieure entre la position de bord externe et la région centrale.
(JA)
プラズマの面内均一性を向上可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる下部ステージが期待されている。一つの例示的実施形態において、下部ステージは、上部電極との間にプラズマを発生させるための下部ステージを対象とする。下部ステージは、セラミックスからなる下部誘電体と、下部誘電体内に埋設された下部電極と、下部誘電体内に埋設された発熱体と、を備えている。下部誘電体の中央領域の上部表面と下部電極との間の離隔距離よりも、下部誘電体の外縁位置の上部表面と下部電極との間の離隔距離は小さい。下部電極は、上記外縁位置と上記中央領域との間に、上記上部表面に対して傾斜した傾斜領域を有している。
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