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1. WO2020116165 - SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Publication Number WO/2020/116165
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/045434
International Filing Date 20.11.2019
IPC
H01S 5/022 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
Applicants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 山口 敦司 YAMAGUCHI Atsushi
  • 坂本 晃輝 SAKAMOTO Koki
Agents
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
Priority Data
2018-22779605.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abstract
(EN)
A semiconductor laser device A1 is provided with: a semiconductor laser element 4; a switching element 5 having a gate electrode 52, a source electrode 53, and a drain electrode 54; and a support member 1 that has an electroconduction part 3 constituting an electroconduction pathway to the switching element 5 and to the semiconductor laser element 4, and that supports the semiconductor laser element 4 and the switching element 5. The electroconduction part 3 has a principal surface first part 311 that is separated from the semiconductor laser element 4. The semiconductor laser device A1 is provided with one or more first wires 71 connected to the source electrode 53 of the switching element 5 and to the semiconductor laser element 4, and one or more second wires 72 connected to the source electrode 53 of the switching element 5 and to the principal surface first part 311 of the electroconduction part 3. Due to this configuration, it is possible to reduce an inductance component of the semiconductor laser device A1.
(FR)
L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur A1 comprenant : un élément laser à semi-conducteur 4 ; un élément de commutation 5 ayant une électrode de grille 52, une électrode de source 53, et une électrode de drain 54 ; et un élément de support 1 qui a une partie d'électro-conduction 3 constituant une voie d'électro-conduction vers l'élément de commutation 5 et vers l'élément laser à semi-conducteur 4, et qui supporte l'élément laser à semi-conducteur 4 et l'élément de commutation 5. La partie d'électro-conduction 3 a une première partie de surface principale 311 qui est séparée de l'élément laser à semi-conducteur 4. Le dispositif laser à semi-conducteur A1 comporte un ou plusieurs premiers fils 71 connectés à l'électrode de source 53 de l'élément de commutation 5 et à l'élément laser à semi-conducteur 4, et un ou plusieurs seconds fils 72 connectés à l'électrode de source 53 de l'élément de commutation 5 et à la première partie de surface principale 311 de la partie d'électro-conduction 3. En raison de cette configuration, il est possible de réduire une composante d'inductance du dispositif laser à semi-conducteur A1.
(JA)
半導体レーザ装置A1は、半導体レーザ素子4と、ゲート電極52、ソース電極53およびドレイン電極54を有するスイッチング素子5と、スイッチング素子5および半導体レーザ素子4への導通経路を構成する導電部3を有し且つ半導体レーザ素子4およびスイッチング素子5を支持する支持部材1と、を備える。導電部3は、半導体レーザ素子4から離間した主面第1部311を有する。半導体レーザ装置A1は、スイッチング素子5のソース電極53と半導体レーザ素子4とに接続された1以上の第1ワイヤ71と、スイッチング素子5のソース電極53と導電部3の主面第1部311とに接続された1以上の第2ワイヤ72と、を備える。このような構成により、半導体レーザ装置A1のインダクタンス成分の低減を図ることができる。
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