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1. WO2020113558 - VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER

Publication Number WO/2020/113558
Publication Date 11.06.2020
International Application No. PCT/CN2018/119796
International Filing Date 07.12.2018
IPC
H01S 5/183 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator
18Surface-emitting lasers
183having a vertical cavity
H01S 5/187 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator
18Surface-emitting lasers
187using a distributed Bragg reflector
CPC
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
H01S 5/18361
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18361Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
H01S 5/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
187using a distributed Bragg reflector [SE-DBR-lasers]
Applicants
  • 深亮智能技术(中山)有限公司 BRIGHTINTELLIGENCE TECHNOLOGIES (ZHONGSHAN) CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 陈柱元 CHAN, Michael C. Y.
  • 罗玉辉 LUO, Yuhui
Agents
  • 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) GUANGZHOU HAIXIN UNION PATENT LAW OFFICE
Priority Data
201811477564.905.12.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER
(FR) LASER À CAVITÉ VERTICALE ET À ÉMISSION PAR LA SURFACE
(ZH) 一种垂直腔面发射激光器
Abstract
(EN)
A vertical-cavity surface-emitting laser, comprising a substrate (100), wherein a base plate (101), bottom n-type distributed Bragg reflector (DBR) (102), first oxidation confinement layer (104), n-type guide spacer layer (105), active region layer (106), p-type graded spacer layer (107), second oxidation confinement layer (108), first spacer layer (109), third oxidation confinement layer (110), second spacer layer (111), fourth oxidation confinement layer (112), third spacer layer (113), fifth oxidation confinement layer (114), fourth spacer layer (115), sixth oxidation confinement layer (116), fifth spacer layer (117), seventh oxidation confinement layer (118), sixth spacer layer (119), eighth oxidation confinement layer (120), top p-type DBR (121), p-type contact layer (122) and p-side electrode (123) are successively stacked on the substrate (100); and a surface of the substrate (100) far from the base plate (101) is provided with an n-side electrode. The advantages of the present invention lie in: being able to stably implement a single-mode operation, and having the advantages of low optical loss, low energy consumption and low parasitic capacitance.
(FR)
La présente invention porte sur un laser à cavité verticale et à émission par la surface, comprenant un substrat (100) sur lequel sont empilés successivement une plaque de base (101), un réflecteur Bragg distribué (DBR) du type n inférieur (102), une première couche de confinement d'oxydation (104), une couche d'espacement de guide du type n (105), une couche de région active (106), une couche d'espacement à gradient du type p (107), une deuxième couche de confinement d'oxydation (108), une première couche d'espacement (109), une troisième couche de confinement d'oxydation (110), une deuxième couche d'espacement (111), une quatrième couche de confinement d'oxydation (112), une troisième couche d'espacement (113), une cinquième couche de confinement d'oxydation (114), une quatrième couche d'espacement (115), une sixième couche de confinement d'oxydation (116), une cinquième couche d'espacement (117), une septième couche de confinement d'oxydation (118), une sixième couche d'espacement (119), une huitième couche de confinement d'oxydation (120), un DBR du type p supérieur (121), une couche de contact du type p (122) et une électrode côté p (123) ; et une surface du substrat (100) éloignée de la plaque de base (101) est pourvue d'une électrode côté n. Les avantages de la présente invention résident en ce qu'elle peut mettre en œuvre de manière stable un fonctionnement monomode et qu'elle présente les avantages d'une faible perte optique, d'une faible consommation d'énergie et d'une faible capacité parasite.
(ZH)
一种垂直腔面发射激光器,包括衬底(100),在衬底(100)上依次层叠有基板(101)、底部n型DBR反射镜(102)、第一氧化限制层(104)、n型引导间隔层(105)、有源区层(106)、p型渐变间隔层(107)、第二氧化限制层(108)、第一间隔层(109)、第三氧化限制层(110)、第二间隔层(111)、第四氧化限制层(112)、第三间隔层(113)、第五氧化限制层(114)、第四间隔层(115)、第六氧化限制层(116)、第五间隔层(117)、第七氧化限制层(118)、第六间隔层(119)、第八氧化限制层(120)、顶部p型DBR反射镜(121)、p型接触层(122)和p侧电极(123);在衬底(100)远离基板(101)的一面设有n侧电极。其优点在于:能够稳定实现单模运行,并且具有低光学损耗、低能耗和低寄生电容的优点。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau