Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020116116 - SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2020/116116
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/044625
International Filing Date 14.11.2019
IPC
H01L 23/36 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heat sinks
CPC
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
Applicants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 大塚 拓一 OTSUKA Takukazu
Agents
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 鈴木 伸太郎 SUZUKI Shintaro
Priority Data
2018-22640803.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract
(EN)
A semiconductor (A10) is provided with: a conductive substrate (20); and a semiconductor element (40). The conductive substrate (20) has a main surface (20A) that is directed toward one side in the thickness direction (z), and a back surface (20B) that is directed toward a side opposite to the main surface (20A). The semiconductor element (40) is electrically joined to the main surface (20A). The conductive substrate (20) includes a first base layer (211), a second base layer (212), and a metal layer (22). Each of the first and second base layers (211), (212) is made of graphite in which layers of graphene are laminated. The metal layer (22) is interposed between the first and second base layers (211), (212). The layers of graphene in the first base layer (211) are laminated in a first laminating direction orthogonal to the thickness direction (z). The layers of graphene in the second base layer (212) are laminated in a second laminating direction orthogonal to the thickness direction (z) and crossing the first laminating direction.
(FR)
La présente invention concerne un semi-conducteur (A10) pourvu : d'un substrat conducteur (20) ; et d'un élément semi-conducteur (40). Le substrat conducteur (20) a une surface principale (20A) qui est dirigée vers un côté dans la sens de l'épaisseur (z), et une surface arrière (20B) qui est dirigée vers un côté en regard de la surface principale (20A). L'élément semi-conducteur (40) est relié électriquement à la surface principale (20A). Le substrat conducteur (20) comprend une première couche de base (211), une seconde couche de base (212) et une couche métallique (22). Chaque couche des première et seconde couches de base (211), (212) est constituée de graphite dans lequel des couches de graphène sont stratifiées. La couche métallique (22) est interposée entre les première et seconde couches de base (211), (212). Les couches de graphène dans la première couche de base (211) sont stratifiées dans une première direction de stratification orthogonale au sens de l'épaisseur (z). Les couches de graphène dans la seconde couche de base (212) sont stratifiées dans une seconde direction de stratification orthogonale au sens de l'épaisseur (z) et croisant la première direction de stratification.
(JA)
半導体装置(A10)は、導電基板(20)および半導体素子(40)を備える。導電基板(20)は、厚さ方向(z)の一方側を向く主面(20A)、および主面(20A)とは反対側を向く裏面(20B)を有する。半導体素子(40)は、主面(20A)に電気的に接合される。導電基板(20)は、第1基層(211)、第2基層(212)および金属層(22)を含む。第1基層(211)および第2基層(212)は、それぞれグラフェンが積層されたグラファイトからなる。金属層(22)は、第1基層(211)および第2基層(212)の間に介在する。第1基層(211)における前記グラフェンは、厚さ方向(z)に対して直角である第1積層方向に積層される。第2基層(212)における前記グラフェンは、厚さ方向(z)に対して直角であり、かつ前記第1積層方向に対して交差する第2積層方向に積層される。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau