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1. WO2020110578 - MODULE

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明 細 書

発明の名称 モジュール

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003  

先行技術文献

特許文献

0004  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0005   0006   0007  

課題を解決するための手段

0008  

発明の効果

0009  

図面の簡単な説明

0010  

発明を実施するための形態

0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048  

符号の説明

0049  

請求の範囲

1   2   3   4   5  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17  

明 細 書

発明の名称 : モジュール

技術分野

[0001]
 本発明は、モジュールに関するものである。

背景技術

[0002]
 回路モジュールの一例が、特開2010-40689号公報(特許文献1)に記載されている。この回路モジュールでは、要素部品群を封止する封止樹脂層が設けられている。この封止樹脂層の上面および側面を、導電性樹脂からなる被覆樹脂層が一体的に被覆する。被覆樹脂層を封止樹脂層上に形成する際に、角部において被覆樹脂層の厚みが薄くなり、電気的接続の信頼性が不十分となるという問題に対処するために、封止樹脂層に段差を設けることが記載されている。
[0003]
 モジュールの製造方法の一例が、国際公開第2013/035716号(特許文献2)に記載されている。特許文献2では、所定の形状の金属板に対して折曲げ加工を施すことによって端子集合体を用意し、電子部品を実装した配線基板に対して、端子集合体を実装し、樹脂封止している。その後、端子集合体の一部を除去することによって、層間接続導体を得ている。

先行技術文献

特許文献

[0004]
特許文献1 : 特開2010-40689号公報
特許文献2 : 国際公開第2013/035716号

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0005]
 特許文献1に記載された構成を得るには、封止樹脂層の角部に段差を設けるための特別な加工が必要となり、製造工程が増加する。また、段差を正確に設ける加工は困難である。
[0006]
 特許文献2に記載された構成を採用すれば、層間接続導体を得ることはできるが、シールド膜の上面と側面との間で電気的接続の信頼性が不十分となるという問題に対しては、何ら対処できるわけではない。
[0007]
 そこで、本発明は、シールド膜に関する電気的接続を確実にしたモジュールを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0008]
 上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、第1主表面を有する基板と、上記第1主表面に実装された第1部品と、上記第1主表面に配置された第1ランド電極と、少なくとも上記第1主表面および上記第1部品を覆うように配置された第1モールド樹脂と、上記第1モールド樹脂の上面を覆うように設けられた上面シールド膜と、上記第1モールド樹脂の側面を覆うように設けられた側面シールド膜と、上記第1ランド電極と上記上面シールド膜とを電気的に接続するように上記第1モールド樹脂内に配置された第1導体柱と、上記上面シールド膜と上記側面シールド膜とを電気的に接続するように上記第1モールド樹脂内に配置された上側第1バイパス導体とを備える。

発明の効果

[0009]
 本発明によれば、上側第1バイパス導体を備えることにより、シールド膜の上面と側面との間での電気的接続が確実なモジュールを実現することができる。すなわち、シールド膜に関する電気的接続を確実にすることができる。

図面の簡単な説明

[0010]
[図1] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの断面図である。
[図2] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第1の工程の説明図である。
[図3] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第2の工程の説明図である。
[図4] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体の平面図である。
[図5] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体に折曲げ加工を施したものの斜視図である。
[図6] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第3の工程の説明図である。
[図7] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第4の工程の説明図である。
[図8] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第5の工程の説明図である。
[図9] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第5の工程で研削加工された状態の平面図である。
[図10] 本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールの製造方法の第6の工程の説明図である。
[図11] 本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールの断面図である。
[図12] 本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体の平面図である。
[図13] 本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールの製造方法の途中段階での断面図である。
[図14] 本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体の平面図である。
[図15] 本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールの断面図である。
[図16] 本発明に基づく実施の形態4におけるモジュールの断面図である。
[図17] 本発明に基づく実施の形態5におけるモジュールの断面図である。

発明を実施するための形態

[0011]
 図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
[0012]
 (実施の形態1)
 図1を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール101の断面図を図1に示す。
[0013]
 図1においては、本来、1つの断面で切った場合には同時に見えない構成要素についても、説明の便宜のために、1つの断面図の中に同時に表示している。たとえば第1部品31、部品39、はんだボール9などは、第1導体柱71および上側第1バイパス導体41よりも紙面奥側に位置しているので、厳密に考えれば、第1導体柱71および上側第1バイパス導体41を通る断面でモジュール101を切ったときには第1モールド樹脂61に隠れて見えないこととなる。しかし、図1では、説明の便宜を優先し、第1部品31、部品39、はんだボール9なども表示している。この表示法は、以下の断面図においても同様にあてはまる。
[0014]
 本実施の形態におけるモジュール101は、第1主表面1aを有する基板1と、第1主表面1aに実装された第1部品31と、第1主表面1aに配置された第1ランド電極11と、少なくとも第1主表面1aおよび第1部品31を覆うように配置された第1モールド樹脂61と、第1モールド樹脂61の上面を覆うように設けられた上面シールド膜5aと、第1モールド樹脂61の側面を覆うように設けられた側面シールド膜5bと、第1ランド電極11と上面シールド膜5aとを電気的に接続するように第1モールド樹脂61内に配置された第1導体柱71と、上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとを電気的に接続するように第1モールド樹脂61内に配置された上側第1バイパス導体41とを備える。
[0015]
 基板1は、第1主表面1aの他に、第1主表面1aの反対側の面である第2主表面1bを有する。基板1は、多層基板であってよい。基板1は、樹脂多層基板であってもセラミック多層基板であってもよい。基板1には内部導体パターン2が内蔵されている。基板1には、内部導体パターン2の一種として、内部GND電極4が内蔵されている。内部GND電極4は、端面が基板1の側面に露出するように配置されている。内部GND電極4は、端面を以て側面シールド膜5bに電気的に接続されている。基板1の内部では、内部GND電極4に導体ビア3が電気的に接続されている。
[0016]
 第1部品31は、複数のはんだバンプ9を介して基板1の第1主表面1aに実装されている。部品39は、基板1の第1主表面1aに実装されている。第1部品31は、たとえばPA(パワーアンプ)、LNA(ローノイズアンプ)、SW-IC(スイッチIC)、RF-IC(高周波IC)、BB-IC(ベースバンドIC)、SAWフィルタなどであってよい。第1部品31の実装方法は、バンプ実装に限らない。第1部品31は、たとえばワイヤボンド実装されてもよい。部品39は、たとえばコンデンサ、インダクタなどのSMD(Surface Mount Device)、すなわち表面実装部品であってよい。部品39は、はんだ実装されていてよい。
[0017]
 第1導体柱71および上側第1バイパス導体41は、たとえば、Cu、Cu-Fe合金などで形成されている。第1導体柱71は、基板1の第1主表面1aに配置された第1ランド電極11に対してはんだ18を介して電気的に接続されている。第1導体柱71および上側第1バイパス導体41は、板状である。上側第1バイパス導体41は、第1主表面1aから離隔している。第1モールド樹脂61は、たとえばエポキシ樹脂で形成されている。
[0018]
 シールド膜5は、上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとを含む。側面シールド膜5bは、第1モールド樹脂61の側面を覆うだけでなく基板1の側面も覆う。図1に示すように、上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとは一体的に形成されている。
[0019]
 本実施の形態におけるモジュール101では、上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとを電気的に接続するように第1モールド樹脂61内に配置された上側第1バイパス導体41を備えるので、シールド膜の上面と側面との間での電気的接続を確実にすることができる。すなわち、シールド膜に関する電気的接続を確実にすることができる。
[0020]
 基板1の側面における内部GND電極4と側面シールド膜5bとの接続によってもシールド膜5を接地することは一応できるが、これだけでは接触面積が小さく信頼性が十分ではない。しかし、本実施の形態では、第1導体柱71を以て上面シールド膜5aと基板1との間を電気的に接続することができるので、基板1の第1主表面1aにGND電極を用意しておけば、第1導体柱71のうちのいずれかを以て上面シールド膜5aを容易に接地することができる。
[0021]
 上側第1バイパス導体41と部品3との距離は、シールド膜5と部品3との距離より短い。したがって、部品3から生じた熱は、上側第1バイパス導体41を経由して伝わることができ、より効率良く放熱することができる。より詳しく説明すると、部品3から発生した熱は、部品3から第1モールド樹脂61を経由して上側第1バイパス導体41に伝わり、さらに上側第1バイパス導体41からシールド膜5を経由して基板1に伝わることができる。基板1からは外部に放熱する。上側第1バイパス導体41に伝わった熱は、上側第1バイパス導体41から第1モールド樹脂61に伝わることもできるので、放熱が促進される。上側第1バイパス導体41の熱伝導率は、第1モールド樹脂61の熱伝導率より大きいことが好ましい。
[0022]
 以上のような放熱促進の作用は、ここで例示した上側第1バイパス導体41に限らず、以下の他の実施の形態において登場するバイパス導体全般にもあてはまる。すなわち、このような放熱促進の効果は、以下の他の実施の形態においても得られる。
[0023]
 本実施の形態におけるモジュール101の製造方法について、以下に説明する。
 まず、図2に示すように、基板1の第1主表面1aに第1ランド電極11を形成し、第1ランド電極11の上面にはんだ18を配置する。基板1は、内部導体パターン2および導体ビア3を内蔵する。図3に示すように、部品39および第1部品31を第1主表面1aに実装する。
[0024]
 図4に示すように、構造体20を用意する。構造体20は、一定の厚みの板状の部材であってよい。構造体20は、金属板から打抜加工などの方法により形成することができる。構造体20の材料は、たとえばCu、Cu-Fe合金などであってよい。構造体20は、連結部76と、第1導体柱71と、上側第1バイパス導体41とを備える。連結部76はたとえば長方形であってよい。第1導体柱71はたとえば直線状である。上側第1バイパス導体41はたとえばL字形状を有する。第1導体柱71および上側第1バイパス導体41は、連結部76から両側に突出するように配置されていてよい。構造体20のうち破線で囲んだ部分21は、このあとの工程で除去される部分である。
[0025]
 図5に示すように、構造体20に折曲げ加工を施す。第1導体柱71および上側第1バイパス導体41は、連結部76に対して略垂直な方向に突出する形となる。構造体20に対する打抜加工と折曲げ加工とは、別々に行なってもよいが、同時に行なってもよい。ここでは、第1導体柱71および上側第1バイパス導体41が折曲げ後に連結部76に対して略垂直となる例を示すが、折り曲げられる角度はこれ以外であってもよい。
[0026]
 図6に示すように、折曲げ加工後の構造体20を基板1の第1主表面1aに実装する。構造体20は、たとえば第1部品31をまたぐように配置される。第1導体柱71の先端は、はんだ18によって第1ランド電極11に電気的に接続される。上側第1バイパス導体41は、連結部76によって第1主表面1aから離隔した位置に保持される。
[0027]
 図7に示すように、第1モールド樹脂61を形成する。第1モールド樹脂61は、たとえばエポキシ樹脂などによって形成することができる。たとえば樹脂を塗布した後、加熱することによって硬化させることで、第1モールド樹脂61を形成することができる。
[0028]
 図7では、連結部76の上面と第1モールド樹脂61の上面とが同じ高さとなっているが、両者は異なる高さであってもよい。第1モールド樹脂61の上面が連結部76の上面より高い位置であってもよく、連結部76の上面が第1モールド樹脂61の上面より高い位置であってもよい。ただし、両者の差はあまり大きくないことが好ましい。
[0029]
 図8に示すように、第1モールド樹脂61の上面を研削加工する。この研削加工により、構造体20の一部、すなわち、連結部76の全てと、第1導体柱71の上端近傍部分と、上側第1バイパス導体41の上端近傍部分とが除去される。ここで除去された部分は、図4において示した部分21に相当する。この研削加工後の状態の平面図を図9に示す。第1モールド樹脂61の上面に第1導体柱71の上面および上側第1バイパス導体41の上面が露出している。第1部品31および部品39は、第1モールド樹脂61によって覆い隠されている。図9においては、切断しろ24を二点鎖線で表示している。切断しろ24はダイシングなどの方法により切断される際に除去される領域を示す。切断しろ24はたとえばダイシングブレードの厚みに対応する。この後の工程で、切断加工することによって左側のモジュールは右側のモジュールから分離することができる。図9においては、説明の便宜のために、2個のモジュールがつながった状態のものを示しているが、実際には2個に限らずより多くの個数のモジュールがつながっていてもよい。ここまでの工程は、多くの個数のモジュールがマトリックス状に配列された集合基板の状態で処理されてもよい。その場合、切断しろは格子状に配置される。集合基板に対して格子状に切断加工が行なわれることによって、複数個のモジュールを作製することができる。個別のモジュールのサイズに切断した状態での断面図を図10に示す。第1モールド樹脂61の側面に上側第1バイパス導体41の端面が露出している。さらに、基板1の側面に内部GND電極4の端面が露出している。
[0030]
 第1モールド樹脂61の上面および側面ならびに基板1の側面を覆うようにシールド膜5を形成する。これにより、図1に示すモジュール101が得られる。シールド膜5は、導電性材料の膜である。シールド膜5は、たとえばスパッタ、真空蒸着などの真空成膜法によって形成することができる。あるいは、シールド膜5は、導電性ペーストを印刷または塗布した後に加熱して乾燥させる方法によって形成してもよい。シールド膜5を形成する際には、上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとを一括して形成することとしてよい。シールド膜5を形成することにより、第1導体柱71と上面シールド膜5aとが電気的に接続され、上側第1バイパス導体41の上端と上面シールド膜5aとが電気的に接続され、上側第1バイパス導体41の側面に露出した部分と側面シールド膜5bとが電気的に接続される。内部GND電極4が基板1の側面に露出している場合には、内部GND電極4と側面シールド膜5bとが電気的に接続される。
[0031]
 上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとは、一体的なものであってよく、直接電気的に接続されていてよいが、状況によっては、第1モールド樹脂61の上面と側面との境目において途切れて別々に形成されてしまったり、外見上つながっていても電気的接続が十分でなくなることもありうる。そのような場合であっても、上述のように第1モールド樹脂61が設けられていることにより、上面シールド膜5aと側面シールド膜5bとの間の電気的接続を十分なものとすることができる。
[0032]
 (実施の形態2)
 図11~図13を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール102の断面図を図11に示す。モジュール102は、基本的な構成においては実施の形態1で説明したモジュール101と同様であるが、以下の点で異なる。
[0033]
 本実施の形態におけるモジュール102は、第1ランド電極11と側面シールド膜5bとを接続するように第1モールド樹脂61内に配置された上側第2バイパス導体42を備える。上側第2バイパス導体42はたとえばL字形状を有する。
[0034]
 モジュール102を作製するには、実施の形態1における製造方法の説明で示した構造体20に代えて、図12に示すような構造体22を用いることとすればよい。構造体22の材料、製造方法などについては、実施の形態1で説明したものと同様である。構造体22において部分23が研削加工によって除去される部分である。構造体22は、連結部76と、第1導体柱71と、上側第1バイパス導体41と、上側第2バイパス導体42と、部分43とを備える。上側第1バイパス導体41と上側第2バイパス導体42と部分43とは一体的に形成されたものである。部分43は、上側第1バイパス導体41と上側第2バイパス導体42との間に配置されている。切断線25から右側の部分は、後の工程でダイシングなどの方法により除去される。すなわち、部分43は、後の工程で除去される。
[0035]
 構造体22を基板1に実装して、第1モールド樹脂61を配置した後で、これらの上面を研削加工した状態を図13に示す。図13では、集合基板の状態を示している。この状態から、ダイシングして個別のサイズに切り分け、さらにシールド膜5を形成することによって、図11に示したモジュール102を得ることができる。
[0036]
 本実施の形態においても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、さらに、第1ランド電極11と側面シールド膜5bとを接続する上側第2バイパス導体42を備えているので、基板1の第1主表面1aにGND電極を用意しておけば、上側第2バイパス導体42を介して側面シールド膜5bを容易に接地することができる。
[0037]
 また、本実施の形態では、上側第1バイパス導体41の他に上側第2バイパス導体42が設けられていることにより、これらのバイパス導体がモールド樹脂と接する面積が増えている。これにより、バイパス導体とモールド樹脂との間の熱伝導が効率良く行なわれるので、放熱効果が高まる。
[0038]
 (実施の形態3)
 図14~図15を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールについて説明する。本実施の形態では、図14に示すように、部分44を備える構造体22を用いて作製する。部分44は部分43に隣接して位置する。切断線25は、部分43と部分44とを隔てる線でもある。このような構造体22を用いることによって、図15に示すモジュール103を得ることができる。モジュール103では、部分44が側面シールド膜5bに沿うように配置されている。部分44は側面シールド膜5bに接している。
[0039]
 本実施の形態では、上側第1バイパス導体41と上側第2バイパス導体42とは一体的に形成されている。上側第1バイパス導体41と上側第2バイパス導体42とは、部分44を介することによって、接続されている。
[0040]
 本実施の形態では、実施の形態2と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、さらに、モジュール103として完成した状態においても、上側第1バイパス導体41と上側第2バイパス導体42とが一体物となっているので、上側第1バイパス導体41と上側第2バイパス導体42との間の電気的接続における抵抗を小さく抑えることができる。
[0041]
 (実施の形態4)
 図16を参照して、本発明に基づく実施の形態4におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール104の断面図を図16に示す。モジュール104は、実施の形態1で説明したモジュール101と同様の構成を備え、さらに以下の構成を備える。
[0042]
 本実施の形態におけるモジュール104では、基板1は第1主表面1aの反対側に第2主表面1bを有し、第2主表面1bに実装された第2部品32と、第2主表面1bに配置された第2ランド電極12と、少なくとも第2主表面1bおよび第2部品32を覆うように配置された第2モールド樹脂62と、第2モールド樹脂62の下面に配置された実装用ランド電極14と、第2ランド電極12と実装用ランド電極14とを電気的に接続するように第2モールド樹脂62内に配置された第2導体柱72とを備える。側面シールド膜5bは、基板1の側面および第2モールド樹脂62の側面を覆っている。実装用ランド電極14と側面シールド膜5bとを電気的に接続するように第2モールド樹脂62内に配置された下側バイパス導体45とを備える。
[0043]
 第2導体柱72の上端は、第2ランド電極12に対してはんだ18を介して電気的に接続されている。下側バイパス導体45は、第2主表面1bから離隔している。第2部品32の下面は第2モールド樹脂62の下面と同一平面上にあってもよい。すなわち、第2部品32の下面は第2モールド樹脂62から露出していてもよい。第1モールド樹脂61と第2モールド樹脂62とは、同じ厚みであってもよく、異なる厚みであってもよい。第2モールド樹脂62の材料は、第1モールド樹脂61の材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。
[0044]
 本実施の形態においても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。さらに、実装用ランド電極14と側面シールド膜5bとを電気的に接続する下側バイパス導体45が設けられているので、実装用ランド電極14を外部のGND電極と電気的に接続することにより側面シールド膜5bをより確実に接地することができる。
[0045]
 (実施の形態5)
 図17を参照して、本発明に基づく実施の形態5におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール105の断面図を図17に示す。モジュール105は、実施の形態4で説明したモジュール104と似ているが、以下の構成を備える。
[0046]
 モジュール105は、第1主表面1aおよび第1主表面1aの反対側を向く第2主表面1bを有する基板1と、第1主表面1aに実装された第1部品31と、少なくとも第1主表面1aおよび第1部品31を覆うように配置された第1モールド樹脂61と、第2主表面1bに実装された第2部品32と、第2主表面1bに配置された基板ランド電極13と、少なくとも第2主表面1bおよび第2部品32を覆うように配置された第2モールド樹脂62と、第1モールド樹脂61の上面を覆うように設けられた上面シールド膜5aと、第1モールド樹脂61の側面、基板1の側面および第2モールド樹脂62の側面を覆うように設けられた側面シールド膜5bと、第2モールド樹脂62の下面に配置された実装用ランド電極14と、基板ランド電極13と実装用ランド電極14とを電気的に接続するように第2モールド樹脂62内に配置された導体柱75と、実装用ランド電極14と側面シールド膜5bとを電気的に接続するように第2モールド樹脂62内に配置された下側バイパス導体45とを備える。導体柱75の上端は、基板ランド電極13に対してはんだ18を介して電気的に接続されている。
[0047]
 本実施の形態では、実装用ランド電極14と側面シールド膜5bとを電気的に接続する下側バイパス導体45が設けられているので、実装用ランド電極14を外部のGND電極と電気的に接続することにより側面シールド膜5bを確実に接地することができる。すなわち、シールド膜に関する電気的接続を確実にすることができる。
[0048]
 なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
 なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

符号の説明

[0049]
 1 基板、1a 第1主表面、1b 第2主表面、2 内部導体パターン、3 導体ビア、4 内部GND電極、5 シールド膜、5a 上面シールド膜、5b 側面シールド膜、9 はんだバンプ、11 第1ランド電極、12 第2ランド電極、13 基板ランド電極、14 実装用ランド電極、18 はんだ、20,22 構造体、21,23 部分、24 切断しろ、25 切断線、31 第1部品、32 第2部品、39 部品、41 上側第1バイパス導体、42 上側第2バイパス導体、43,44 部分、45 下側バイパス導体、61 第1モールド樹脂、62 第2モールド樹脂、71 第1導体柱、72 第2導体柱、75 導体柱、76 連結部、101,102,103,104,105 モジュール。

請求の範囲

[請求項1]
 第1主表面を有する基板と、
 前記第1主表面に実装された第1部品と、
 前記第1主表面に配置された第1ランド電極と、
 少なくとも前記第1主表面および前記第1部品を覆うように配置された第1モールド樹脂と、
 前記第1モールド樹脂の上面を覆うように設けられた上面シールド膜と、
 前記第1モールド樹脂の側面を覆うように設けられた側面シールド膜と、
 前記第1ランド電極と前記上面シールド膜とを電気的に接続するように前記第1モールド樹脂内に配置された第1導体柱と、
 前記上面シールド膜と前記側面シールド膜とを電気的に接続するように前記第1モールド樹脂内に配置された上側第1バイパス導体とを備える、モジュール。
[請求項2]
 前記第1ランド電極と前記側面シールド膜とを接続するように前記第1モールド樹脂内に配置された上側第2バイパス導体を備える、請求項1に記載のモジュール。
[請求項3]
 前記上側第1バイパス導体と前記上側第2バイパス導体とは一体的に形成されている、請求項2に記載のモジュール。
[請求項4]
 前記基板は前記第1主表面の反対側に第2主表面を有し、
 前記第2主表面に実装された第2部品と、
 前記第2主表面に配置された第2ランド電極と、
 少なくとも前記第2主表面および前記第2部品を覆うように配置された第2モールド樹脂と、
 前記第2モールド樹脂の下面に配置された実装用ランド電極と、
 前記第2ランド電極と前記実装用ランド電極とを電気的に接続するように前記第2モールド樹脂内に配置された第2導体柱とを備え、
 前記側面シールド膜は、前記基板の側面および前記第2モールド樹脂の側面を覆っており、
 前記実装用ランド電極と前記側面シールド膜とを電気的に接続するように前記第2モールド樹脂内に配置された下側バイパス導体とを備える、請求項1から3のいずれかに記載のモジュール。
[請求項5]
 第1主表面および前記第1主表面の反対側を向く第2主表面を有する基板と、
 前記第1主表面に実装された第1部品と、
 少なくとも前記第1主表面および前記第1部品を覆うように配置された第1モールド樹脂と、
 前記第2主表面に実装された第2部品と、
 前記第2主表面に配置された基板ランド電極と、
 少なくとも前記第2主表面および前記第2部品を覆うように配置された第2モールド樹脂と、
 前記第1モールド樹脂の上面を覆うように設けられた上面シールド膜と、
 前記第1モールド樹脂の側面、前記基板の側面および前記第2モールド樹脂の側面を覆うように設けられた側面シールド膜と、
 前記第2モールド樹脂の下面に配置された実装用ランド電極と、
 前記基板ランド電極と前記実装用ランド電極とを電気的に接続するように前記第2モールド樹脂内に配置された導体柱と、
 前記実装用ランド電極と前記側面シールド膜とを電気的に接続するように前記第2モールド樹脂内に配置された下側バイパス導体とを備える、モジュール。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]