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1. WO2020108073 - QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREOF

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说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15  

附图

1   2   3   4   5  

说明书

发明名称 : 一种量子点发光二极管及其制备方法

技术领域

[0001]
本公开涉及量子点发光二极管领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

[0002]
量子点发光二极管(QLED)用于发射光谱可调、发光光谱窄、发光效率高等优点,是下一代平板发光技术备受关注的选择。然而,目前QLED仍存在发光效率低下、寿命不高等问题,暂时还无法被大规模商业应用。造成QLED发光效率低下、寿命不高等问题的主要原因在于QLED器件中的空穴传输能力不足,空穴传输效率无法匹配电子传输效率,导致器件整体电荷传输效率下降,进而引发发光效率低、器件寿命不高等问题。
[0003]
金属氧化物、有机聚合物等材料常被用于制备QLED空穴注入层和空穴传输层,金属氧化物比起有机聚合物空穴层材料具有更好的稳定性,不会腐蚀ITO基板,有利于制备更高寿命的器件。然而,金属氧化物一般为粉末状态的纳米颗粒,在制备成膜前需要先分散于溶剂或墨水,在溶剂中难以避免发生团聚而无法实现较好的分散性,导致成膜后颗粒排布不均、颗粒间间隙较大、颗粒间掺有较多量的溶剂等问题,从而影响膜层的传输性能。
[0004]
因此,现有技术还有待于改进和发展。
[0005]
发明内容
[0006]
鉴于上述现有技术的不足,本公开的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有量子点发光二极管的空穴传输效率较低,导致其发光效率较低的问题。
[0007]
本公开的技术方案如下:
[0008]
一种量子点发光二极管,包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层,所述阳极和量子点发光层之间还设置有空穴传输层,其特征在于,所述空穴传 输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
[0009]
一种量子点发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:
[0010]
提供一阳极基板,在所述阳极基板上制备空穴传输层,在所述空穴传输层上制备量子点发光层,在所述量子点发光层上制备阴极,制得所述量子点发光二极管;
[0011]
或者,提供一阴极基板,在所述阴极基板上制备量子点发光层,在所述量子点发光层上制备空穴传输层,在所述空穴传输层上制备阳极,制得所述量子点发光二极管;
[0012]
其中,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
[0013]
有益效果:本公开提供的量子点发光二极管包括空穴传输层,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合的金属氧化物纳米颗粒。PAMAM(聚酰胺-胺)树形分子是一种高度支化的树状化合物,其分子链呈不规则排列,且其链长、种类和构型多样,这使得其具有良好的增溶、破乳和稳定的作用,是优良的纳米级单分子表面活性剂,适合用于改进金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的分散性,提高其成膜性能;进一步地,所述PAMAM树形分子拥有大量的氨基,在一定温度下可以与金属氧化物纳米颗粒的金属部分形成一个或多个配位键并牢固连接,这使得所述PAMAM树形分子可以以架桥方式连接成膜后的金属氧化物纳米颗粒颗粒,所述PAMAM树形分子上的碳支链可以与硫醇、羧酸等配体一样达到提高金属氧化物纳米颗粒相互之间电荷传输效率的效果。因此,本公开采用PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒作为空穴传输层材料,不仅可提高空穴传输层的空穴传输效率,还可改善空穴传输层的成膜性能,进而提高量子点发光二极管的发光效率。

附图说明

[0014]
图1为本公开一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
[0015]
图2为本公开另一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
[0016]
图3为本公开一种正型结构的量子点发光二极管的制备方法流程图。
[0017]
图4为本公开一种反型结构的量子点发光二极管的制备方法流程图。
[0018]
图5为本公开实施例1中量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

[0019]
本公开提供一种量子点发光二极管及其制备方法,为使本公开的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本公开进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本公开,并不用于限定本公开。
[0020]
量子点发光二极管有多种形式,且所述量子点发光二极管分为正式结构和反式结构,所述反型结构的量子点发光二极管可包括从下往上层叠设置的基板、阴极、量子点发光层、空穴传输层以及阳极。而本公开的具体实施方式中将主要以如图1所示的正型结构的量子点发光二极管为实施例进行介绍。具体地,如图1所示,所述正型结构的量子点发光二极管包括从下往上层叠设置的基板10、阳极20、空穴传输层30、量子点发光层40、以及阴极50,其中,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
[0021]
需说明的是,对于所述正型结构和反型结构的量子点发光二极管,在所述阴极和量子点发光层之间还可以设置电子功能层,所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种,但不限于此。
[0022]
在一些具体的实施方式中,如图2所示,所述正型结构的量子点发光二极管包括从下往上依次层叠设置的基板10、阳极20、空穴传输层30、量子点发光层40、电子功能层60以及阴极50,其中,所述电子功能层60包括从下往上依次层叠设置的空穴阻挡层61、电子传输层62、电子注入层63,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
[0023]
在一些实施方式中,在所述阳极和量子点发光层之间除了设置所述空穴传输层之外,还可以设置空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层。
[0024]
本实施例采用PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合 的金属氧化物纳米颗粒作为空穴传输层材料,可提高空穴传输层的空穴传输性能和成膜性能,进而提高量子点发光二极管的发光效率。实现上述效果的机理具体如下:
[0025]
PAMAM(聚酰胺-胺)树形分子是一种高度支化的树状化合物,其分子链呈不规则排列,且其链长、种类和构型多样,这使得其具有良好的增溶、破乳和稳定的作用,是优良的纳米级单分子表面活性剂,适合用于改进金属氧化物纳米颗粒颗粒在多种溶剂中的分散性;进一步地,所述PAMAM树形分子拥有大量的氨基,在一定温度下可以与金属氧化物纳米颗粒的金属部分形成一个或多个配位键并牢固连接,这使得所述PAMAM树形分子可以以架桥方式连接成膜后的金属氧化物纳米颗粒颗粒,所述PAMAM树形分子上的碳支链可以与硫醇、羧酸等配体一样达到提高颗粒间电荷传输效率的效果。因此,本公开采用PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒作为空穴传输层材料,不仅可提高空穴传输层的空穴传输效率,还可改善空穴传输层的成膜性能,进而提高量子点发光二极管的发光效率。
[0026]
所述PAMAM树形分子是由不同的分子单元A(乙二胺)和分子单元B(丙烯酸甲酯)反应得到,所述PAMAM树形分子可由发散法合成,第一步由乙二胺和丙烯酸甲酯反应生成羧酸酯,第二步将得到的羧酸酯与过量的乙二胺反应,经过上述两步反应后即可制得第一代PAMAM树形分子,重复上述两步反应即可得到更高代数的PAMAM树形分子。不同代数的PAMAM树形分子所含有的分子单元A和分子单元B的通式为:A(2 n+2 n-1+…+2 n-3)+B(2 n+1+2 n+….+2 n-1),其中n的取值为3-10;另外,第一代PAMAM树形分子含有分子单元A和分子单元B的通式为A+4B,第二代PAMAM树形分子含有分子单元A和分子单元B的通式为5A+8B。随着PAMAM树形分子的代数变大,其分子体积也越大,且其分子内腔体也变多,导致其电荷传输能力相应的变弱。也就是说,所述PAMAM树形分子随着代数的增加其电荷传输能力逐渐减弱。
[0027]
在一些的实施方式中,所述PAMAM树形分子中的支链数量大于等于3且小于等于12,且每个支链的碳原子数大于等于6且小于等于18。在PAMAM树形分子中,碳支链的长短对其极性影响较大,当其支链数量大于等于3且小于等于12,且每个支链的碳原子数量大于等于6且小于等于18时,所述PAMAM树形分子与金属氧化物纳米颗粒 通过配位键结合后,将有利于所述金属氧化物纳米颗粒分散在极性溶剂中,从而改善金属氧化物纳米颗粒的成膜性能。
[0028]
在一些实施方式中,所述金属氧化物纳米颗粒为功函数高、空穴迁移率高的金属氧化物。优选的,所述金属氧化物纳米颗粒选自NiO、V 2O 5、WO 3和MoO 3中的一种或多种,但不限于此。
[0029]
进一步的,本公开还提供一种如图1所示正型结构量子点发光二极管的制备方法,其中,如图3所示,包括步骤:
[0030]
S10、提供一阳极基板;
[0031]
S20、在所述阳极基板上制备空穴传输层,其中,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合的金属氧化物纳米颗粒;
[0032]
S30、在所述空穴传输层上制备量子点发光层;
[0033]
S40、在所述量子点发光层上制备阴极,制得所述量子点发光二极管。
[0034]
上述各层的制备方法可以是化学法或物理法,其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种;物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法,其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法;物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
[0035]
在一些实施方式中,所述空穴传输层材料的制备方法包括步骤:将金属氧化物纳米颗粒分散在有机溶剂中,生成金属氧化物纳米颗粒溶液;向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入油胺,混合使所述油胺结合在所述金属氧化物纳米颗粒的表面;继续向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子,混合使所述PAMAM树形分子与结合在金属氧化物纳米颗粒表面的油胺发生配体交换反应,即制得所述空穴传输层材料。
[0036]
本实施例中,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-20nm,在该范围内,所述金属氧化物纳米颗粒能够在非团聚状态下较好地分散在有机溶剂中,形成金属氧化物纳米颗粒溶液;若金属氧化物纳米颗粒的粒径大于20nm,则将导致PAMAM以悬浊的方式存 在有机溶剂中,从而降低了金属氧化物纳米颗粒的成膜性能。更优选的,所述有机溶剂为极性溶剂,作为举例,所述有机溶剂选自乙醇、丙醇和正丁醇中的一种或多种,但不限于此。
[0037]
本实施例中,所述金属氧化物纳米颗粒溶液的浓度为10-50mg/ml。在该范围内,所述金属氧化物纳米颗粒在有机溶剂中不易团聚,可以获得较佳的分散效果,为后续配体交换反应提供最佳的接触面积;若所述金属氧化物纳米颗粒溶液的浓度过低(小于10mg/ml),则会引起金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的分散度过大,从而引起配体的过量嫁接,最终影响空穴传输层性能;若氧化物浓度过高(大于50mg/ml),则容易形成团聚物,无法与配体形成良好的接触环境。
[0038]
在一些实施方式中,向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入油胺,混合使所述油胺结合在所述金属氧化物纳米颗粒的表面。当金属氧化物纳米颗粒溶液达到预定温度时,例如40-50℃,则少量的油胺可以以配体的形式附着在所述金属氧化物纳米颗粒表面,油胺作为一种常用的配体溶剂,其氨基除了可以与金属氧化物纳米颗粒较为稳固的结合在一起至外,还可以在加温的情况下提高金属氧化物纳米颗粒的分散性。更优选的,所述油胺在金属氧化物纳米颗粒溶液中的体积百分比为0.5-2%,在该浓度范围下,所述油胺可以在有机溶剂中较好地分散,且可以与金属氧化物纳米颗粒充分接触,并附着在其表面;若油胺的量过少(小于0.5%),则无法保证金属氧化物纳米颗粒被油胺充分结合包裹;若油胺过量(大于2%),则后期需要大幅度增加PAMAM树形分子的量才能够印发配体交换反应,不利于正向配体交换的平衡。
[0039]
在一些实施方式中,按照油胺与PAMAM树形分子的摩尔质量比为1:5-1:20的比例继续向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子,混合并加温至60-70℃使所述PAMAM树形分子与结合在金属氧化物纳米颗粒表面的油胺发生配体交换反应,即制得所述空穴传输层材料。通过升高温度,可提高油胺和PAMAM树形分子的反应活性,以增加配体交换的动态反应速率,同时由于PAMAM树形分子的浓度远高于油胺,因此,所述PAMAM树形分子可将油胺替代下来并结合在金属氧化物纳米颗粒表面,制得空穴传输层材料。
[0040]
在一些实施方式中,所述量子点发光层材料选自红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点中的一种或多种。作为举例,所述量子点发光层材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS和CuInSe中的一种或多种。优选的,所述量子点发光层材料为核壳结构量子点和合金结构量子点中的至少一种。
[0041]
在一些实施方式中,所述空穴传输层的厚度为10-100nm。优选的,所述空穴传输层的厚度为20-50nm。
[0042]
本公开通过PAMAM树形分子的氨基官能团与金属氧化物纳米颗粒表面金属之间的配位键结合,可有效提高金属氧化物纳米颗粒的溶液分散性,从而解决金属氧化物纳米颗粒颗粒成膜后排布不均、颗粒间间隙较大以及颗粒间掺有较多两的溶剂等问题;同时所述PAMAM树形分子还可以以架桥方式连接成膜后的金属氧化物纳米颗粒颗粒,所述PAMAM树形分子上的碳支链可以与硫醇、羧酸等配体一样达到提高颗粒间电荷传输效率的效果。因此,本公开采用PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合的金属氧化物纳米颗粒作为空穴传输层材料,不仅可提高空穴传输层的空穴传输效率,还可改善空穴传输层的成膜性能,进而提高量子点发光二极管的发光效率。
[0043]
本公开还提供一种反型结构的QLED的制备方法,如图4所示,包括如下步骤:
[0044]
S100、提供一阴极基板;
[0045]
S200、在所述阴极基板上制备量子点发光层;
[0046]
S300、在量子点发光层上制备空穴传输层,其中,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合的金属氧化物纳米颗粒;
[0047]
S400、在空穴传输层上制备阳极,制得所述量子点发光二极管。
[0048]
在本公开的一种实施方式中,所述阴极基板包括衬底、设置在衬底上的底电极,所述底电极为阴极;在本公开的又一种实施方式中,所述阴极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和电子注入层;在本公开的又一种实施方式中,所述阴极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、电子注入层和电子传输层;在本公开的还一种实施方式中,所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设 置在衬底表面的电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层。
[0049]
上述各层的制备方法可以是化学法或物理法,其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种;物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法,其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法;物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
[0050]
下面通过实施例对本公开量子点发光二极管及其制备方法进行详细说明:
[0051]
实施例1
[0052]
一种量子点发光二极管,如图5所示,其包括从下至上叠层设置的阳极衬底101、空穴传输层102、量子点发光层103、电子传输层104以及阴极105,其中,所述空穴传输层材料包括型号为CAS:155773-72-1的PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子的氨基配位结合纳米氧化镍。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤:
[0053]
1)、空穴传输层材料的制备:选取粒径大小在200nm以下的纳米氧化镍粉末均匀分散在正丁醇中并以3000rpm/min的速率搅拌5分钟形成均匀的溶液(浓度为20mg/mL),随后在氩气氛围中升温到50℃,加入少量的油胺(每10mL溶液加入0.1mL的油胺),反应15分钟后,将温度升温到60摄氏度,按照油胺与PAMAM树形分子的摩尔比为1:10的比例向所述溶液中加入PAMAM树形分子,保温反应30分钟;随后将反应溶液温度降低至室温,用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗,随后重新分散于正丁醇,制备出PAMAM改性氧化镍(空穴传输层材料)丁醇溶液;
[0054]
2)、量子点发光二极管的制备:
[0055]
在阳极基板上沉积所述PAMAM改性氧化镍丁醇溶液,得到厚度为30nm的空穴传输层;
[0056]
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层;
[0057]
在所述量子点发光层上沉积电子传输层;
[0058]
在所述电子传输层上沉积阴极,制得所述量子点发光二极管。
[0059]
实施例2
[0060]
一种量子点发光二极管,如图2所示,其包括从下至上叠层设置的阳极衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极,其中,所述空穴传输层材料包括型号为CAS:142986-44-5的PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子的氨基配位结合纳米氧化钼。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤:
[0061]
1)、空穴传输层材料的制备:选取粒径大小在200nm以下的纳米氧化钼粉末均匀分散在乙醇中并以3000rpm/min的速率搅拌5分钟形成均匀的溶液(浓度为20mg/mL),随后在氩气氛围中升温到50℃,加入少量的油胺(每10mL溶液加入0.1mL的油胺),反应15分钟后,将温度升温到60摄氏度,按照油胺与PAMAM树形分子的摩尔比为1:15的比例向所述溶液中加入所述PAMAM树形分子,保温反应30分钟;随后将反应溶液温度降低至室温,用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗,随后重新分散于乙醇,制备出PAMAM改性氧化钼(空穴传输层材料)乙醇溶液;
[0062]
2)、量子点发光二极管的制备:
[0063]
在阳极基板上沉积所述PAMAM改性氧化钼乙醇溶液,得到厚度为50nm的空穴传输层;
[0064]
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层;
[0065]
在所述量子点发光层上沉积电子传输层;
[0066]
在所述电子传输层上沉积阴极,制得所述量子点发光二极管。
[0067]
实施例3
[0068]
一种量子点发光二极管,如图2所示,其包括从下至上叠层设置的阳极衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极,其中,所述空穴传输层材料包括型号为CAS:155773-72-1的PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子的氨基配位结合纳米氧化钨。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤:
[0069]
1)、空穴传输层材料的制备:选取粒径大小在200nm以下的纳米氧化钨粉末均匀分散在丙醇中并以3000rpm/min的速率搅拌5分钟形成均匀的溶液(浓度为20mg/mL),随后在氩气氛围中升温到50℃,加入少量的油胺(每10mL溶液加入0.1mL的油胺), 反应15分钟后,将温度升温到60摄氏度,按照油胺与PAMAM树形分子的摩尔比为1:15的比例向所述溶液中加入所述PAMAM树形分子,保温反应30分钟;随后将反应溶液温度降低至室温,用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗,随后重新分散于丙醇,制备出PAMAM改性氧化钨(空穴传输层材料)丙醇溶液;
[0070]
2)、量子点发光二极管的制备:
[0071]
在阳极基板上沉积所述PAMAM改性氧化钨丙醇溶液,得到厚度为100nm的空穴传输层;
[0072]
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层;
[0073]
在所述量子点发光层上沉积电子传输层;
[0074]
在所述电子传输层上沉积阴极,制得所述量子点发光二极管。
[0075]
综上所述,本公开提供的量子点发光二极管包括空穴传输层,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合的金属氧化物纳米颗粒。PAMAM(聚酰胺-胺)树形分子是一种高度支化的树状化合物,其分子链呈不规则排列,且其链长、种类和构型多样,这使得其具有良好的增溶、破乳和稳定的作用,是优良的纳米级单分子表面活性剂,适合用于改进金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的分散性,提高其成膜性能;进一步地,所述PAMAM树形分子拥有大量的氨基,在一定温度下可以与金属氧化物纳米颗粒的金属部分形成一个或多个配位键并牢固连接,这使得所述PAMAM树形分子可以以架桥方式连接成膜后的金属氧化物纳米颗粒颗粒,所述PAMAM树形分子上的碳支链可以与硫醇、羧酸等配体一样达到提高金属氧化物纳米颗粒相互之间电荷传输效率的效果。因此,本公开采用PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基配位结合的金属氧化物纳米颗粒作为空穴传输层材料,不仅可提高空穴传输层的空穴传输效率,还可改善空穴传输层的成膜性能,进而提高量子点发光二极管的发光效率。
[0076]
应当理解的是,本公开的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本公开所附权利要求的保护范围。

权利要求书

[权利要求 1]
一种量子点发光二极管,包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层,所述阳极和量子点发光层之间还设置有空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述PAMAM树形分子中的支链数量大于等于3且小于等于12,且每个支链的碳原子数量大于等于6且小于等于18。
[权利要求 3]
根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒包括NiO、V 2O 5、WO 3和MoO 3中的至少一种。
[权利要求 4]
根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-20nm。
[权利要求 5]
根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述空穴传输层的厚度为10-100nm。
[权利要求 6]
根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子功能层。
[权利要求 7]
根据权利要求6所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。
[权利要求 8]
一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤: 提供一阳极基板,在所述阳极基板上制备空穴传输层,在所述空穴传输层上制备量子点发光层,在所述量子点发光层上制备阴极,制得所述量子点发光二极管; 或者,提供一阴极基板,在所述阴极基板上制备量子点发光层,在所述量子点发光层上制备空穴传输层,在所述空穴传输层上制备阳极,制得所述量子点发光二极管; 其中,所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。
[权利要求 9]
根据权利要求8所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述空穴传输层材料的制备方法包括步骤: 将金属氧化物纳米颗粒分散在有机溶剂中,生成金属氧化物纳米颗粒溶液; 向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入油胺,混合使所述油胺结合在所述金属氧化物纳米颗粒的表面; 向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子混合,使所述PAMAM树形分子与结合在金属氧化物纳米颗粒表面的油胺发生配体交换反应,制得所述空穴传输层材料。
[权利要求 10]
根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-20nm。
[权利要求 11]
根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒溶液的浓度为10-50mg/ml。
[权利要求 12]
根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入油胺之前,还包括步骤: 将所述金属氧化物纳米颗粒溶液加热至40-50℃。
[权利要求 13]
根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述油胺在金属氧化物纳米颗粒溶液中的体积百分比为0.5-2%。
[权利要求 14]
根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,按照油胺与PAMAM树形分子的摩尔质量比为1:5-1:20的比例向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子。
[权利要求 15]
根据权利要求14所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子之后,还包括步骤: 将所述金属氧化物纳米颗粒溶液加温至60-70℃,使所述PAMAM树形分子与结合在金属氧化物纳米颗粒表面的油胺发生配体交换反应,制得所述空穴传输层材料。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]