Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020108287 - CRYSTAL LINE GROWING STATE DETECTION METHOD, APPARATUS AND DEVICE FOR SILICON ROD

Publication Number WO/2020/108287
Publication Date 04.06.2020
International Application No. PCT/CN2019/117204
International Filing Date 11.11.2019
IPC
C30B 15/26 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
26using television detectors; using photo or X-ray detectors
C30B 29/06 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
CPC
C30B 15/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
26using television detectors; using photo or X-ray detectors
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Applicants
  • 隆基绿能科技股份有限公司 LONGI GREEN ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 郭力 GUO, Li
  • 李侨 LI, Qiao
  • 徐战军 XU, Zhanjun
Agents
  • 北京润泽恒知识产权代理有限公司 BEIJING RUN ZEHENG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Priority Data
201811417468.526.11.2018CN
201910745478.X13.08.2019CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) CRYSTAL LINE GROWING STATE DETECTION METHOD, APPARATUS AND DEVICE FOR SILICON ROD
(FR) PROCÉDÉ, APPAREIL ET DISPOSITIF DE DÉTECTION D'ÉTAT DE CROISSANCE DE LIGNE DE CRISTAUX POUR TIGE DE SILICIUM
(ZH) 一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备
Abstract
(EN)
Provided are a crystal line growing state detection method, apparatus and device for a silicon rod, relating to the technical field of monocrystalline silicon. The method comprises: when a silicon rod is in an equal-diameter growing process, acquiring a sample image of the silicon rod; setting a detection region on the sample image, wherein the detection region overlaps a crystal line growing line of the silicon rod; generating a gray value curve of the detection region; and determining, on the crystal line growing line, a growing state of a crystal line of the silicon rod according to the gray value curve of the detection region. In the present invention, the growing state of the crystal line of the silicon rod can be determined by collecting the sample image of the silicon rod in the growing process in real time and setting the detection region on the sample image and according to the gray value curve of the detection region, thereby determining whether the silicon rod is a monocrystalline silicon rod. By means of the method, the fluctuation of the diameter of a silicon rod and the influence of non-obvious crystal line features on the detection process of a crystal line are reduced, thereby improving the detection precision and the detection efficiency of the crystal line, and the method is easy to operate.
(FR)
L'invention concerne un procédé, un appareil et un dispositif de détection d'état de croissance de ligne de cristaux pour tige de silicium, se rapportant au domaine technique du silicium monocristallin. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : lorsqu'une tige de silicium est dans un processus de croissance de diamètre égal, acquérir une image étalon de la tige de silicium ; paramétrer une région de détection sur l'image étalon, la région de détection chevauchant une ligne de croissance d'une ligne de cristaux de la tige de silicium ; générer une courbe de valeur de gris de la région de détection ; et déterminer, sur la ligne de croissance de la ligne de cristaux, un état de croissance d'une ligne de cristaux de la tige de silicium selon la courbe de valeur de gris de la région de détection. Dans la présente invention, l'état de croissance de la ligne de cristaux de la tige de silicium peut être déterminé en collectant l'image étalon de la tige de silicium au cours du processus de croissance en temps réel et en paramétrant la région de détection sur l'image étalon et en fonction de la courbe de valeur de gris de la région de détection, ce qui permet de déterminer si la tige de silicium est une tige de silicium monocristallin. Au moyen du procédé, la fluctuation du diamètre d'une tige de silicium et l'influence des caractéristiques de la ligne de cristaux non évidentes sur le processus de détection d'une ligne de cristaux sont réduites, ce qui permet d'améliorer la précision de détection et l'efficacité de détection de la ligne de cristaux, et le procédé est facile à utiliser.
(ZH)
本发明实提供了一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备,涉及单晶硅技术领域,包括:在硅棒处于等径生长的过程中,获取硅棒的样本图像;在样本图像上设置检测区域,检测区域与所述硅棒的晶线生长线重叠;生成检测区域的灰度值曲线;根据检测区域的灰度值曲线,确定晶线生长线上,硅棒的晶线的生长状态。本发明中,通过实时采集硅棒在生长过程中的样本图像,并在样本图像上设置检测区域,根据所述检测区域的灰度值曲线,就可以确定硅棒的晶线的生长状态,从而判断硅棒是否是单晶硅棒,采用该方法降低了硅棒直径大小的波动及晶线特征不明显对晶线的检测过程的影响,从而提高了晶线的检测精度和检测效率,且操作简单。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau