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1. WO2020115838 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2020/115838
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/JP2018/044730
International Filing Date 05.12.2018
IPC
H01L 21/28 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/268158
Applicants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 井上 敦文 INOUE Atsufumi
  • 綿引 達郎 WATAHIKI Tatsuro
  • 松藤 健五 MATSUFUJI Kengo
  • 原 幸治郎 HARA Kojiro
Agents
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device which is capable of preventing organic contamination of an electrode in which a plurality of metal layers is stacked. This semiconductor device includes a semiconductor substrate and an electrode that has a plurality of layers stacked on the main surface of the semiconductor substrate. The electrode includes a first metal layer that includes Al and contacts the main surface of the semiconductor substrate, an oxidation layer that includes metal and oxygen and is provided on a surface of the first metal layer, and a second metal layer that is provided on a surface of the oxidation layer. The oxidation layer has an oxygen concentration of 8.0×1021/cm3 to 4.0×1022/cm3.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semiconducteur qui est capable d'empêcher la contamination organique d'une électrode dans laquelle une pluralité de couches métalliques est empilée. Ce dispositif à semiconducteur comprend un substrat semiconducteur et une électrode qui a une pluralité de couches empilées sur la surface principale du substrat semiconducteur. L'électrode comprend une première couche métallique qui comprend de l'Al et est en contact avec la surface principale du substrat semiconducteur, une couche d'oxydation qui comprend du métal et de l'oxygène et est disposée sur une surface de la première couche métallique, et une seconde couche métallique qui est disposée sur une surface de la couche d'oxydation. La couche d'oxydation a une concentration en oxygène de 8,0 × 1021/cm3 à 4,0×1022/cm3.
(JA)
複数の金属層が積層された電極における有機物汚染を防ぐことが可能な半導体装置を提供することを目的とする。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の主面に積層された複数の層を含む電極と、を含む。電極は、Alを含み、半導体基板の主面に接触している第1金属層と、金属と酸素とを含み、第1金属層の表面に設けられる酸化層と、酸化層の表面に設けられる第2金属層と、を含む。酸化層の酸素濃度は、8.0×1021/cm以上4.0×1022/cm以下である。
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