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1. WO2020108926 - OPTICAL ILLUMINATION SYSTEM FOR PROJECTION LITHOGRAPHY

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ DE ]

Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie

Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2018 220 625.2 in Anspruch, deren Inhalt durch Bezugnahme hierin

aufgenommen wird.

Die Erfindung betrifft ein optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie zum Beleuchten eines Beleuchtungsfelds, in welchem ein Objektfeld eines

nachfolgenden abbildenden optischen Systems angeordnet werden kann. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einem optischen

Beleuchtungssystem dieser Art, ein Projektionsbelichtungssystem mit einem

Beleuchtungssystem dieser Art, ein Produktionsverfahren für mikro strukturierte oder nano strukturierte Komponenten unter Verwendung eines

Projektionsbelichtungssystems dieser Art und eine durch ein Produktionsverfahren dieser Art produzierte mikro strukturierte oder nano strukturierte Komponente.

Optische Beleuchtungssysteme für Projektions lithographie sind aus US 6,658,084 B2 und US 7,196,841 B2 bekannt. Ferner sind solche optischen Beleuchtungssysteme aus US 8,817,233 B2, aus US 9,939,731 B2, aus DE 10 2008 001 511 Al, aus DE 10 2016 201 564 Al, aus DE 10 2013 218 130 Al und aus DE 10 2009 017 069 Al bekannt.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optisches

Beleuchtungssystem der eingangs erwähnten Art auf eine solche Weise zu entwickeln, dass eine gewünschte Kombination von hohem Beleuchtungslichtdurchsatz einerseits und einer gleichförmigen Beleuchtung des Beleuchtungsfelds erreicht wird.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein optisches Beleuchtungssystem mit den in Anspruch 1 offenbarten Merkmalen gelöst. Durch Verwendung von selektiv reflektierenden, verschiedene Beschichtungsgebiete mit verschiedenen Reflektivitäten aufweisenden Pupillenfacetten ist es möglich, eine Korrektur eines

Beleuchtungsintensitätsgradienten der Beleuchtungslichtintensitätsverteilung über das Beleuchtungsfeld hinweg zu erzielen. Die reflektierende Beschichtung auf den jeweiligen selektiv reflektierenden Pupillenfacetten weist eine Reflektivitätsverteilung auf, welche eine derartige Korrektur ermöglicht. Eine Feinkompensation eines

Intensitätsgradienten über das Beleuchtungsfeld, welcher ohne ein solches

Korrekturmittel vorhanden sein würde, ist zumindest dann möglich, wenn gewisse kritische Beleuchtungseinstellungen angewandt werden. Jeder Beleuchtungslichtkanal, der eine von solchen selektiv reflektierenden Pupillenfacetten aufweist, kann unabhängig von den anderen Beleuchtungskanälen korrigiert werden. Wenn

mindestens eine breitbandig reflektierende Pupillenfacette alternativ oder zusätzlich zu den selektiv reflektierenden Pupillenfacetten verwendet wird, kann ein ansonsten vorhandener Beleuchtungsintensitätsgradient über das optische Feld hinweg

ausgeglättet werden, indem die Breitbandbeschichtung aufgebracht wird. Eine solche Breitbandbeschichtung verringert eine Winkelabhängigkeit der

Pupillenfacettenreflektivität und führt zu einer Verringerung des

Beleuchtungsintensitätsgradienten.

Verwendung solcher selektiv reflektierenden/breitbandig reflektierenden

Pupillenfacetten fügt einen neuen Freiheitsgrad zum Optimieren der durch das optische Beleuchtungssystem erreichten Beleuchtungsbedingungen hinzu. Solch ein optisches Beleuchtungssystem kann insbesondere in Kombination mit einem optischen Abbildungs System mit großer bildseitiger numerischer Apertur verwendet werden, welche beispielsweise größer als 0,3, größer als 0,4, größer als 0,5, größer als 0,6, größer als 0,7 oder sogar größer sein kann.

Das Beleuchtungslicht kann eine Wellenlänge in dem EUV-Bereich (zwischen z. B.

5 nm und 30 nm) oder in dem DUV-Bereich (z. B. bei 193 nm) aufweisen.

Eine Subgruppe von allen Pupillenfacetten, d. h. nicht alle Pupillenfacetten, kann als selektiv reflektierende Facetten designt sein. Eine Subgruppe der Pupillenfacetten, d. h. nicht alle Pupillenfacetten, kann als breitbandig reflektierende Facetten designt sein. Im Falle, dass der Pupillenfacettenspiegel selektiv reflektierende Facetten und auch breitbandig reflektierende Facetten beinhaltet, können solche selektiv und/oder breitbandig reflektierenden Facetten in unterschiedlichen Sub gruppen vorhanden sein.

Eine Ausführungsform der selektiv reflektierenden Pupillenfacetten gemäß Anspruch 2 weist zusätzliche Freiheitsgrade auf. Die weitere Reflektivität des dritten

Beschichtungsgebiets kann die gleiche Reflektivität wie bei einem anderen nicht angrenzenden Gebiet sein, z. B. die gleiche wie beim ersten Beschichtungsgebiet. Bei weiteren Ausführungsformen kann eine größere Anzahl von Beschichtungsgebieten mit spezifischen Reflektivitäten auf der selektiv reflektierenden Pupillenfacette vorhanden sein.

Gemäß Anspruch 3 kann eine Feinanpassung der Reflektivität auf der gesamten selektiv reflektierenden Pupillenfacette erreicht werden.

Gemäß Anspruch 4 angeordnete Pupillenfacetten verbessern die Möglichkeiten einer feldabhängigen Reflektivitätskorrektur. In Abhängigkeit von der Distanz von der Pupillenfacette zu dem Bild der Lichtquelle, weist ein auf die jeweilige Pupillenfacette auftreffendes Beleuchtungslichtteilbündel eine Kantenkontur auf, welche durch eine Faltung der Beleuchtungslichtquellenkontur und einer feldbezogenenen Struktur, z. B. einer Kantenkontur einer Feldfacette, erklärt werden kann. Anpassen einer

Reflektivitätsverteilung über die selektiv reflektierenden Pupillenfacetten,

insbesondere durch Wählen der Größe, der Orientierung und der Struktur der verschiedenen Beschichtungsgebiete der reflektierenden Beschichtung, an die Größe und Orientierung der jeweiligen Kantenkontur des auf die Pupillenfacette

auftreffenden Beleuchtungslichtteilbündels ermöglicht Feineinstellung der

Beleuchtungsverteilung des Beleuchtungslichtteilbündels, welche zu der

Objektfeldbeleuchtung beiträgt.

Um eine solche Feineinstellung der Beleuchtungsverteilung des

Beleuchtungslichtteilbündels möglich zu machen, wird die folgende Bedingung für die Defokussierdistanz a erfüllt:

a = k Bifff/Bf

Hier kennzeichnet k das Verhältnis zwischen den Größen x/und r, d. h. zwischen einer typischen Ausdehnung x/ einer Restfeldkomponente und einem Radius r von von diesen jeweiligen Feldpunkten entspringenden Substrahlen.

Bif ist die typische Größe eines Bilds eines Zwischenfokus auf der jeweiligen

Pupillenfacette fy ist die Brennweite der zugehörigen Feldfacette, d. h. der Brennweite, mit welcher der Beleuchtungslichtteilstrahl durch die zugehörige Feldfacette

abgebildet wird. B/ist die typische Ausdehnung der Feldfacette.

Somit ist das Verhältnis K = x//r, d. h. das Verhältnis der Größe der

Restfeldkomponente x/auf der Pupillenfacette zu der typischen Abmessung r der Substrahlen, inter alia, für den Defokussierdistanzwert a entscheidend. Es gilt das Folgende: 2r = B,·/. Damit die feldabhängige Korrektur möglich ist, trifft zusätzlich das Folgende zu:

k > 0,5

Insbesondere kann k > 1 zutreffen, d. h., dass die Restfeldkomponente x/ eine typische Größe aufweist, die größer als der Radius der Substrahlen ist. Die Feldabhängigkeit der oben beschriebenen Korrektur verbessert sich mit zunehmendem k. k kann größer als 1,5, kann größer als 2, kann größer als 3, kann größer als 4, kann größer als 5 und kann sogar auch noch größer sein.

Hinsichtlich dieser k-Bedingung sei Bezug auf US 9, 939, 731 B2 genommen.

Die Vorteile eines optischen Beleuchtungssystems nach Anspruch 5 entsprechen den oben bereits beschriebenen. Die selektiv reflektierenden Pupillenfacetten oder die breitbandigen Pupillenfacetten können jene Pupillenfacetten sein, welche zu

spezifischen Beleuchtungseinstellungen beitragen, z. B. zu einer x-Dipoleinstellung, bei der das ein hohes xy-Aspektverhältnis aufweisende Objektfeld von zwei

Beleuchtungspolen aus -x- und +x-Richtung beleuchtet wird.

Die Vorteile eines Beleuchtungssystems gemäß Anspruch 6, eines

Projektionsbelichtungssystems gemäß Anspruch 7, eines Produktionsverfahrens gemäß Anspruch 8 und einer mikro strukturierten oder nano strukturierten Komponente gemäß Anspruch 9 entsprechen jenen, welche oben bereits unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße optische Beleuchtungssystem erläutert wurden. Präzis angepasste und gleichförmige Beleuchtungen können an der zu produzierenden

Komponentenstruktur spezifiziert werden, so dass insbesondere Halbleiterchips mit extrem feinen und insbesondere komplexen Strukturen produziert werden können.

Ausführungsformen der Erfindung sind im Folgenden mit der Hilfe der Zeichnungen ausführlicher beschrieben, in denen gilt:

Figur 1 zeigt schematisch und in Beziehung zu einem optischen Beleuch- tungssystem in einem Meridionalschnitt ein Projektionsbelich tungssystem für Mikrolithographie;

Figur 2 zeigt eine Draufsicht einer Facettenanordnung eines Feldfacetten spiegels des optischen Beleuchtungssystems des Projektionsbe lichtungssystems gemäß Figur 1 ;

Figur 3 zeigt eine Draufsicht einer Facettenanordnung eines Pupillenfacet tenspiegels des optischen Beleuchtungssystems des Projektionsbe lichtungssystems gemäß Figur 1 ;

Figur 4 zeigt in einer Ansicht ähnlich Figur 2 eine Facettenanordnung ei ner weiteren Ausgestaltung eines Feldfacettenspiegels;

Figur 5 zeigt schematisch Anteile von zwei

Objektfeldbeleuchtungskanälen, welche zwei

Beleuchtungskipppositionen einer gezeigten kippbaren Feldfacette des Feldfacettenspiegels gemäß Figur 2 oder 4 zugeordnet sind, eines einfallenden Beleuchtungslichtteilbündels in den zwei Beleuchtungskipppositionen;

Figur 6 zeigt eine Ausführungsform einer Pupillenfacette, welche

alternativ zu dem Pupillenfacettenspiegel gemäß Figur 3 verwendet werden kann, wobei eine Kante oder Randkontur eines Beleuchtungslichtteilbündels auf der Pupillenfacette gezeigt ist, wobei die Pupillenfacette über genau eine der Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels gemäß Figur 4 getroffen wird, wobei die Pupillenfacette in der Nähe von aber noch unter einer Distanz zu dem Bild der Lichtquelle angeordnet ist;

Figur 7 zeigt einen Schnitt einer anderen Ausführungsform eines

Pupillenfacettenspiegels mit mehr als einem Dutzend von

Pupillenfacette, von denen jede eine Randkontur eines

Beleuchtungslichtteilbündels zeigt, wobei die meisten der gezeigten Pupillenfacetten in der Nähe von aber noch unter einer Distanz zu dem Bild der Lichtquelle angeordnet sind;

Figur 8 zeigt eine der Pupillenfacetten gemäß Detail VIII in Figur 7, die als eine selektiv reflektierende Pupillenfacette umgesetzt ist und drei Beschichtungsgebiete mit zwei verschiedenen Reflektivitäten aufweist; und

Figur 9 zeigt eine schematische Seitenansicht einer anderen

Ausführungsform einer Pupillenfacette, die als eine breitbandig reflektierende Pupillenfacette umgesetzt ist und eine breitbandig reflektierende Beschichtung für das Beleuchtungslicht aufweist.

Ein Projektionsbelichtungssystem 1 für Mikrolithographie wird verwendet zum

Produzieren eines mikrostrukturierten oder nano strukturierten elektronischen

Halbleiterstrukturelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert EUV- Strahlung, die zur Beleuchtung in dem Wellenlängenbereich von beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm verwendet wird. Die Lichtquelle 2 kann eine Gasentladungserzeugtes-Plasma-Quelle (GDPP - gas discharge produced plasma) oder eine Lasererzeugtes-Plasma-Quelle (LPP - laser produced plasma) sein. Eine auf einem Synchrotron basierende Strahlungsquelle kann auch für die Lichtquelle 2 verwendet werden. Ein Fachmann findet beispielsweise in US 6 859 515 B2 Informationen über eine Lichtquelle dieser Art. EUV-Beleuchtungslicht oder -Beleuchtungsstrahlung 3 wird zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb des Projektionsbelichtungssystems 1 verwendet. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 läuft nach der Lichtquelle 2 zunächst durch einen Kollektor 4, welcher beispielsweise ein geschachtelter Kollektor mit einer im Stand der Technik bekannten Mehrschalenstruktur oder alternativ ein ellipsoidförmiger Kollektor ist. Ein entsprechender Kollektor ist aus EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchläuft das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenbrennebene 5, welche verwendet werden kann zum Separieren des EUV-Beleuchtungslichts 3 von

unerwünschter Strahlung oder Teilchenanteilen. Nach Durchlaufen der

Zwischenbrennebene trifft das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst auf einen

Feldfacettenspiegel 6 auf.

Um die Beschreibung von Positionsbeziehungen zu erleichtern, ist zunächst in jedem Fall in der Zeichnung ein globales kartesisches xyz-Koordinatensystem gezeichnet.

Die x-Achse in Figur 1 verläuft senkrecht zu der Zeichnungsebene und aus dieser

heraus. Die y- Achse in Figur 1 verläuft nach rechts. Die z- Achse verläuft in Figur 1 nach oben.

Um die Beschreibung von Positionsbeziehungen in einzelnen optischen Komponenten des Projektionsbelichtungssystems 1 zu erleichtern, wird auch in jedem Fall in den folgenden Figuren ein lokales kartesisches xyz- oder xy-Koordinatensystem

verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, wenn nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente auf, beispielsweise eine Reflexionsebene. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und des lokalen xyz- oder xy-Koordinatensystems verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y- Achsen des lokalen xyz- oder xy-Koordinatensystems weisen einen Winkel zu der y-Achse des globalen xyz-Koordinatensy stems auf, was einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht.

Figur 2 zeigt auf beispielhaftem Wege eine Facettenanordnung von Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6. Die Feldfacetten 7 sind rechteckförmig und weisen in jedem Fall dasselbe x/y-Aspektverhältnis auf. Das x/y-Aspektverhältnis kann beispielsweise 12/5, 25/4 oder 104/8 betragen.

Die Feldfacetten 7 spezifizieren eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 und sind in vier Spalten zu vier bis acht Feldfacettengruppen 8a, 8b gruppiert. Die

Feldfacettengruppen 8a weisen in jedem Fall sieben Feldfacetten 7 auf. Die zwei zusätzlichen kantenseitigen Feldfacettengruppen 8b der zwei

Zentralfeldfacettenspalten weisen in jedem Fall vier Feldfacetten 7 auf. Zwischen den zwei Zentralfacettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 6 Zwischenräume 9 auf, in welchen der Feldfacettenspiegel 6 durch Haltestreben des Kollektors 4 abgeschattet ist.

Nach Reflexion an dem Feldfacettenspiegel 6 trifft das EUV-Beleuchtungslicht 3, aufgeteilt in Strahlenbüschel oder Teilbündel, welche den einzelnen Feldfacetten 7 zugeordnet sind, auf einen Pupillenfacettenspiegel 10 auf.

Figur 3 zeigt eine beispielhafte Facettenanordnung von runden Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10. Die Pupillenfacetten 11 sind um ein Zentrum herum in ineinanderliegenden Facettenringen angeordnet. Mindestens eine Pupillenfacette 11 ist jedem von einer der Feldfacetten 7 reflektierten Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 derart zugeordnet, dass in jedem Fall ein Facettenpaar, das von einer der Feldfacetten 7 und einer der Pupillenfacetten 11 getroffen wird, einen Objektfeldbeleuchtungskanal für das zugehörige Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 spezifiziert. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 11 zu den Feldfacetten 7 findet in Abhängigkeit von einer gewünschten Beleuchtung für das Projektionsbelichtungssystem 1 statt.

Die Feldfacetten 7 werden mittels des Pupillenfacettenspiegels 10 (vergl. Figur 1) und eines nachfolgenden aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden optischen

Übertragungssystems 15 in eine Objektebene 16 des Projektionsbelichtungssystems 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als ein Spiegel mit streifendem Einfall ausgelegt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, durch welches eine

Beleuchtungsregion in der Form eines Beleuchtungsfelds mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 beleuchtet wird, wobei das Beleuchtungsfeld mit einem

Objektfeld 18 eines nachgelagerten optischen Projektions Systems 19 des

Projektionsbelichtungssystems 1 zusammenfällt. Alternativ zu solchem

Zusammenfallen des Beleuchtungsfelds mit dem Objektfeld 18 kann das Objektfeld 18 innerhalb eines größeren Beleuchtungsfelds angeordnet sein. Die

Objektfeldbeleuchtungskanäle sind über das Objektfeld 18 übergelegt. Insbesondere werden die Feldfacetten 7 unter einem Beitrag der Pupillenfacetten 11 überlagernd auf das Objektfeld 18 abgebildet.

Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird durch das Retikel 17 reflektiert.

Das optische Projektions System 19 bildet das Objektfeld 18 in die Objektebene 16 in einem Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, welcher eine lichtempfindliche Schicht trägt, welche während der

Projektionsbelichtung mit dem Projektionsbelichtungssystem 1 belichtet wird.

Während der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 17 als auch der Wafer 22 auf eine synchronisierte Weise in der y-Richtung gescannt. Das

Projektionsbelichtungssystem 1 ist als ein Scanner ausgestaltet. Die Scanrichtung wird nachfolgend auch als die Objektverschiebungsrichtung bezeichnet.

Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10 und die Spiegel 10 bis 14 des optischen Übertragungssystems 15 sind Komponenten eines optischen

Beleuchtungssystems 23 des Projektionsbelichtungssystems 1. Zusammen mit dem optischen Projektionssystem 19 bildet das optische Beleuchtungssystem 23 ein

Beleuchtungssystem des Projektionsbelichtungssystems 1.

Der Feldfacettenspiegel 6 ist ein erster Facettenspiegel des optischen

Beleuchtungssystems 23. Die Feldfacetten 7 sind erste Facetten des optischen

Beleuchtungssystems 23.

Der Pupillenfacettenspiegel 10 ist ein zweiter Facettenspiegel des optischen

Beleuchtungssystems 23. Die Pupillenfacetten 11 sind zweite Facetten des optischen Beleuchtungssystems 23.

Figur 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines Feldfacettenspiegels 6. Komponenten, welche jenen entsprechen, welche oben unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 6 gemäß Figur 2 beschrieben wurden, weisen dieselben Bezugsziffern auf und werden nur soweit beschrieben als sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 6 gemäß Figur 2 unterscheiden. Der Feldfacettenspiegel 6 gemäß Figur 4 weist eine

Feldfacettenanordnung mit gekrümmten Feldfacetten 7 auf. Diese Feldfacetten 7 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils mehreren Feldfacettengruppen 8 angeordnet. Die Feldfacettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung einer Trägerplatte des Feldfacettenspiegels geschrieben.

Die Feldfacetten 7 der Ausführungsform gemäß Figur 4 weisen alle dieselbe Fläche und dasselbe Verhältnis von Breite in der x-Richtung und Höhe in der y-Richtung auf, was dem x/y- Aspektverhältnis der Feldfacetten 7 der Ausgestaltung gemäß Figur 2 entspricht.

Beispielsweise sind in jedem Fall zwei der Pupillenfacetten 11 des

Pupillenfacettenspiegels 10 jeder der Feldfacetten 7 der jeweiligen Ausgestaltung des Feldfacettenspiegels 6 durch einen Objektfeldbeleuchtungskanal zugeordnet. Der Pupillenfacettenspiegel 10 weist somit zweimal soviel Pupillenfacetten 11 wie der Feldfacettenspiegel 6 Feldfacetten 7 hat auf.

In Abhängigkeit von der Ausgestaltung einer mechanischen Kippfähigkeit der

Feldfacetten 7 können einer der Feldfacetten 7 auf dem Wege über jeweilige

Objektfeldbeleuchtungskanäle mehr als zwei der Pupillenfacetten 11 des

Pupillenfacettenspiegels 10 zugeordnet werden. Die Feldfacetten 7 können dann in eine entsprechende Anzahl von Beleuchtungskipppositionen umgesetzt werden.

Figur 5 veranschaulicht die reflektierte Führung eines Teilbündels 24 eines

Gesamtbündels des Beleuchtungslichts 3. Eine beispielhaft gezeigte Reflexionsfläche 25 einer Feldfacette 7 ist kippbar zwischen einer ersten Beleuchtungskippposition zum Führen des Teilbündels 24, welches auf die Reflexionsfläche 25 auftrifft, entlang eines ersten Objektfeldbeleuchtungskanals 261 (gestrichelte Linien) zu dem Objektfeld 18 oder zu dem Beleuchtungsfeld und einer weiteren Beleuchtungskippposition zum Führen des Teilbündels 24 entlang eines weiteren Objektfeldbeleuchtungskanals 262 (durchgezogene Linien) zu dem Objektfeld 18.

Entlang des ersten Beleuchtungskanals 261 wird das Teilbündel 24, nach Reflexion an der Feldfacette 7 auf einer ersten Pupillenfacette 111 reflektiert. Die Pupillenfacette 111 ist somit mittels des Objektfeldbeleuchtungskanals 26i der Feldfacette 7 zugeordnet. Entlang des Objektfeldbeleuchtungskanals 262, mit anderen Worten in der anderen Beleuchtungskippposition der Feldfacette 7, wird das Teilbündel 24 nach Reflexion auf der Feldfacette 7 auf einer anderen Pupillenfacette 112 des

Pupillenfacettenspiegels 10 reflektiert. Nur einige der Pupillenfacetten 11 des

Pupillenfacettenspiegels 10 sind in Figur 5 gezeigt, nämlich jene Pupillenfacetten 1 F, welche sich an die Pupillenfacetten 111, 1 b angrenzend befinden.

Figur 6 zeigt eine der Pupillenfacetten 11, die in dem Pupillenfacettenspiegel 10 ver wendet werden kann. Die Pupillenfacette 11 gemäß Figur 6 weist keine kreisförmige Kante oder Randkontur auf, wie in Figuren 3 oder 5 dargestellt ist, sondern stattdessen eine fast quadratische Kante oder Randkontur mit abgerundeten Ecken. Solch eine Kante oder Randkontur, welche auch ohne abgerundete Ecken designt sein kann, d. h. auf eine quadratische oder rechteckige Weise, erlaubt es, dass der Pupillenfacettenträ ger relativ dicht mit den Pupillenfacetten 11 belegt sein kann.

Die Pupillenfacette 11 gemäß Figur 6 wird von dem Beleuchtungslichtteilbündel 24i von einer bogenförmigen Feldfacette 7 des Feldfacettenspiegels 6 gemäß Figur 4 ge troffen.

Figur 6 zeigt einen Ort des Beleuchtungslichtteilbündels 24i, das durch die Pupillenfa cette 1 1 reflektiert wird. Ein Gesamtquerschnitt des Beleuchtungslichtteilbündels 24i liegt auf der Pupillenfacette 11 , und somit wird die Kante oder der Rand des Beleuch tungslichtteilbündels 24i nicht durch die Kante oder den Rand der Pupillenfacette 1 1 abgeschnitten oder gestutzt. Eine Kante oder eine Randkontur des Querschnitts des Beleuchtungslichtteilbündels 24i auf der Pupillenfacette 1 1 weist eine ungefähr bogen- förmige, bohnenförmige oder nierenförmige Gestalt auf und kann als eine Faltung ei nes Bilds der bogenförmigen Feldfacetten 7 (vergl. durchgezogene Linie„7B“ in Figur 6) gemäß Figur 4 mit einem runden Quellengebiet der Lichtquelle 2 verstanden wer den. Diese Faltung entsteht aufgrund der Tatsache, dass ein Bild der Lichtquelle 2 an einem Bildort entsteht, welcher entlang des Beleuchtungskanals 24i unter einem Ab stand von der Pupillenfacette 11 entsteht, d. h. in dem Strahlweg der Pupillenfacette 11 vorgelagert oder nachgelagert.

Die bogenförmige Kante oder Randkontur des Beleuchtungslichtteilbündels 24i auf der Pupillenfacette 11 repräsentiert einen Lichtfleck des Beleuchtungslichtteilbündels 24i.

Drei Substrahlen 24i1, 24i2 und 24i3 des Beleuchtungslichtteilbündels 24i sind unter Verwendung von gestrichelten Linien in der Kante oder Randkontur des Beleuch tungslichtteilbündels 24i auf der Pupillenfacette 11 gezeichnet. Das Beleuchtungslicht teilbündel 24i ist aus mehreren solchen Substrahlen 24p zusammengesetzt. In dem Ausmaß, in dem die optischen Parameter der Beleuchtung bekannt sind, kann das Be leuchtungslichtteilbündel 24i beispielsweise mit der Hilfe eines Optikdesignpro gramms berechnet werden.

Das Beleuchtungslicht 3 dieser Substrahlen 24il bis 24i3 geht von einem linken Kan ten- oder Randpunkt 71, von einem Zentralpunkt 72 und von einem rechten Kanten- o-der Randpunkt 73 der zugeordneten Feldfacette 7 aus. In Figur 4 sind diese Anfangs punkte 71 bis 73 auf beispielhafte Weise auf einer der Feldfacetten 7 gezeichnet.

Die Intensität dieser Rand- Sub strahlen 24^ und 24i3 ist kleiner als die Intensität des zentralen Substrahls 24i2.

Figur 7 zeigt einen Abschnitt einer anderen Ausführungsform eines Pupillenfacetten spiegels 10, welcher in dem optischen Beleuchtungssystem 23 anstelle der oben be schriebenen Pupillenfacettenspiegel 10 verwendet werden kann. Komponenten und Funktionen, die jenen entsprechen, die oben mit Bezug auf Figuren 1 bis 6 beschrieben wurden, führen dieselben Bezugsziffern und werden nicht nochmals ausführlich be schrieben.

Die in der Ausführungsform der Figur 7 beschriebenen Pupillenfacetten 11 weisen eine hexagonale Außenkontur auf und sind in einer dichten Packung gezeigt. Auf der jeweiligen Pupillenfacette 11 ist das Beleuchtungslichtteilbündel 24i des entsprechen den Beleuchtungskanals 26 gezeigt. In Abhängigkeit von der räumlichen Beziehung zwischen der Feldfacette 7 und der Pupillenfacette 11, welche zu jedem der jeweiligen Beleuchtungskanäle gehören, und in Abhängigkeit von dem Abstand der jeweiligen Pupillenfacette zu dem Bild der Lichtquelle weisen die Beleuchtungslichtteilbündel 24i auf ihrer zugeordneten Pupillenfacette 11 verschiedene Orientierungen und Ausdeh nungen auf. Für Pupillenfacetten 11 , welche sich dicht an dem Bild der Lichtquelle be finden, weist das Beleuchtungslichtteilbündel 24i mehr oder weniger die Gestalt eines Punkts auf und repräsentiert das Bild der Lichtquelle 2. Für Pupillenfacetten 11, die ei nen größeren Abstand zum Bild der Lichtquelle aufweisen, ist die Ausdehnung des entsprechenden Beleuchtungslichtteilbündels 24i, das auf die Pupillenfacette 11 auf trifft, größer und die Randkontur eines solchen Beleuchtungslichtbündels 24 kann als eine Faltung des Lichtquellenbilds mit der Gestalt der entsprechenden Feldfacetten 7 angesehen werden, d. h. sie zeigt eine bogenförmige Gestalt.

Figur 8 zeigt eine der Pupillenfacetten 11 vergrößert und mehr im Detail. Solch eine Pupillenfacette 11 gemäß Figur 8 ist als eine selektiv reflektierende Pupillenfacette 1 1 designt. Eine reflektierende Beschichtung 27 für das Beleuchtungslicht 3, d. h. für das Beleuchtungslichtteilbündel 24i, weist ein erstes Beschichtungsgebiet 271 auf einem ersten Teil der Pupillenfacette 11 , ein zweites Beschichtungsgebiet 272 auf einem zweiten Teil der Pupillenfacette 11 und ein drittes Beschichtungsgebiet 273 auf einem dritten Teil der Pupillenfacette 1 1 auf. Das erste Beschichtungsgebiet 271 und das dritte Beschichtungsgebiet 273 weisen beide eine erste höhere Reflektivität R1/3 für das Beleuchtungslicht 3 auf. Das zweite Beschichtungsgebiet 272 weist eine im Vergleich zu der ersten Reflektivität geringere zweite Reflektivität R2 auf.

Das Reflektivitätsverhältnis R1/3/R2 der Reflektivitäten der Beschichtungsgebiete 271, 273 einerseits und 272 andererseits weist mindestens ungefähr den Kehrwert des Inten sitätsverhältnisses I1/3/I2 der Randsubstrahlen 24, 24i3 einerseits und des Zentralsub strahls 24i2 andererseits auf den jeweiligen Beschichtungsgebieten 271, 273 und 272 auf.

Solche Verhältniswerte führen zu einer Homogenisierung der Intensität des über dem gesamten Gebiet des Beleuchtungslichtteilbündels 24i gesehenen Beleuchtungslichts 3. Durch Aufteilen der reflektierenden Beschichtung 27 in mehrere Beschichtungsge biete, die jeweils angepasste Reflektivitäten aufweisen, ist es möglich, eine Intensitäts variation über das Beleuchtungslichtteilbündel 24i hinweg zu homogenisieren/zu kom pensieren. Dies kann als Gleichförmigkeitskorrekturmittel verwendet werden, um eine vorgegebene Intensitätshomogenität über die x-Richtung des Objektfelds 18 zu ge währleisten , d. h. eine Beleuchtungsgleichförmigkeit über die Feldhöhe x zu gewähr leisten.

Einige oder alle der Facetten 1 1 des Pupillenfacettenspiegels 10 von Figur 7 können, wie oben beschrieben, als selektiv reflektierende Pupillenfacetten 1 1 umgesetzt sein.

Die Anordnung der verschiedenen Beschichtungsgebiete 27i auf jeder der Pupillenfa cetten 1 1 hängt von dem Ort, der Orientierung und der Ausdehnung des jeweiligen Be leuchtungslichtteilbündels 24i, das auf eine solche Pupillenfacette 1 1 auftrifft, ab.

Solch eine variable Anordnung der Beschichtungsgebiete 27i kann durch verschiedene Orientierungen der Grenzen zwischen solchen Beschichtungsgebieten 27i realisiert werden und/oder kann durch unterschiedliche Ausdehnungen und/oder unterschiedli che Anzahlen derartiger Beschichtungsgebiete 27i realisiert werden. Zusätzlich kön nen, in Abhängigkeit von der jeweiligen Ausführungsform einer selektiv reflektieren den Pupillenfacette, die Reflektivitäten von zwei benachbarten der verschiedenen Be schichtungsgebiete 27i, d. h. die Reflektivitäten der Beschichtungsgebiete 271 und 272 oder die Reflektivitäten der Beschichtungsgebiete 272 and 273 der Ausführungsform gemäß Figur 8, kontinuierlich ineinanderlaufen, um die Reflektivitätsabhängigkeit der reflektierenden Beschichtung 27 in Gänze an die Intensitätsabhängigkeit über dem Be leuchtungslichtteilbündel 24i anzupassen.

Figur 9 zeigt eine andere Ausführungsform einer Pupillenfacette 11 in einer Seitenan sicht. Die Pupillenfacette 11 von Figur 9 ist als eine breitbandig reflektierende Pupil lenfacette designt. Solch eine Pupillenfacette 11 gemäß Figur 9 kann für einige oder alle der Pupillenfacetten der Ausführungsformen von oben beschriebenen Pupillenfa cettenspiegeln 10 verwendet werden.

Die breitbandige Pupillenfacette 11 gemäß Figur 9 weist eine breitbandig reflektie rende Beschichtung 28 auf, welche durch einen Hauptteil der breitbandig reflektieren den Pupillenfacette 11 getragen wird.

Die breitbandig reflektierende Beschichtung 28 kann als eine

Mehrschichtenbeschichtung umgesetzt sein, mit anderen Worten als eine

Mehrschichtenbeschichtung mit einer alternierenden, aperiodischen Abfolge von Molybdän- und Silicium-Schichten.

Anstelle der Mehrlagen-Reflexionsbeschichtung kann auch eine Einzelschicht- oder eine Doppelschicht-Reflexionsbeschichtung mit einem sehr schmalen

Einfallswinkeltoleranzbereich verwendet werden. Wenn Mehrlagen-Reflexionsbe Schichtungen mit aperiodischen Schichtstapeln verwendet werden, mit anderen Worten sogenannte Breitbandbeschichtungen, wird der

Einfallswinkeltoleranzbereich vergrößert.

Während der Projektionsbelichtung sind das Retikel 17 und der Wafer 22, welcher eine lichtempfindliche Beschichtung für das EUV-Beleuchtungslicht 3 trägt, bereitgestellt. Zumindest ein Teil des Retikels 17 wird dann mit der Hilfe des

Projektionsbelichtungs Systems 1 auf den Wafer 22 projiziert. Schließlich wird die mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Die mikro strukturierte oder nano strukturierte Komponente, beispielsweise ein Halbleiterchip, wird auf diese Weise produziert.

Die oben beschriebenen Ausführungsformen werden mit der Hilfe einer EUV-Beleuchtung beschrieben. Als eine Alternative für eine EUV-Beleuchtung kann auch eine UV- oder VUV-Beleuchtung verwendet werden, beispielsweise mit

Beleuchtungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm.