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1. WO2020110202 - SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2020/110202
Publication Date 04.06.2020
International Application No. PCT/JP2018/043611
International Filing Date 27.11.2018
IPC
H02M 7/48 2007.01
HELECTRICITY
02GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
CPC
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Applicants
  • 東芝三菱電機産業システム株式会社 TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 杉本 光生 SUGIMOTO, Mitsuo
Agents
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract
(EN)
A board-shaped chassis (102) has a first surface formed with an inlet (112A) and a second surface different from the first surface. A cooling fan (8) is provided in the second surface and exhausts air from the second surface. A partition plate (110) is configured so as to partition the internal space of the chassis (102) into a first space (104) making contact with the first surface and a second space (106) making contact with the second surface. The partition plate (110) is formed with at least one opening portion (114A, 116A, 118A) through which cooling wind generated by the cooling fan (8) passes from the first space (104) to the second space (106). At least one semiconductor unit (1A, 1B, 1C) is disposed in the first space (104) and cooled by the cooling wind. A reactor unit (LA) is disposed in the second space (106) so as to face the at least one opening portion.
(FR)
L’invention concerne un châssis en forme de planche (102) ayant une première surface formée avec une entrée (112A) et une seconde surface différente de la première surface. Un ventilateur de refroidissement (8) est disposé dans la seconde surface et évacue l'air de la seconde surface. Une plaque de séparation (110) est configurée de façon à diviser l'espace interne du châssis (102) en un premier espace (104) en contact avec la première surface et un second espace (106) en contact avec la seconde surface. La plaque de séparation (110) est formée avec au moins une partie d'ouverture (114A, 116A, 118A) à travers laquelle l’air de refroidissement généré par le ventilateur de refroidissement (8) passe du premier espace (104) au second espace (106). Au moins une unité semi-conductrice (1A, 1B, 1C) est disposée dans le premier espace (104) et refroidie par l’air de refroidissement. Une unité de réacteur (LA) est disposée dans le second espace de façon à faire face à la ou aux parties d'ouverture.
(JA)
盤形状の筐体(102)は、吸気口(112A)が形成された第1の面と、第1の面とは異なる第2の面とを有する。冷却ファン(8)は第2の面に設けられ、第2の面から排気する。仕切り板(110)は、筐体(102)の内部の空間を、第1の面に接する第1の空間(104)と、第2の面に接する第2の空間(106)とに仕切るように構成される。仕切り板(110)には、冷却ファン(8)により発生する冷却風が第1の空間(104)から第2の空間(106)に通り抜ける少なくとも1つの開口部(114A,116A,118A)が形成されている。少なくとも1つの半導体ユニット(1A,1B,1C)は、第1の空間(104)に配置され、冷却風により冷却される。リアクトルユニット(LA)は、少なくとも1つの開口部に対向するように第2の空間(106)に配置される。
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